[发明专利]非易失存储器件和非易失存储器阵列有效
| 申请号： | 200610132100.5 | 申请日： | 2006-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN101030622A | 公开（公告）日： | 2007-09-05 |
| 发明（设计）人： | 李明宰;柳寅儆;李殷洪;金钟完;金东彻;安承彦 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;H01L27/10;H01L27/115;G11C13/00;G11C11/56;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非易失存储器件和非易失存储器件阵列，其中所述非易失存储器件包括：下电极；在所述下电极上形成的第一型半导体氧化物层；在所述第一型半导体氧化物层上形成的第二型半导体氧化物层；和在所述第二型半导体氧化物层上形成的上电极。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失 存储 器件 存储器 阵列 | ||
【主权项】：
1、一种非易失存储器件，包括：下电极；在所述下电极上形成的第一型半导体氧化物层；在所述第一型半导体氧化物层上形成的第二型半导体氧化物层；和在所述第二型半导体氧化物层上形成的上电极。
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