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[发明专利]一种石墨烯量子点/纳米硅锂离子电池负极材料的制备方法-CN201610082027.9在审
发明人：李在均;孔丽娟;李瑞怡 -专利权人：江南大学
申请日： 2016-02-05 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明以柠檬酸和氨基酸的混合物为碳源经高温热解制备氨基酸功能化石墨烯量子点，然后将石墨烯量子点涂覆于纳米硅粒子表面得到石墨烯量子点/纳米硅复合物。研究表明，石墨烯量子点的引入提高了硅负极的电子/离子传导性，复合物作为锂离子电池负极材料具有显著改善的比电容量、高倍率性能和循环稳定性，可广泛用于各种大容量锂离子电池。
一种石墨量子纳米锂离子电池负极材料制备方法

[发明专利]防水可拆卸电池、电池仓以及电子设备-CN201510881070.7在审
发明人：杜兴 -专利权人：杜兴
申请日： 2015-12-03 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H01M2/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种可以防水的可拆卸电池、电池仓以及电子设备。可拆卸电池包括：具有连接接口的壁；以及防水框，设置在所述壁上围绕所述连接接口。电池仓包括：具有连接接口的壁；以及防水框，设置在所述壁上围绕所述连接接口。电子设备包括：电池仓，具有第一连接接口；可拆卸电池，具有第二连接接口，所述可拆卸电池容纳在所述电池仓中，所述第一连接接口与所述第二连接接口相连接；以及防水框，设置在所述可拆卸电池的壁与所述电池仓的壁之间并围绕所述第一连接接口和所述第二连接接口。所述防水框由弹性防水材料制成。
防水可拆卸电池以及电子设备

[发明专利]OLED器件的封装结构及显示装置-CN201610119026.7在审
发明人：肖昂;申铉喆;孙泉钦;王向楠;崔富毅 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
申请日： 2016-03-02 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明公开一种OLED器件的封装结构及显示装置，属于OLED器件封装领域。封装结构包括：包覆在OLED器件外侧的多个膜层，多个膜层包括：交替叠加的无机层和有机层，多个膜层中位于多个膜层的内侧和外侧的膜层都为无机层；与OLED器件接触的无机层包括依次叠加的至少两个亚膜层，至少两个亚膜层中与有机层接触的亚膜层的形成材料与形成有机层的有机材料的接触角小于预设角度。本发明解决了有机层上容易形成小孔类不良，封装结构无法将OLED器件与空气中的水、氧气等成分有效隔离，影响OLED器件的使用寿命的问题，达到了避免有机层上形成小孔类不良，保证OLED器件的使用寿命的效果。本发明用于OLED器件的封装。
oled 器件封装结构显示装置

[发明专利]一种变色OLED器件及其制备方法-CN201610187049.1在审
发明人：徐汀;何谷峰;孟鸿 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2016-03-29 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开一种变色OLED器件及其制备方法。其中，所述变色OLED器件包括ITO玻璃，所述ITO玻璃上从里至外依次附着有空穴注入层、空穴传输层、第一超薄发光层、中间能量转移调控层、第二超薄发光层、电子传输层、电子注入层、阴极电极；所述第一超薄发光层和第二超薄发光层为颜色不同的发光材料，所述中间能量转移调控层为主体有机材料。本发明所提供的变色OLED器件，其采用两种超薄发光体，使用物理气象沉积法制备而成，所制备的OLED器件可实现色域可调范围宽，并且该OLED器件具有效率高、低滚降、开启电压低的特点。
一种变色 oled 器件及其制备方法

[发明专利]有机发光二极管-CN201510777532.0在审
发明人：金东赞;金元钟;金应道;徐东揆;林多慧;任相薰;秋昌雄 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2015-11-13 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：一种有机发光二极管，所述有机发光二极管包括面向彼此的第一电极和第二电极；在所述第一电极和所述第二电极之间的发光层；和在所述第一电极和所述发光层之间的空穴传输层，其中，所述空穴传输层包含有机材料和偶极材料，所述偶极材料包含第一组分和第二组分，所述第一组分具有不同于所述第二组分的极性，并且所述第一组分和所述第二组分彼此结合。
有机发光二极管

[发明专利]一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN201610111290.6在审
发明人：孙宝全;许卫东;刘俪佳 -专利权人：苏州大学
申请日： 2016-02-29 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法，钙钛矿太阳能电池包括正向结构和反向结构，制备反向结构方法如下：a.在清洗干净并经臭氧处理过的ITO衬底上旋涂PEDOT:PSS；b.在PEDOT:PSS薄膜上旋涂钙钛矿前驱体溶液制备钙钛矿活性层，退火薄膜变黑后再旋涂PC₆₁BM溶液；c.待溶剂自然挥发后，再悬涂氧化锌纳米颗粒；d.利用真空热蒸镀铝电极；制备正向结构方法如下：a1.在清洗干净并经臭氧处理过的ITO衬底上旋涂氧化钛前躯体溶液，经退火处理后，形成一层厚度均匀的氧化钛薄膜；b2.在氧化钛薄膜上旋涂钙钛矿前驱体溶液制备钙钛矿活性层，经退火处理后，薄膜变成黑色，并在其上表面悬涂Spiro‑OMeTAD溶液；c3.放置于干燥柜常温氧化24小时后，利用真空热蒸镀银电极。
一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]发光二极管及其封装方法-CN201610012874.8在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：九尊城网络科技（深圳）有限公司
申请日： 2012-05-18 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：一种发光二极管，包括引脚结构、发光元件、及覆盖于所述发光元件上的封装层，所述引脚结构包括相互间隔的第一电极和第二电极，所述发光元件与该第一电极、第二电极分别形成电性连接，所述第一电极包括一凸伸部，第二电极包括一凹陷部，所述凸伸部伸入至于所述凹陷部中，且所述凸伸部与凹陷部之间电绝缘。与先前技术相比，本发明中该凸伸部伸入到该凹陷部中，由于该凸伸部与该凹陷部相互间隔一填充有绝缘材料的弯曲狭长的间隙，使得从引脚结构底部经由间隙到达发光元件的路径较长，从而外界水汽不易沿引脚结构与基板之间的缝隙进入该凹陷，增强该发光二极管的气密性，从而保证发光元件的使用寿命。本发明还涉及一种该发光二极管的封装方法。
发光二极管及其封装方法

[发明专利]一种薄膜太阳能电池吸收层碱金属掺入方法-CN201610273996.2在审
发明人：韩安军;柳效辉;黄勇亮;王宪;吴敏;孟凡英;刘正新 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2016-04-28 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜太阳能电池吸收层碱金属掺入方法，所述掺入方法至少包括：提供待处理的薄膜太阳能电池吸收层，配置含有碱金属离子的溶液，采用非真空镀膜的方法将所述碱金属离子溶液沉积于所述吸收层表面，并将所述吸收层放置于热处理炉中，往所述热处理炉中通入惰性气体或硒化氢和惰性气体的混合气体，升温至设定的温度，以使碱金属离子扩散进所述吸收层。本发明的碱金属掺入方法可在吸收层表面产生原子排空，促进缓冲层CdS中的Cd原子扩散进吸收层表面形成浅埋PN结，减少载流子在吸收层/缓冲层的界面层复合，提高开路电压，提高电池转换效率。本发明所提供的制备方法简单可控，无需昂贵的真空镀膜设备，与常规艺兼容性好，碱金属材料利用率高，成本低。
一种薄膜太阳能电池吸收碱金属掺入方法

[发明专利]刻蚀方法-CN201410766488.9在审
发明人：金光耀;沈培俊;王懿喆;陈炯;洪俊华 -专利权人：上海晶玺电子科技有限公司
申请日： 2014-12-11 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种刻蚀方法，包括以下步骤：S1、提供一PN结构，该PN结构包括一第一导电类型衬底，形成于该第一导电类型衬底背面中的凹槽，以及形成于该第一导电类型衬底的背面中的第一导电类型掺杂区域以及形成于该凹槽表面中的第二导电类型掺杂区域，以及：S2、在该PN结构的背面上淀积金属层，该金属层覆盖该第一导电类型掺杂区域、该第二导电类型掺杂区域以及该凹槽的侧壁；S3、将步骤S2所得的结构置于蚀刻剂中，并且使该PN结构的正面被光源照射。本发明能够加快局部区域的刻蚀速度、能自动定位凹槽侧壁中连接正负电极的部分并加快其刻蚀，以保证正负电极的完全分离。
刻蚀方法

[发明专利]一种铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池的制备方法-CN201410758760.9在审
发明人：韩安军;张庆钊;彭东阳;顾世海;李琳琳 -专利权人：北京汉能创昱科技有限公司
申请日： 2014-12-10 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池的制备方法，在衬底上制备背电极层；在所制得的背电极层上制备CIGS吸收层；将含有Cd离子的溶液喷淋于CIGS吸收层表面，并在100℃-500℃下加热10min-60min后取出；在CIGS吸收层上制备CdS缓冲层；在所制得的CdS缓冲层上制备窗口层；在窗口层上制备电极层，即得铜铟镓硒薄膜太阳能电池。本发明在制备CIGS吸收层后，通过在CIGS吸收层表面喷淋含Cd离子的溶液，然后经高温加热，使Cd离子向CIGS吸收层表面加速扩散，在CIGS吸收层表面浅层形成浅埋结，减少载流子在CIGS/CdS界面层的复合，增强铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池的N型特性，提高电池转换效率达5-10％。
一种铜铟镓硒 cigs 薄膜太阳能电池制备方法

[发明专利]双重自对准金属氧化物TFT-CN201610115701.9在审
发明人：谢泉隆;俞钢 -专利权人：希百特股份有限公司
申请日： 2010-03-12 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了双重自对准金属氧化物TFT。具体，本发明公开了在透明衬底上制造金属氧化物TFT的方法，包括以下步骤：在所述衬底的正面上布置不透明栅极金属区域，沉积覆盖所述栅极金属和周围区域的透明栅极电介质层和透明金属氧化物半导体层，在所述半导体材料上沉积透明钝化材料，在所述钝化材料上沉积光致抗蚀剂，曝光和显影所述光致抗蚀剂以除去被曝光部分，蚀刻所述钝化材料以留下界定沟道区域的钝化区域，在所述钝化区域上方沉积透明导电材料，在导电材料上方沉积光致抗蚀剂，曝光和显影所述光致抗蚀剂以除去未曝光的部分，和蚀刻所述导电材料以在沟道区域的相对侧上留下源极区域和漏极区域。
双重对准金属氧化物 tft

[发明专利]有机电致发光显示器件和显示装置-CN201610286737.3在审
发明人：丁小梁;董学;王海生;陈小川;刘英明;刘伟;王鹏鹏;李昌峰 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2016-05-03 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机电致发光显示器件和显示装置，该显示器件包括衬底基板，以及沿厚度方向依次设置在衬底基板的第一侧的晶体管电路层和发光器件层，衬底基板的表面上设有压力感测区域；有机电致发光显示器件还包括设置在所述压力感测区域的压敏电阻层；设置在所述压力感测区域的压敏电阻层分别在两个区域边界处连接两个导体结构，以分别形成所述压力感测区域的第一压敏电阻的第一连接端和第二连接端；所述第一压敏电阻的第一连接端和第二连接端用于分别连接压力检测电路，以使压力检测电路根据第一压敏电阻的两端的电信号得到压力传感信号。本发明可以将压力传感器集成在显示器件中，满足3D触控、弯曲检测等多方面的应用需求。
有机电致发光显示器件显示装置

[发明专利]GaN外延片的制作方法及制备GaN外延片的设备-CN201610222143.6在审
发明人：李东昇;丁海生;陈善麟 -专利权人：杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司
申请日： 2016-04-11 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提出了一种GaN外延片的制作方法及制备GaN外延片的设备，提供具有多个反应腔室的设备，将成核层固定于一个反应腔室内生长，将含有Ga元素的缓冲层固定于另一个腔体内生长，可以有效地防止反应腔室内残留物挥发回熔对其他薄膜层质量造成影响，从而提高GaN外延层的晶体质量。
gan 外延制作方法制备设备

[发明专利]具有较好缓冲作用的真空开关管-CN201610163911.5在审
发明人：黄俊龙 -专利权人：申清章
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H01H33/662 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有较好缓冲作用的真空开关管，包括壳体、具有动接电部的动触头、具有第一静接电部的第一静触头；动接电部跟随动触头往复移动，在朝向第一静触头移动时最终抵接在第一静接电部上；所述壳体包括两侧均具有焊接连接部的环形金属板、位于环形金属板焊接连接部两侧的两个弹性管体、位于各弹性管体远离环形金属焊接连接部的一端的陶瓷管体、用于封堵各陶瓷管体远离环形金属焊接连接部的一端的开口的盖板组件；各盖板组件中心处设有圆孔；所述环形金属板、弹性管体、陶瓷管体和盖板组件围合形成一容置腔；动触头的动接电部和第一静触头的第一静接电部位于该容置腔中。本发明有效防止陶瓷管体发生松动或碎裂等故障。
具有较好缓冲作用真空开关

[发明专利]一种碳纳米管增强的复合电接触材料及其制备工艺-CN201410763610.7在审
发明人：翁桅;颜小芳;宋振阳;夏承东;林万焕 -专利权人：福达合金材料股份有限公司
申请日： 2014-12-11 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H01H1/023 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳纳米管增强的复合电接触材料及其制备工艺，包括银基触点材料和铜基触点材料，其中银基触材料成分主要包括银或者银合金、颗粒表面生长着碳纳米管的增强材料和添加物；铜基触点材料成分主要包括颗粒表面着生长碳纳米管的铜或者铜合金、增强材料以及添加物。本发明解决了银基触点材料中增强材料电弧作用下团聚的问题，提高了材料的电性能，满足低压电器体积小型化、性能优越化的要求。
一种纳米增强复合接触材料及其制备工艺