[发明专利]闸流晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200610149386.8 | 申请日： | 2006-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN1988174A | 公开（公告）日： | 2007-06-27 |
| 发明（设计）人： | 艾曼纽尔·索塞多－夫劳斯;戴维·M·科尔伯特森 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/747;H01L21/332 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种闸流晶体管和一种用于制造闸流晶体管的方法，该闸流晶体管包括：栅极区，其从一主表面延伸到半导体衬底中；和阳极区，其从第二主表面延伸到半导体衬底中。阴极区延伸到栅极区的一部分中。可选地，增强掺杂区延伸到栅极区和阳极区中。具有高度HG的台结构由第一主表面形成，具有高度HA的台结构由第二主表面形成。栅极区在半导体衬底的第一主表面下方延伸，且其垂直延伸到半导体衬底中大于高度HG的距离。阳极区在半导体衬底的第二主表面下方延伸，且其垂直延伸到半导体衬底中大于高度HA的距离。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种闸流晶体管，其特征在于：具有第一和第二侧面的半导体衬底；第一台结构，其从第一侧的第一部分延伸，第一台结构具有台表面和第一及第二侧壁，第一台结构的第一侧壁从第一侧面的第一部分延伸到第一台结构的台表面，第一台结构的第二侧壁从第一侧面的第二部分延伸到第一台结构的台表面；第二台结构，其从第二侧面延伸，第二台结构具有台表面和第一及第二侧壁，第二台结构的第一侧壁从第二侧面的第一部分延伸到第二台结构的台表面，第二台结构的第二侧壁从第二侧面的第二部分延伸到第二台结构的台表面；在第一台结构中的第一掺杂区，其中第一掺杂区具有从第一侧面的第一部分延伸到第一台结构的台表面的第一子部分和从第一侧面的第二部分延伸到第一台结构的台表面的第二子部分；和在第二台结构中的第二掺杂区，其中第二掺杂区具有从第二侧面的第一部分延伸到第二台结构的台表面的第一子部分和从第二侧面的第二部分延伸到第二台结构的台表面的第二子部分。
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