[发明专利]800nm布拉格反射镜式半导体可饱和吸收镜无效
| 申请号： | 200410046497.7 | 申请日： | 2004-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN1707292A | 公开（公告）日： | 2005-12-14 |
| 发明（设计）人： | 王勇刚;马骁宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02B1/11 | 分类号： | G02B1/11;H01S3/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种800nm布拉格反射镜式半导体可饱和吸收镜，包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一布拉格反射镜，该布拉格反射镜制作在缓冲层上，形成一高反射率的反射镜；一量子阱，该量子阱制作在布拉格反射镜上，形成第一吸收区；该第一吸收区采用界于低温和常温之间温度生长的吸收区，非饱和损耗较小；该第一吸收区也兼作为载流子弛豫区；一盖层，该盖层制作在量子阱上，兼作第二吸收区，该盖层与空气间高密度的表面态是载流子弛豫的通道，作为载流子第二弛豫区。 | ||
| 搜索关键词： | 800 nm 布拉格 反射 半导体 饱和 吸收 | ||
【主权项】：
1、一种800nm布拉格反射镜式半导体可饱和吸收镜，其特征在于，包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一布拉格反射镜，该布拉格反射镜制作在缓冲层上，形成一高反射率的反射镜；一量子阱，该量子阱制作在布拉格反射镜上，形成第一吸收区；该第一吸收区采用界于低温和常温之间温度生长的吸收区，非饱和损耗较小；该第一吸收区也兼作为载流子弛豫区；一盖层，该盖层制作在量子阱上，兼作第二吸收区，该盖层与空气间高密度的表面态是载流子弛豫的通道，作为载流子第二弛豫区。
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- 专利分类
- 一种海洋探测用395nm532nm636nm790nm1064nm七波长激光器
- 一种海洋探测用435nm533nm661nm870nm1064nm七波长激光器
- 一种海洋探测用500nm533nm695nm1000nm1064nm七波长激光器
- 一种海洋探测用510nm533nm700nm1020nm1064nm七波长激光器
- 一种海洋探测用485nm533nm687nm970nm1064nm七波长激光器
- 一种海洋探测用520nm515nm689nm1040nm1030nm七波长激光器
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