[发明专利]NROM单元中的阈值电压偏移无效
| 申请号： | 200610091700.1 | 申请日： | 2006-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN1862704A | 公开（公告）日： | 2006-11-15 |
| 发明（设计）人： | 埃利·卢斯基 | 申请（专利权）人： | 赛芬半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/04;G11C11/56;H01L27/112 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 以色列*** | 国省代码： | 以色列;IL |
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| 摘要： | 一种NROM(氮化物只读存储器)单元，通过沟道热电子注入对其进行编程，通过热空穴注入对其进行擦除，该单元包括由底部氧化物层、电荷俘获层、以及顶部氧化物层形成的电荷俘获结构。所述底部氧化物层不厚于提供容限稳定性的底部氧化物层。 | ||
| 搜索关键词： | nrom 单元 中的 阈值 电压 偏移 | ||
【主权项】：
1、一种氮化物只读存储器单元，通过沟道热电子注入对其进行编程并且通过热空穴注入对其进行擦除，该单元包括：电荷俘获结构，由以下部分组成：底部氧化物层；电荷俘获层；以及顶部氧化物层；其中所述底部氧化物层不厚于提供容限稳定性的底部氧化物层。
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