[发明专利]应用于低供应电压的充电泵电路有效

专利信息
申请号: 01110405.8 申请日: 2001-04-02
公开(公告)号: CN1153341C 公开(公告)日: 2004-06-09
发明(设计)人: 林泓均;张凯勋;王是琦 申请(专利权)人: 华邦电子股份有限公司
主分类号: H02M3/07 分类号: H02M3/07;H02M3/02;H02M3/00
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 程伟
地址: 中国*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种应用于低供应电压充电泵电路,是在Dickson充电泵电路每一级中,在原有晶体管栅极上由另一子充电泵电路提供一偏压且在基底与源极间加入一个第一晶体管,以消除基底效应。亦在原有晶体管栅极与漏极间加入一个第二晶体管,以消除电荷回充问题。因此,此充电泵电路可利用低供应电压而提供一较高正向或负向电压,而同时消除Dickson充电泵电路中问题。
搜索关键词: 应用于 供应 电压 充电 电路
【主权项】:
1.一种应用于低供应电压的充电泵电路,其特征在于:该充电泵电路包括:多个第一晶体管,每一第一晶体管的源极与另一第一晶体管的漏极连接,使该等第一晶体管串连,首端的第一晶体管的漏极连接接收一供应电压,而尾端的第一晶体管的源极是该充电泵电路一输出端,且该尾端第一晶体管的栅极与漏极连接;多个第二晶体管,每一第二晶体管唯一对应于非首端及尾端的每一第一晶体管,每一第二晶体管的漏极与栅极相连且连接至相对第一晶体管的栅极,而每一第二晶体管的源极与基底相连且连接至相对第一晶体管的漏极;多个第三晶体管,每一第三晶体管唯一对应于每一第一晶体管,每一第三晶体管的基底与源极相连且连接至相对第一晶体管的基底,而每一第三晶体管的漏极连接至相对第一晶体管的源极,该对应于该首端第一晶体管之第三晶体管的栅极连接至一时钟信号,而其余每一第三晶体管的栅极连接至相对第一晶体管的漏极;多个电容,每一电容唯一对应于非首端的每一第一晶体管,该电容的一端连接至相对第一晶体管的漏极,另一端则以交错排列的方式连接至该时钟信号或该时钟信号之反向信号;一子充电泵电路,提供偏压至每一第一晶体管的栅极。
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