[发明专利]硅化金属阻止区的形成方法及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200610025420.0 | 申请日： | 2006-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101051612A | 公开（公告）日： | 2007-10-10 |
| 发明（设计）人： | 侯大维;周朝锋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/768;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅化金属阻止区的形成方法，包括：在半导体基底上形成图形化的电介质层和多晶硅层；形成硅化金属阻止层；对该硅化金属阻止层进行曝光、显影，形成打开区和阻止区；第一蚀刻步骤，去除打开区的部分硅化金属阻止层；去除光阻层；第二蚀刻步骤，当打开区的剩余的硅化金属阻止层被完全去除时，停止蚀刻，保留阻止区的硅化金属阻止层。由于本发明采用两次蚀刻步骤，第一蚀刻步骤去除部分硅化金属阻止层，在第二蚀刻步骤采用湿法蚀刻工序之前，将深紫外线光阻去除，故可以消除该光阻层由于附着力差而出现脱落(peeling)等现象；从而可以在0.16/0.18μm的逻辑电路的制程中，使深紫外线光阻可以完全适应光刻工艺需要，满足线条越来越细的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 阻止 形成 方法 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
1、一种硅化金属阻止区的形成方法，其特征在于，包括：在半导体基底上形成图形化的电介质层和多晶硅层；形成硅化金属阻止层；对该硅化金属阻止层进行曝光、显影，形成打开区和阻止区；第一蚀刻步骤，去除打开区的部分硅化金属阻止层；去除光阻层；第二蚀刻步骤，当打开区的剩余的硅化金属阻止层被完全去除时，停止蚀刻，保留阻止区的硅化金属阻止层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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