专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]显示装置-CN202210851216.3在审
  • 金根佑;姜泰旭;金长玄;裵俊佑;李在燮;陈东奎;崔相虔 - 三星显示有限公司
  • 2022-07-19 - 2023-01-24 - G09G3/32
  • 本发明提供了显示装置。该显示装置包括:第一晶体管;第二晶体管,电连接到第一晶体管;n个第三晶体管,电连接到第一晶体管的栅极并且彼此串联连接;电容器,被配置为以与数据信号相对应的电压被充电;以及发光元件,其中,n个第三晶体管中的每一个包括包含沟道区、源区和漏区的半导体区以及与沟道区重叠的栅极,其中,较靠近第一晶体管的栅极并且属于最靠近第一晶体管的栅极的第三晶体管的源区或漏区包括第一区以及在第一区与沟道区之间的第二区,第二区具有比第一区的掺杂浓度低的掺杂浓度并且具有比第一区的宽度小的宽度。
  • 显示装置
  • [发明专利]显示装置及显示装置的制造方法-CN202210497547.1在审
  • 徐宗吾;金长玄;郑在祐;崔锺勳 - 三星显示有限公司
  • 2022-05-09 - 2023-01-24 - H10K59/123
  • 提供一种显示装置及显示装置的制造方法。所述显示装置包括:基板;半导体层,布置于所述基板上,并且包括第一晶体管的沟道及第二晶体管的沟道;第一绝缘层,布置于所述半导体层上;以及第一导电层,布置于所述第一绝缘层上,并且包括所述第一晶体管的栅极电极及所述第二晶体管的栅极电极,其中,所述第一晶体管的所述沟道及所述第二晶体管的所述沟道包括第一杂质离子,所述第一晶体管的所述沟道还包括与所述第一杂质离子不同的第二杂质离子。
  • 显示装置制造方法
  • [实用新型]显示装置-CN202221861370.0有效
  • 金根佑;姜泰旭;金长玄;裵俊佑;李在燮;陈东奎;崔相虔 - 三星显示有限公司
  • 2022-07-19 - 2022-12-23 - G09G3/32
  • 本实用新型提供了显示装置。该显示装置包括:第一晶体管;第二晶体管,电连接到第一晶体管;n个第三晶体管,电连接到第一晶体管的栅极并且彼此串联连接;电容器,被配置为以与数据信号相对应的电压被充电;以及发光元件,其中,n个第三晶体管中的每一个包括包含沟道区、源区和漏区的半导体区以及与沟道区重叠的栅极,其中,较靠近第一晶体管的栅极并且属于最靠近第一晶体管的栅极的第三晶体管的源区或漏区包括第一区以及在第一区与沟道区之间的第二区,第二区具有比第一区的掺杂浓度低的掺杂浓度并且具有比第一区的宽度小的宽度。
  • 显示装置
  • [发明专利]显示设备和制造该显示设备的方法-CN202010098510.2在审
  • 金雄植;姜泰旭;朴廷敏;秋惠容;姜勳;姜贤株;金长玄 - 三星显示有限公司
  • 2020-02-18 - 2020-09-01 - H01L27/32
  • 提供了一种显示设备和制造该显示设备的方法。在制造该显示设备的方法中,所述方法包括:提供第一母基底;在第一母基底上形成包括发光器件的像素层;提供第二母基底;在第二母基底上形成被构造为使从发光器件发射的光衍射的衍射图案层;通过结合第一母基底和第二母基底来形成结合的基底结构,像素层形成在第一母基底上,衍射图案层形成在第二母基底上;通过切割结合的基底结构来形成均包括第一基底和第二基底的多个单元基底结构,像素层形成在第一基底上,衍射图案层形成在第二基底上;在衍射图案层上形成保护构件;以及用保护构件去除衍射图案层上的异物。
  • 显示设备制造方法

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