[发明专利]剥离方法以及制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 02149562.9 | 申请日： | 2002-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN1409374A | 公开（公告）日： | 2003-04-09 |
| 发明（设计）人： | 高山彻;丸山纯矢;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明,梁永 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种能够避免损坏待剥离层的剥离方法。因此，不仅具有小面积的待剥离层而且具有大面积的待剥离层都能够以很高的生产量实现整个表面地剥离。在剥离之前执行用于部分地减小第一材料层(11)和第二材料层(12)之间接触性质的处理过程(激光辐照，施加压力等)，而后利用物理手段执行剥离。因此，能够容易地在第二材料层(12)的内部部分或其界面处实现充分分离。 | ||
| 搜索关键词： | 剥离 方法 以及 制造 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种从基底剥离待剥离层的方法，包括：在基底上设置第一材料层，并且形成待剥离层，所述待剥离层由至少包括第二材料层的叠层构成，所述第二材料层与第一材料层相接触并位于设置有第一材料层的基底的上方；执行用于部分地减小第一材料层和第二材料层之间接触性质的处理步骤；而后利用物理手段作用于第二材料层的内部部分和界面中之一上，从在其上设置有第一材料层的基底剥离待剥离层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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