[发明专利]半导体装置及其制造方法、电光装置及其制造方法和电子设备

摘要

本发明的半导体装置的制造方法包括：在基板上形成多个导电层的工序；分别形成多个层间绝缘层的工序；对于多个层间绝缘层之中的下部层间绝缘层和上部层间绝缘层，形成贯通上部层间绝缘层到达下部层间绝缘层内的第1孔并且至少将位于第1孔内的上部层间绝缘层和下部层间绝缘层的界面的侧壁的一部分利用干蚀刻法形成的工序；形成至少将上述界面覆盖的保护膜的工序；通过形成了保护膜的第1孔使用蚀刻法形成贯通下部层间绝缘层的第2孔而形成接触孔的工序；以及通过接触孔将下部导电层和上部导电层相互电连接的工序。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：在基板上形成多个导电层的工序；以将上述多个导电层之中在上述基板上相对地在下层侧形成的下部导电层和相对地在上层侧形成的上部导电层间进行层间绝缘的方式分别形成多个层间绝缘层的工序；对于上述多个层间绝缘层之中相对地在下层侧形成的下部层间绝缘层和相对地在上层侧形成的上部层间绝缘层，形成贯通上述上部层间绝缘层到达上述下部层间绝缘层内的第1孔并且至少将位于上述第1孔内的上述上部层间绝缘层和上述下部层间绝缘层的界面的侧壁的一部分利用干蚀刻法形成的工序；形成将上述侧壁之中至少位于上述界面的一部分覆盖的保护膜的工序；通过形成了上述保护膜的上述第1孔使用蚀刻法形成贯通上述下部层间绝缘层的第2孔而形成到达位于上述下部层间绝缘层的下层的上述下部导电层的表面的接触孔的工序；以及通过上述形成的接触孔将上述下部导电层和上述上部导电层相互电连接的工序。