[发明专利]硅内沟道结构底部的厚氧化层有效
| 申请号： | 01814216.8 | 申请日： | 2001-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN1447986A | 公开（公告）日： | 2003-10-08 |
| 发明（设计）人： | H·W·赫斯特;J·J·默非 | 申请（专利权）人： | 费查尔德半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/768 | 分类号： | H01L29/768 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 张政权 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的栅极绝缘结构和制作该结构的一种方法，该方法提供硅衬底内的沟道(10)，其中沟道的侧壁(11)和底部(17)上形成一个介质层，该介质层在侧壁上具有第一厚度且在底部具有比第一厚度大的第二厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 结构 底部 氧化 | ||
【主权项】：
1.一个半导体器件的栅极绝缘结构，其特征在于包括：硅衬底内的一个沟道；以及在沟道的侧壁和底部上形成的一个介质层，该介质层在侧壁上具有第一厚度且在底部具有比第一厚度大的第二厚度。
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