[发明专利]负电压译码电路有效

专利信息
申请号: 03156367.8 申请日: 2003-09-05
公开(公告)号: CN1494215A 公开(公告)日: 2004-05-05
发明(设计)人: 段志刚;潘立阳;伍冬;朱钧 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: H03K19/0185 分类号: H03K19/0185;G11C16/16
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100084北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 负电压译码电路属于混合信号处理集成电路和不挥发存储器电路设计技术领域。其特征是,第一级负电压电平转换电路含有:两个分别由PMOS管和NMOS管构成的反相器,这两个反相器的输入端和输出端彼此连接构成输出电压的正反馈通道,输出正高压由其中一个反相器的PMOS管传输,负低压由NMOS管传输;一个工作在输入电压下的CMOS反相器,使其两边的支路电流不对称;两个反相器的初始输入电压由两个栅极接地的PMOS管确定。还有一个读取放电通路,使正常读取时输出的地电平由栅极接正高压的NMOS管传输,避免了由PMOS管传输的损失。本发明电平转换速度快,增加了缩小晶体管尺寸的能力,没有正常读取时地电平传输的损失。
搜索关键词: 电压 译码 电路
【主权项】:
1、负电压译码电路,含有:第一级负电压电平转换电路:把输入的正电压电平和零电平转换为一个负低电压电平和正电压电平,并输出给所述第二级电平移动电路;第二级电平移动电路:把输入的负低电压电平和正电压电平转换为零电平和负低电压电平,并输出给所述第三级负电压电平转换电路;第三级负高压电平转换电路:将输入的零电平和负低电压电平转换为负高压电平和零电平输出;其特征在于,所述第一级负电压电平转换电路含有:CMOS反相器(407):其输入端连接输入电压;第一个反相器:由PMOS管(404)和NMOS管(401)构成,连接在CMOS反相器(407)的输入端和负高压输入端之间;第二个反相器:由PMOS管(403)和NMOS管(402)构成,连接在CMOS反相器(407)的输出端和负高压输入端之间,其输出端是所述第一级负电压电平转换电路的输出端;该输出端输出的高电平是由PMOS管(403)传输的,该输出端输出的低电平是由NMOS管(402)传输的;所述第一个反相器的输入端连接第二个反相器的输出端,第一个反相器的输出端连接第二个反相器的输入端,使第一个反相器和第二个反相器成为输出电压的正反馈通道;在CMOS反相器(407)的输入端和第二个反相器的输入端之间连接一个栅极接地的PMOS管(405),以提供第二个反相器的初始电压;在CMOS反相器(407)的输出端和第一个反相器的输入端之间连接一个栅极接地的PMOS管(406),以提供第一个反相器的初始电压。
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