[发明专利]非晶硅结晶法有效
| 申请号： | 02122832.9 | 申请日： | 2002-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN1396317A | 公开（公告）日： | 2003-02-12 |
| 发明（设计）人： | 梁明秀 | 申请（专利权）人： | LG菲利浦LCD株式会社 |
| 主分类号： | C30B28/02 | 分类号： | C30B28/02;C30B29/06;G02F1/13;H01L21/20;H01L21/36 |
| 代理公司： | 隆天国际专利商标代理有限公司 | 代理人： | 徐金国,陈红 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种掩模和其在非晶硅连续横向固化(SLS)结晶方法中的应用。该掩模包括一个用于阻挡激光束的光吸收部分，和具有层叠图案的多个第一梯形光透射部分和具有层叠图案的第二梯形光透射部分，其中第一和第二梯形光透射部分允许激光束通过并包括多个相邻的矩形图案。第二光透射部分位于第一光透射部分之间并具有少于第一光透射部分的梯形图案数。操作中，在用激光束进行SLS结晶时，掩模横向移动一段不大于梯形图案宽度的距离。第一和第二光透射部分控制晶粒的生长，从而可形成高质量的多晶硅。 | ||
| 搜索关键词： | 非晶硅 结晶 | ||
【主权项】：
1.一种结晶非晶硅膜的方法，包括：在衬底上形成一非晶硅膜；用一束穿过掩模的激光束照射非晶硅膜，以形成横向生长的晶粒；相对于衬底横向移动掩模；和进行第二次结晶，以在结晶的硅颗粒区域附近使横向生长的晶粒继续生长；其中掩模包括一个用于阻挡激光束的光吸收部分，和具有层叠图案的多个第一梯形光透射部分和具有层叠图案的第二梯形光透射部分，其中第一和第二梯形光透射部分允许激光束通过，第二光透射部分位于第一光透射部分之间，每个层叠部分具有固定的宽度；其中将掩模相对于衬底横向移动一段相当于每个层叠部分宽度的距离；和其中穿过掩模的激光束使非晶硅膜熔化成液态硅，其中由横向生长晶粒和结晶的硅颗粒组成的多个晶粒生长区通过固化液态硅而形成，并且通过从液态硅和固态硅之间的界面横向生长形成横向生长的晶粒。
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