[发明专利]高效能臭氧水清洗半导体晶圆的系统及其方法有效

专利信息
申请号: 200410070745.1 申请日: 2004-07-23
公开(公告)号: CN1649100A 公开(公告)日: 2005-08-03
发明(设计)人: 王文;顾洋 申请(专利权)人: 王文
主分类号: H01L21/302 分类号: H01L21/302;H01L21/304;H01L21/306;B08B3/04
代理公司: 北京元中知识产权代理有限责任公司 代理人: 汪诚芝;孙念萱
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明是有关一种高效能臭氧水清洗半导体晶圆的系统及其方法,该方法主要利用超纯水与气相臭氧,在具有重力场的一机构环境中的气、液溶解结合制程、清洗溶液浓度动态分析制程与资料馈控技术,包含高浓度大流量液相臭氧水的制作为清洗溶液、晶圆清洗同时对溶液中臭氧、添加剂浓度与水温的动态监测,和监测值分析馈送并反应进行调整控制运作,而在维持有效晶圆表面清洗能力下,进行连续式快速的大量晶圆清洗。该系统包含一液相臭氧生成机构、一储槽或清洗槽、一添加剂供应机构、一监控机构及一自动馈控机构。
搜索关键词: 高效能 臭氧 清洗 半导体 系统 及其 方法
【主权项】:
1.一种高效能臭氧水清洗半导体晶圆的系统,是用以配合半导晶圆进行连续式大量清洗的系统,该系统架构包含:一液相臭氧生成机构,进行超纯水与气相臭氧的重力场高质传接触溶解环境,以获得高臭氧液相溶解的晶圆清洗溶液;一清洗槽,管路连结前述液相臭氧生成机构取得清洗溶液与储置,并提供晶圆浸入清洗的空间;一添加剂供应机构,连结前述清洗槽,受控进行添加剂的添加;一监控机构,布设于前述清洗槽中,在清洗过程中实时侦测清洗溶液各种应用参数,并回馈该资料于一自动馈控机构;一自动馈控机构,输入并记忆溶液应用参数设定值;并接受前述监控机构侦测回馈的各种参数资料,实时的进行收集与分析、比对设定标准值,同时对于比对结果作出迅速的反应机制,进而迅速调整各项操作参数,以维持溶液具有最佳氧化分解能力,保持最有效对晶圆表面的有机物(如光阻)或其它氧化层的移除,更可以用以大量且连续式的清洗晶圆。
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