[发明专利]注入计数掺杂质离子有效
| 申请号： | 200580015364.6 | 申请日： | 2005-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN1954409A | 公开（公告）日： | 2007-04-25 |
| 发明（设计）人： | 索伦·安德雷森;安德鲁·史蒂文·朱瑞克;埃里克·古扎;肖恩·赫恩;托比·费利克斯·霍夫;大卫·诺曼·贾米森;姆拉登·米提克;史蒂文·普瑞弗;常义·杨 | 申请（专利权）人： | 库克有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陆弋;朱登河 |
| 地址： | 澳大利亚*** | 国省代码： | 澳大利亚;AU |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及普通类型的半导体器件，其包括一定计数数目掺杂质原子(142)，这些掺杂质原子被注入到近本征半导体的基板(158)的区域中。所述基板(158)的一个或多个掺杂表面区域(152)被涂覆金属以形成电极(150)，一定计数数目的掺杂质离子(142)被注入到所述本征半导体的区域中。 | ||
| 搜索关键词： | 注入 计数 掺杂 离子 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，该器件包括：半导体基板；所述基板的一个或多个掺杂表面区域；覆盖在所述掺杂表面区域上以形成电极的涂覆金属；和近本征半导体的区带，该区带中注入了一定计数数目的掺杂质离子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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