[发明专利]集成电路及金属氧化物半导体元件中判断漏电流的方法有效
| 申请号： | 200610127623.0 | 申请日： | 2006-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN101025427A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 陈国香;雷明达 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00;G01R31/00;G01R31/28;H01L21/66;G01N13/10 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提出一种集成电路及金属氧化物半导体元件中判断漏电流的方法。此方法包括提供一个具有一个第一区间与第二区间的靶结构的基底。首先将第二区间接地，然后使用电子扫描显微镜扫描此基底以产生电压对照影像。之后，判断在电压对照影像中第一区间的灰阶层级，以及使用此灰阶层级来判断介于第一区间与第二区间的漏电流。本发明所述集成电路及金属氧化物半导体元件中判断漏电流的方法，以可缩短检测漏电流的反馈时间，快速的找出漏电流的所在以及强度，而用以提供制程时更精确的校准。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 金属 氧化物 半导体 元件 判断 漏电 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路中判断漏电流的方法，其特征在于，该集成电路中判断漏电流的方法包括：提供一基底包括一靶结构，该靶结构具有一第一区间与一第二区间；将该第二区间接地；使用一电子扫描显微镜扫描该基底以产生一电压对照影像；判断该电压对照影像的该第一区间的一灰阶层级；以及使用该灰阶层级来判断介于该第一区间与该第二区间的一漏电流。
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