[发明专利]阳极氧化装置、阳极氧化方法无效
| 申请号： | 02805687.6 | 申请日： | 2002-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN1494736A | 公开（公告）日： | 2004-05-05 |
| 发明（设计）人： | 八木靖司;青木一二;牛岛满 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3063 | 分类号： | H01L21/3063;C25F3/12;C25F7/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种阳极氧化装置及阳极氧化方法，对被处理基板的被处理部的光照射均匀，由此在被处理基板面内能进行更均匀的阳极氧化处理。其具备：放射光的灯；设置于放射的光到达的位置上、可以保持被处理基板的被处理基板保持部；设置于放射的光到达被处理基板的途中、具有用于使光通过的开口部并具有不透过光的导体部的阴极电极；使阴极电极、上述灯或被处理基板保持部的空间位置周期振动的振动机构。维持灯、阴极电极、保持被处理基板的被处理基板保持部的这三者的大概位置关系，使其中的至少一个的空间位置周期地振动，由此，阴极电极的影子在被处理基板上随时间的推移而分散。 | ||
| 搜索关键词： | 阳极 氧化 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种阳极氧化装置，其特征在于：具备：放射光的灯；设置于所述放射的光到达的位置上、可以保持被处理基板的被处理基板保持部；设置于所述放射的光到达所述保持的被处理基板的途中、具有用于使所述光通过的开口部并具有不透过所述光的导体部的阴极电极；使所述阴极电极、所述灯或所述被处理基板保持部的空间位置周期振动的振动机构。
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- 本发明提供了用于去除掩蔽材料例如光致抗蚀剂的方法和通过去除掩蔽材料形成的电子器件。例如，用于去除掩蔽材料的方法包括将掩蔽材料与包含铈和至少一种其它氧化剂的溶液接触。铈可以包含在盐中。盐可以是硝酸铈铵。所述至少一种其它氧化剂可以是含有锰、钌、和/或锇的化合物。
- 半导体的电化学蚀刻-201110463350.8
- G·哈姆;J·A·里斯;G·R·奥拉德伊斯 - 罗门哈斯电子材料有限公司
- 2011-12-13 - 2012-08-01 - H01L21/3063
- 在包含氟氢化物源与镍离子的溶液中对半导体进行电化学刻蚀。该电化学刻蚀可在该半导体的表面中形成纳米范围的孔。之后对该刻蚀后的半导体镀覆镍。
- 降低的各向同性蚀刻剂材料消耗及废料产生-201080039039.4
- 史蒂文·T·迈尔;戴维·波特 - 诺发系统有限公司
- 2010-08-30 - 2012-05-30 - H01L21/3063
- 本发明描述用于从工件各向同性蚀刻金属、同时回收且重新构成化学蚀刻剂的方法及设备。各种实施例包含用于蚀刻的设备及方法，其中以连续回路再循环方案再利用所述经回收且重新构成的蚀刻剂。可实现稳定状态条件，其中反复重复这些工艺，且偶尔排出及进料，以补充试剂及/或调整参数，例如pH、离子强度、盐度及诸如此类。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
