[发明专利]衬底表面清洗方法、薄膜制造方法、半导体装置及其制法有效
| 申请号： | 200410095762.0 | 申请日： | 2004-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN1638052A | 公开（公告）日： | 2005-07-13 |
| 发明（设计）人： | 原田雅道;五户成史 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/768;H01L21/3205;C23C16/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;叶恺东 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供低温形成低电阻的阻障膜以及低温下除去半导体衬底表面或金属膜表面的氧化物、氟化物、碳化物及氮化物的技术。真空槽(11)内放置催化物(21)加热，并向真空槽(11)内交互地导入原料气体和反应性气体，使吸附在被处理物(40)表面的原料气体和用催化物(21)分解反应性气体而生成的游离基进行反应，层叠薄膜。在低温下得到低电阻的阻障膜。反应性气体可为H2、NH3、SiH4等气体。另，真空气氛内放置催化物(21)加热，同时与化学成分中含氢的处理气体相接触，生成游离基。通过使被处理物的表面暴露在所述游离基，除去氧化物或氟化物等。由于生成的游离基为高反应性物质，即使在低温下也能高效地清洗被处理物。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 表面 清洗 方法 薄膜 制造 半导体 装置 及其 制法 | ||
【主权项】：
1.一种在配置于所述真空室内的被处理物表面上形成薄膜的薄膜制造方法，其特征在于该方法重复进行以下工序：真空室内导入薄膜的原料气体的原料气体导入工序，以及停止导入所述原料气体的状态下，在所述真空室内导入其化学成分中有氢元素的反应性气体，并使已加热的催化物与所述反应性气体接触的反应性气体导入工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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