[发明专利]闪速存储器件及其操作方法无效
| 申请号： | 200610163536.0 | 申请日： | 2006-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN101165807A | 公开（公告）日： | 2008-04-23 |
| 发明（设计）人： | 李真烨 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/06;G11C16/08;G11C16/30;G11C16/26 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种存储单元阵列包括由在串选择晶体管和接地选择晶体管之间串联连接的多个存储单元组成的与非串。在读取操作中，串选择晶体管基于串选择电压，控制与非串与位线之间的电连接。行选择电路通过串选择线、接地选择线、以及多个字线与存储单元阵列相连。在读取操作中，行选择电路基于行地址信号和读取电压，在多个字线中选择与读取存储单元相连的字线。电压产生电路产生串选择电压和读取电压。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种闪速存储器件，包括：存储单元阵列，包括至少一个与非串，所述至少一个与非串的每一个均包括在串选择晶体管和接地选择晶体管之间串联连接的多个存储单元，所述串选择晶体管配置用于基于串选择电压，控制所述至少一个与非串的第一与非串与相应的第一位线之间的电连接；行选择电路，通过串选择线、接地选择线、以及多个字线与所述存储单元阵列相连，所述行选择电路配置用于基于行地址信号和读取电压，选择所述多个字线中的第一字线，所述第一字线与第一存储单元相连；以及电压产生电路，配置用于产生所述串选择电压和所述读取电压。
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