[发明专利]半导体装置及其制造方法无效

专利信息
申请号: 02160408.8 申请日: 2002-12-31
公开(公告)号: CN1433252A 公开(公告)日: 2003-07-30
发明(设计)人: 西本贤二;片桐光昭 申请(专利权)人: 株式会社日立制作所
主分类号: H05K1/00 分类号: H05K1/00;H05K1/02;H01L21/60;H01L23/52
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 付建军
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摘要: 发明提供一种半导体装置及其制造方法。尤其提供一种多芯片模块,将利用晶片制造工序形成外部连接端子的存储芯片安装在布线基板时或安装后,可改变上述存储芯片的功能。准备包含电源电压布线(6)及接地电位布线(6)的布线(6)的图案不同的两种模块基板,在这两种模块基板上安装存储芯片(2)及控制芯片(3),从而使用同一存储芯片(2)实现字结构或动作模式等功能不同的两种多芯片模块。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体装置,具有在布线基板上安装有包含存储芯片的多个半导体芯片的多芯片模块结构,其特征在于:上述存储芯片具有:包含多个存储元件的集成电路、电连接于上述集成电路的多个电极、覆盖上述集成电路且使上述多个电极露出而形成的绝缘层、形成在上述绝缘层上部且与上述多个电极分别电连接的多条布线、以及形成在上述绝缘层上部且与上述多条布线分别电连接的多个外部连接端子;上述多个外部连接端子包含相应于输入信号的电压电平,将上述集成电路的特定功能切换的功能切换用外部连接端子;通过经由上述布线基板将特定的电压电平的信号供给到上述存储芯片的上述功能切换用外部连接端子,将上述集成电路的特定功能切换。
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