[发明专利]激光结晶系统和控制准分子激光退火制程能量密度的方法有效
申请号: | 200410049329.3 | 申请日: | 2004-06-11 |
公开(公告)号: | CN1553477A | 公开(公告)日: | 2004-12-08 |
发明(设计)人: | 曹义昌;吴焕照;林文章;张志雄 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/20;H01L21/324;H01L21/66;B23K26/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 蒲迈文;黄小临 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种激光结晶系统和一种实时控制准分子激光退火程序能量密度的方法。该激光结晶系统包含有一准分子激光退火装置与一光学检测装置。该实时控制准分子激光退火程序的能量密度的方法,包含有利用进行一最佳能量密度决定程序,以决定出一最佳能量密度,以及利用该最佳能量密度的准分子激光来进行一准分子激光退火程序。 | ||
搜索关键词: | 激光 结晶 系统 控制 准分子激光 退火 能量 密度 方法 | ||
【主权项】:
1.一种具有光学检测暨激光能量密度校正功能的激光结晶系统,该激光结晶系统包含有:一准分子激光退火装置,该准分子激光退火装置可执行一最佳能量密度决定程序及一准分子激光退火程序,其中该最佳能量密度程序用来决定准分子激光的一最佳能量密度,而该准分子激光退火程序依据该最佳能量密度利用准分子激光将一基板表面的非晶硅转换成多晶硅;以及一光学检测装置,用来在该最佳能量密度决定程序中检测出该最佳能量密度,并在该准分子退火程序中判断出该基板表面的多晶硅的结晶状态是否良好,该光学检测装置包含有:一光源产生器,用来产生一可见光以照射该基板表面;一影像接收器,用来撷取该基板表面所呈现的反射影像;以及一数据处理系统,与该准分子激光退火装置相连接,用以接收该影像接收器所检测出的信息,并根据所述信息控制该准分子退火装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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