[发明专利]抗蚀图形形成方法、利用该方法的半导体装置及其曝光装置

摘要

在浸液曝光中，一种抑制抗蚀图形缺陷的抗蚀图形形成方法包括：将其上形成有抗蚀膜的衬底(10)和其上形成有图形的标线片(32)放置(ST205)到曝光装置上；在抗蚀膜上供给第一化学溶液，以在抗蚀膜上的局部区域中选择性地形成第一液体膜，并排出所述溶液，所述第一液体膜具有液流(72b、72d、72e)并形成于抗蚀膜和投影光学系统(33)之间；通过第一液体膜将标线片(32)的图形转移(ST206)到抗蚀膜以形成潜像；在抗蚀膜上供给(ST208)第二化学溶液，以清洁抗蚀膜；加热(ST210)抗蚀膜；以及显影(ST211)抗蚀膜，以从抗蚀膜形成抗蚀图形。

主权项

1.一种抗蚀图形形成方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底(10)上形成(ST202)抗蚀膜；将其上形成有所述抗蚀膜的所述衬底(10)和其上形成有图形的标线片(32)放置(ST205)到包括投影光学系统(33)的曝光装置上；在所述抗蚀膜上供给第一化学溶液，以在所述抗蚀膜的局部区域中选择性地形成第一液体膜，并排出所述供给的第一化学溶液，其中所述第一液体膜具有液流(72b、72d、72e)，所述第一液体膜形成于所述抗蚀膜和所述投影光学系统(33)之间；利用所述形成的第一液体膜，将形成于所述标线片(32)上的所述图形转移(ST206)到所述抗蚀膜，以在所述抗蚀膜中形成潜像；在所述抗蚀膜上供给(ST208)第二化学溶液，以在所述衬底(10)的基本整个表面上形成第二液体膜；除去(ST209)所述第二液体膜；在所述除去步骤(ST209)之后加热(ST210)其中形成有所述潜像的所述抗蚀膜；以及显影(ST211)所述抗蚀膜，以从所述加热的抗蚀膜形成抗蚀图形。