[发明专利]激光电路形成方法以及形成的激光电路无效
| 申请号： | 01117844.2 | 申请日： | 2001-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN1332473A | 公开（公告）日： | 2002-01-23 |
| 发明（设计）人： | G·E·小得基茨;W·R·亥福纳;P·帕瑞延斯尔;P·J·卡罗尔;R·C·穆萨阿 | 申请（专利权）人： | 阿吉尔系统光电子学监护股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/283;H01L21/3205;H01S5/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 李湘 |
| 地址： | 美国佛*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 利用在半导体盖层上形成的薄的纯金属层作为初始层,本发明提供了多层吸附接触金属镀敷结构的新的接触结构和方法。在接触结构的形成过程中,这个薄金属层与盖层发生反应,并且所形成的反应层俘获在盖层内和附近的金属层中扩散的可移动杂质和自填隙子,从而防止了进一步迁移到半导体器件的有源区。该接触金属镀敷结构是由纯金属层形成的,这些纯金属层相互之间以及与下面的半导体盖层之间是相容的,这样,反应的深度可最小化并且可通过所施加的金属层的厚度来控制。薄的半导体盖层,诸如厚度小于200nm的InGaAs盖层,可在本发明中与厚度为10nm或更小的非常薄的纯金属层一起使用,从而使得能够提高半导体光电子器件的集成度。此外,由于在欧姆接触中使用纯金属层,这样在接触形成过程中所引入的杂质要比已有技术的合金接触要少。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 电路 形成 方法 以及 | ||
【主权项】：
1.一种多层吸附接触金属镀敷结构，包括：一个半导体盖层；和一个在所述盖层上形成的低穿透性电接触结构，它包括多个金属层，至少其中一个层与所述盖层反应，以从所述盖层中去除可移动杂质和自填隙子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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