[发明专利]体电阻控制技术

摘要

本发明提供一种用于提供ESD保护的MOS晶体管器件，包括至少一个具有源区、漏区和在源区和漏区之间配置的沟道区上面形成的栅区的交错指状物。该晶体管器件进一步包括在交错指状物中至少一个指状物内形成的至少一个隔离栅。该器件能够进一步包括经由通过二极管、MOS、电阻器、电容器、电感器、短路等等至少其中之一与源区、漏区和栅区至少其中之一耦接的体连接。该体连接是优选通过隔离栅来隔离的。

主权项

1. 一种用于提供ESD保护的静电放电(ESD)MOS晶体管，上述MOS晶体管包括：包括至少一个第一导电类型源区、至少一个第一导电类型漏区以及在上述源和漏区之间配置的沟道区上面形成的至少一个栅区的至少一个交错指状物；以及在至少一个上述交错指状物的源区、漏区和栅区中的至少一个区域内形成的至少一个隔离栅。