[发明专利]清洗远程等离子体产生管的方法及处理衬底的设备和方法无效
| 申请号： | 200510074008.3 | 申请日： | 2005-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN1716526A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | 朴栽永;李丞镇;金荣敏 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;H05H1/00;H01J37/00;B08B5/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种清洗远程等离子体产生管的方法和用于使用远程等离子体产生管处理衬底的设备和方法，包括将清洗气体提供到用于产生远程等离子体的远程等离子体产生管中，远程等离子体产生管被连接到用于使用远程等离子体处理衬底的处理室，由清洗气体形成清洗等离子体，以及使用清洗等离子体除去在远程等离子体产生管内形成的颗粒。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 远程 等离子体 产生 方法 处理 衬底 设备 | ||
【主权项】：
1.一种清洗远程等离子体产生管的方法，包括：将清洗气体提供到用于产生远程等离子体的远程等离子体产生管中，远程等离子体产生管连接到用于使用远程等离子体处理衬底的处理室；由清洗气体形成清洗等离子体；以及使用清洗等离子体除去在远程等离子体产生管内形成的颗粒。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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