[发明专利]光刻胶掩模及其制作方法无效
| 申请号： | 02153956.1 | 申请日： | 2002-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN1506759A | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | 侯德胜;冯伯儒;张锦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人： | 刘秀娟 |
| 地址： | 610209*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 光刻胶掩模及其制作方法，该掩模由透明基片上的光刻胶膜层构成，利用光刻胶膜层对不同波长入射光的透过率不同的特性，选用对曝光波长透过率低的光刻胶膜层直接作为掩蔽层，该光刻胶掩蔽层对曝光光束的透过率在5％以内。其制作方法是将选用的光刻胶按实验确定的厚度用匀胶机均匀涂敷在玻璃或石英等透明基片上，做成光刻胶版；再对光刻胶版进行曝光、显影等工艺处理后制成有图形的实用掩模。该掩模结构简单，制作容易，成本低，且对环境不造成污染，采用该掩模可达到与普通铬掩模相同的光刻分辨力。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 胶掩模 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1、光刻胶掩模，其特征在于：包括基片和其上均匀涂敷的光刻胶膜层。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
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