[发明专利]刻蚀设备中的硅片升降用顶针有效
| 申请号： | 200610116937.0 | 申请日： | 2006-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN101162701A | 公开（公告）日： | 2008-04-16 |
| 发明（设计）人： | 吕亚冰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;C23F4/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种刻蚀设备中的硅片升降用顶针，由一个大圆柱体和一个电阻13串联而成，其中所述大圆柱体中包括一金属圆柱体11，并在所述金属圆柱体11的外面连接有一非金属圆环12。通过上述方案，避免了硅片升降用顶针的表面被腐蚀的可能性，使其能够顺畅的动作，从而减少了背压故障的发生率，并改善了颗粒污染现象。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 设备 中的 硅片 升降 顶针 | ||
【主权项】：
1.一种刻蚀设备中的硅片升降用顶针，由一个大圆柱体和一个电阻(13)串联而成，其特征在于，所述大圆柱体中包括一金属圆柱体(11)，并在所述金属圆柱体(11)的外面连接有一非金属圆环(12)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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