[发明专利]一种用于厚膜印刷电路的光耦封装方法无效
| 申请号： | 200410080416.5 | 申请日： | 2004-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN1758422A | 公开（公告）日： | 2006-04-12 |
| 发明（设计）人： | 李素云 | 申请（专利权）人： | 北京七星华创电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100061*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于厚膜印刷电路的光耦封装方法，对分布在厚膜印刷电路上的光耦裸芯片用三层绝缘胶使用涂覆方式进行封装；第一层为透明胶，覆盖住印刷电路上的金丝及光耦裸芯片，固化温度自室温开始逐渐升温至125℃，固化时间为2小时，然后涂覆第二层散射胶，所述散射胶的厚度为0.1毫米－1毫米，固化温度自室温开始逐渐升温至125℃，固化时间为2小时；最后涂覆第三层遮光胶，所述遮光胶的厚度为0.1毫米－1毫米，固化温度自室温开始逐渐升温至125℃，固化时间为2小时。本发明的有益效果是，为厚膜电路提供了一种新的封装技术，解决了封装壳内厚膜电路上多个光耦之间彼此干扰的难题，并且能防止因封装材料的应力过大而将金丝拉断。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 印刷电路 封装 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于厚膜印刷电路的光耦封装方法，其特征在于：对分布在厚膜印刷电路上的光耦裸芯片用三层绝缘胶使用涂覆方式进行封装；第一层为透明胶，覆盖住印刷电路上的金丝及光耦裸芯片，固化温度自室温开始逐渐升温至125℃，固化时间为2小时，然后涂覆第二层散射胶，所述散射胶的厚度为0.1毫米-1毫米，固化温度自室温开始逐渐升温至125℃，固化时间为2小时；最后涂覆第三层遮光胶，所述遮光胶的厚度为0.1毫米-1毫米，固化温度自室温开始逐渐升温至125℃，固化时间为2小时。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
