[发明专利]掺杂单晶硅硅化电熔丝及其形成方法有效
| 申请号： | 200610106431.1 | 申请日： | 2006-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN1905184A | 公开（公告）日： | 2007-01-31 |
| 发明（设计）人： | W·R·通蒂;R·Q·威廉姆斯;E·J·诺瓦克;J·H·兰金 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;刘瑞东 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种电熔丝起始于在第一绝缘层上具有单晶硅层的单晶绝缘体上硅(SOI)结构。将单晶硅层构图为带。在构图之前或之后，用一种或多种杂质掺杂单晶硅层。随后硅化单晶硅层的至少上部以形成硅化带。在一个实施例中，硅化整个单晶硅带以形成硅化物带。在硅化物带上形成第二绝缘体，以使硅化带与周围结构隔离。在形成第二绝缘体之前或之后，该方法形成穿过第二绝缘体到硅化带末端的电接触。通过利用单晶硅带，如二极管、导体、绝缘体、晶体管等的任何形式的半导体可以形成熔丝结构的下面部分。上面的硅化物材料允许熔丝在其未编程状态下用作导体。然而，与在编程状态下仅包括绝缘体的金属或多晶硅基电熔丝相反，当本发明的电熔丝被编程时(并且硅化物被移动或断开)，下面的半导体结构以有源半导体器件工作。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 单晶硅 硅化电熔丝 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种结构，包括：掺杂单晶硅层，在第一绝缘层上；隔离区域，在所述绝缘层上，围绕所述掺杂单晶硅层并且从所述掺杂单晶硅层形成掺杂单晶硅岛；硅化物层，在所述掺杂单晶硅岛上；以及第二绝缘层，在所述硅化物层上，其中所述硅化物层适于在施加穿过所述掺杂单晶硅岛的电流时，在所述掺杂单晶硅岛上永久性地转移位置。
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