[发明专利]垂直沟道场效应晶体管及制备方法有效
| 申请号： | 02129384.8 | 申请日： | 2002-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN1399349A | 公开（公告）日： | 2003-02-26 |
| 发明（设计）人： | 刘金华;刘文安;黄如;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京华一君联专利事务所 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多晶硅作源端的具有垂直沟道结构的场效应晶体管，及它的制备方法。本发明的垂直沟道场效应晶体管，其特征在于用多晶硅作器件的源端。有效的节省了有源区的面积，更好的控制了器件的沟道长度，工艺中降低了硅台刻蚀的高度，避免了多晶硅刻蚀过程中因硅台高度高而可能出现的断裂，降低了工艺难度。并且采用多晶硅作源端，可以很容易和双极器件集成，为实现BiCMOS提供了一个很好的途径。可作为半导体器件广泛应用于集成电路技术领域。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 沟道 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种垂直沟道场效应晶体管，其特征在于用多晶硅作器件的源端。
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