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[发明专利]引线焊垫结构及其形成方法-CN201510019493.8有效
发明人：张贺丰;侯大维 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-01-15 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明提供了一种引线焊垫结构及其形成方法，引线焊垫结构中，引线焊垫覆盖金属线的顶端以及金属线部分侧表面，并通过金属线与顶层金属互连线连接；由于引线焊垫的边缘形成封闭包围金属线顶部部分侧表面的翻边，因此，引线焊垫除了与其覆盖的金属线顶端端面之间存在粘附力之外，还会受到封闭包围金属线侧表面的翻边的约束应力，该约束应力的大小取决于翻边的形变屈服应力和/或拉伸屈服应力，相应地，若要使引线焊垫从其覆盖的金属线端面翘起，则除了克服上述粘附力之外，还需要克服翻边对引线焊垫产生的约束应力，从而避免了机械应力过大导致引线焊垫金属剥落，造成半导体芯片报废的问题。
引线结构及其形成方法

[发明专利]一种芯片的密封环-CN201510086640.3有效
发明人：张贺丰;侯大维 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-02-17 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本申请提供了一种芯片的密封环。该密封环包括一个或多个密封单元，各密封单元包括：第一金属布线层，围绕芯片设置，第一金属布线层包括相互隔离的第一金属部和第一介质材料部；第二金属布线层，与第一金属布线层相对设置，第二金属布线层包括相互隔离的第二金属部和第二介质材料部；层间介质层，设置在第一金属布线层和第二金属布线层之间；一个或多个过孔组，围绕芯片设置在层间介质层中并连接第一金属部和第二金属部，过孔组包括相互独立的多个过孔。过孔形成机械应力突破第一金属部和第二金属部与过孔之间的粘附力的阻碍，缓解了芯片边缘分层的问题；另一方面过孔的刚性减小导致变形能力增加，因此有效地防止了芯片边缘分层的发生。
一种芯片密封

[发明专利]一种晶圆质量管控方法和装置-CN201410077174.8有效
发明人：周欣洁;简维廷;张凯元;侯大维;叶景良 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-03-04 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种晶圆质量管控方法和装置，所述方法包括根据测量得到的各片晶圆的可接受测试参数和参考对象的对应值，生成可接受测试参数与参考对象的拟合函数；根据拟合函数生成可接受测试参数与参考对象的拟合系数；当拟合系数大于设定值时，判定可接受测试参数为相关参数；获取并存储针对各相关参数的控制界限和规格界限的设置信息；设置信息包括针对各相关参数的规格界限和控制界限；对晶圆进行WAT测试，并得到相关参数的测试值；当相关参数的测试值落在规格界限外时，判定晶圆未通过WAT测试；当相关参数的测试值落在控制界限外时，判定相关参数发生参数异常。所述方法和装置，可以减少查找问题的过程中无关因素的干扰。
一种质量方法装置

[实用新型]一种芯片保护结构-CN201420096817.9有效
发明人：张贺丰;侯大维 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-03-04 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本实用新型提供一种芯片保护结构，所述芯片保护结构至少包括：至少两层堆叠的金属层，相邻的金属层之间通过通孔金属连接；所述通孔金属的横截面为T字型、十字型或U字型；所述通孔金属为铝金属；所述芯片保护结构形成在绝缘介质层中。本实用新型提供的芯片保护结构通过将通孔金属设置成T字型、十字型或U字型，使得芯片保护结构更加坚固和稳定，进而阻止划片过程中的机械应力传递到芯片核心区域，提高芯片制造的成功率。
一种芯片保护结构

[实用新型]一种芯片保护结构-CN201420107333.X有效
发明人：张贺丰;侯大维 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-03-11 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本实用新型提供一种芯片保护结构，所述芯片保护结构至少包括：具有至少两层金属层的堆叠结构，相邻的金属层之间通过通孔金属连接；所述堆叠结构中靠近划片槽一侧的金属层边缘形成斜面；所述斜面与所述金属层所在平面的夹角为θ，其中45°＜θ＜90°。本实用新型铜的芯片保护结构通过将靠近划片槽一侧的金属层边缘形成的斜面与所述金属层所在平面的夹角设置成45°＜θ＜90°的锐角，从而将外部应力的方向从到芯片内部引导到芯片的侧面，避免芯片内部发生分层，提高芯片制造的成功率。
一种芯片保护结构

[实用新型]铜膜厚测量标准片-CN201320672758.0有效
发明人：刘媛娜;尹正朝;侯大维 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2013-10-29 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： G01B21/08 文献下载
摘要：本实用新型提供一种铜膜厚测量标准片，其包括衬底、介质层、预知厚度的铜膜以及保护层，所述介质层形成于所述衬底上，所述铜膜形成于所述介质层上，所述保护层形成于所述铜膜上。该铜膜厚测量标准片，解决了集成电路制造领域没有铜膜厚测量标准片的问题，有了这种标准片，铜膜厚测量机台的校准就有了准确性。
铜膜厚测量标准

[发明专利]环境参数测量方法及系统-CN200810042590.9无效
发明人：王勇;张诚;吴建桦;侯大维;杨洪春;吕秋玲 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2008-09-05 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： G01D21/02 文献下载
摘要：本发明提供了环境参数测量方法及系统，以提高测量效率；该方法包括：获得需要测量环境参数的位置的位置信息；采集所述位置对应的环境参数值；以及存储所述位置信息和环境参数值信息的对应关系、位置信息及环境参数值信息。
环境参数测量方法系统

[实用新型]晶圆输送盒-CN200820054510.7有效
发明人：霍栋;侯大维;钱洪涛;杨洪春;吕秋玲 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-01-07 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆输送盒，涉及半导体制造中的搬运装置。该晶圆输送盒包括盒体以及位于盒体上面的盒盖，所述盒体底部的中心部分设有一凹槽，盒盖的中心部分对应凹槽的位置设有固定突起；所述晶圆输送盒堆放时，其中一晶圆输送盒的凹槽与另一晶圆输送盒的固定突起配合。进一步地，所述凹槽的宽度和长度均大于盒体底部的宽度和长度的三分之一。本实用新型提供的晶圆输送盒凹槽与固定突起配合时接触面积比较大，不容易出现真空包装袋破损的情况。
输送

[实用新型]投影机的散热装置-CN200720198752.9有效
发明人：吕秋玲;杨洪春;侯大维;周楠 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2007-11-30 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： G03B21/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种投影机的散热装置。现有的散热装置常常出现散热不完全的情况，导致投影机使用寿命缩短。本实用新型提供的散热装置包括散热风扇、温度感应器、电源，其中所述电源为散热风扇提供电力，所述散热装置还包括与电源并联的电池组，其中切断电源后，所述电池组可为散热风扇继续提供电力。相较现有技术，本实用新型提供的散热装置通过设置电池组，从而实现在切断电源后可继续提供电力给散热电扇，不但结构简单，而且有效提高了投影机的使用寿命。
投影机散热装置

[发明专利]硅化金属阻止区的形成方法及半导体器件的制造方法-CN200610025420.0有效
发明人： 侯大维;周朝锋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-04-03 - 公布日： 2007-10-10 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅化金属阻止区的形成方法，包括：在半导体基底上形成图形化的电介质层和多晶硅层；形成硅化金属阻止层；对该硅化金属阻止层进行曝光、显影，形成打开区和阻止区；第一蚀刻步骤，去除打开区的部分硅化金属阻止层；去除光阻层；第二蚀刻步骤，当打开区的剩余的硅化金属阻止层被完全去除时，停止蚀刻，保留阻止区的硅化金属阻止层。由于本发明采用两次蚀刻步骤，第一蚀刻步骤去除部分硅化金属阻止层，在第二蚀刻步骤采用湿法蚀刻工序之前，将深紫外线光阻去除，故可以消除该光阻层由于附着力差而出现脱落(peeling)等现象；从而可以在0.16/0.18μm的逻辑电路的制程中，使深紫外线光阻可以完全适应光刻工艺需要，满足线条越来越细的需求。
金属阻止形成方法半导体器件制造

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