[发明专利]源极/漏极电极、晶体管衬底及其制造方法和显示装置有效
| 申请号： | 200610114890.4 | 申请日： | 2006-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN1917218A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | 钉宫敏洋;后藤裕史 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/786;H01L29/43;H01L21/84;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在包含基板、薄膜晶体管半导体层、源极/漏极电极和透明像素电极的薄膜晶体管衬底中，所述源极/漏极电极包括铝合金薄膜，所述铝合金含0.1－6原子％的镍作为合金元素，并且直接连接到所述的薄膜晶体管半导体层上。 | ||
| 搜索关键词： | 源极 电极 晶体管 衬底 及其 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管衬底，其包含基板、半导体层、源极/漏极电极和透明像素电极，所述的源极/漏极电极包含铝合金薄膜，该铝合金含0.1-6原子％的镍作为合金元素，其中所述的源极/漏极电极被设置成所述的铝合金薄膜直接连接到所述的半导体层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
