[实用新型]光能波半导体晶片构造无效
| 申请号： | 200620043133.8 | 申请日： | 2006-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN200962431Y | 公开（公告）日： | 2007-10-17 |
| 发明（设计）人： | 黄定宗 | 申请（专利权）人： | 黄定宗 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L41/09;H01L37/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 吴林松 |
| 地址： | 台湾省彰化县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种光能波半导体晶片构造，是包含有一基材与一披覆材，该基材是由铝合金、珐琅质、钛合金等低膨胀系数材料任一或混合所预先成型的元件，该披覆材则是均匀披覆或喷附于基材表面的导电材料，可与基材一体形成一半导电性发热薄膜，使该半导体晶片可在不须通电的情况下自动放射光能波，同时产生快速共振吸收作用，而可对人体健康产生极大助益。 | ||
| 搜索关键词： | 光能 半导体 晶片 构造 | ||
【主权项】：
1、一种光能波半导体晶片构造，其特征在于：是包含有：一基材，是可供发热的低膨胀系数材料任一或混合所预先成型的元件；一披覆材，是均匀披覆或喷附于基材表面的导电材料，使基材具有半导电性。
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