[发明专利]在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜及发光器件的方法有效
| 申请号： | 200610072230.4 | 申请日： | 2006-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN1953220A | 公开（公告）日： | 2007-04-25 |
| 发明（设计）人： | 江风益;方文卿;王立;莫春兰;刘和初;周毛兴 | 申请（专利权）人： | 南昌大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京市广友专利事务所有限责任公司 | 代理人： | 宫建华 |
| 地址： | 330047江*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜的方法，包括在硅衬底表面形成具有沟槽和台面的图形结构和在衬底表面沉积铟镓铝氮薄膜步骤，其中所述的沟槽的深度大于6微米，并且沟槽两侧台面上生长的铟镓铝氮薄膜水平方向上互不相连。用本发明的方法可以通过简单的衬底处理而生长出高质量、无裂纹和面积较大的铟镓铝氮薄膜。本发明同时还公开了一种使用硅衬底制备铟镓铝氮发光器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 制备 铟镓铝氮 薄膜 发光 器件 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜的方法，其特征在于包括以下步骤：A、在硅衬底表面形成具有沟槽和台面的图形结构；B、在衬底表面沉积铟镓铝氮薄膜；其中所述的沟槽的深度大于等于6微米，并且沟槽两侧台面上生长的铟镓铝氮薄膜在水平方向上互不相连。
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