[发明专利]半导体元件的线的制造方法有效
| 申请号： | 02106043.6 | 申请日： | 2002-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN1450596A | 公开（公告）日： | 2003-10-22 |
| 发明（设计）人： | 郭东政 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体元件的线的制造方法，提供具有一沉积层的基底，随后于沉积层上形成一光阻层。接着，使用一光罩施行一微影工艺，以图案化光阻层，其中此一光罩是考虑到近接效应与蚀刻的微负载效应而设计出来的。然后，以图案化光阻层作为蚀刻罩幕，进行一蚀刻工艺，借以形成数条线。由于在图案化光阻层时一并考虑到近接效应与其后的蚀刻工艺所带来的微负载效应，所以在经过蚀刻工艺后，可将图案密度较高的区域与图案密度较低的区域的线宽差异缩至最小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体元件的线的制造方法，其特征是，该方法包括：提供具有一层的一基底；于该层上形成一光阻层；使用一光罩施行微影工艺，以图案化该光阻层，其中该光罩是考虑到近接效应与蚀刻的微负载效应而设计的；以被图案化的该光阻层作为蚀刻罩幕，对该层进行一蚀刻工艺，借以形成多条线；以及去除被图案化的该光阻层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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