[发明专利]高效能臭氧水清洗半导体晶圆的系统及其方法有效
申请号: | 200410070745.1 | 申请日: | 2004-07-23 |
公开(公告)号: | CN1649100A | 公开(公告)日: | 2005-08-03 |
发明(设计)人: | 王文;顾洋 | 申请(专利权)人: | 王文 |
主分类号: | H01L21/302 | 分类号: | H01L21/302;H01L21/304;H01L21/306;B08B3/04 |
代理公司: | 北京元中知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 汪诚芝;孙念萱 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明是有关一种高效能臭氧水清洗半导体晶圆的系统及其方法,该方法主要利用超纯水与气相臭氧,在具有重力场的一机构环境中的气、液溶解结合制程、清洗溶液浓度动态分析制程与资料馈控技术,包含高浓度大流量液相臭氧水的制作为清洗溶液、晶圆清洗同时对溶液中臭氧、添加剂浓度与水温的动态监测,和监测值分析馈送并反应进行调整控制运作,而在维持有效晶圆表面清洗能力下,进行连续式快速的大量晶圆清洗。该系统包含一液相臭氧生成机构、一储槽或清洗槽、一添加剂供应机构、一监控机构及一自动馈控机构。 | ||
搜索关键词: | 高效能 臭氧 清洗 半导体 系统 及其 方法 | ||
【主权项】:
1.一种高效能臭氧水清洗半导体晶圆的系统,是用以配合半导晶圆进行连续式大量清洗的系统,该系统架构包含:一液相臭氧生成机构,进行超纯水与气相臭氧的重力场高质传接触溶解环境,以获得高臭氧液相溶解的晶圆清洗溶液;一清洗槽,管路连结前述液相臭氧生成机构取得清洗溶液与储置,并提供晶圆浸入清洗的空间;一添加剂供应机构,连结前述清洗槽,受控进行添加剂的添加;一监控机构,布设于前述清洗槽中,在清洗过程中实时侦测清洗溶液各种应用参数,并回馈该资料于一自动馈控机构;一自动馈控机构,输入并记忆溶液应用参数设定值;并接受前述监控机构侦测回馈的各种参数资料,实时的进行收集与分析、比对设定标准值,同时对于比对结果作出迅速的反应机制,进而迅速调整各项操作参数,以维持溶液具有最佳氧化分解能力,保持最有效对晶圆表面的有机物(如光阻)或其它氧化层的移除,更可以用以大量且连续式的清洗晶圆。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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