[发明专利]磁阻元件的生产方法和装置,生产控制与估值软件和系统有效
| 申请号： | 00118848.8 | 申请日： | 2000-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN1284710A | 公开（公告）日： | 2001-02-21 |
| 发明（设计）人： | 茨田和弘;山口正雄;佐佐木正博 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39;B24B49/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 罗朋,张志醒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于制造磁换能器的方法和装置和用于制造其磁阻元件特性的变化和在分布的中值变化可以被降低的方法和装置。在开始抛光之前,获取包含对最终MR阻值具有影响的,在晶片阶段的各种因素的信息,并通过使用统计机制来由该信息计算S值。在抛光步骤中,以规律的间隔来获取包含对最终MR阻值具有影响的,在抛光阶段的各类因素的信息。并使用统计机制来计算K值。接着,由S值和K值来计算在抛光步骤中的MR阻值估计值。当MR阻值估计值达到目标阻值时,停止抛光。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 元件 生产 方法 装置 控制 软件 系统 | ||
【主权项】：
1．用于制造一种具有其阻值响应于外部磁场的变化而变化的磁感应性层的磁换能器的方法，包括：在预定基底上选择性地形成一个磁感应性层的薄膜形成步骤；在进行抛光之前，获取作为基底信息的，关于至少基底或形成在基底上的至少包括磁敏层的结构的信息的结构信息获取步骤；将基底切割为多个条的切割步骤，其中每一条至少包括磁敏层；和对条进行抛光的抛光步骤；其中抛光步骤至少基于基底信息来控制对条的抛光，使得包括在条中的磁敏层具有预定的目标阻。
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