专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]频率功率管理器-CN201480023951.9有效
  • Z·S·赛义德;N·陈;Y·徐;M·T·费奇;B·D·安德弗;Z·陈;C·K·权 - 高通股份有限公司
  • 2014-04-29 - 2018-02-06 - G06F1/32
  • 提供了一种方法和装置。该装置是控制多个模块的功率模式的硬件模块。该装置接收关于期望操作频率的指示。基于所接收到的指示,该装置确定要从与第一模块集相关联的第一功率模式切换到与期望操作频率相对应且与第二模块集相关联的第二功率模式。该装置启用第二模块集中不与第一功率模式相关联的模块,在启用第二模块集中不与第一功率模式相关联的模块之后一时间段期满之际停止通过该多个模块的话务,路由话务通过第二模块集,以及禁用第一模块集中不与第二功率模式相关联的模块。
  • 频率功率管理器
  • [发明专利]自由基成分的氧化物蚀刻-CN201380048351.3有效
  • Z·陈;J·张;C-M·徐;S·朴;A·王;N·K·英格尔 - 应用材料公司
  • 2013-08-26 - 2018-01-12 - H01L21/3065
  • 描述一种在图案化异质结构上蚀刻暴露的氧化硅的方法,且该方法包括从含氟前体所形成的远端等离子体蚀刻。来自该远端等离子体的等离子体流出物流进基板处理区域,在该基板处理区域中该等离子体流出物与含氮和氢前体组合。在该基板于相较于典型的SiconiTM工艺为高温时,从而产生的反应物以高氧化硅选择性蚀刻该图案化异质结构。该蚀刻进行不会在该基板表面上产生残余物。该方法可用以在移除极少量或不移除硅、多晶硅、氮化硅或氮化钛的同时移除氧化硅。
  • 自由基成分氧化物蚀刻
  • [实用新型]氧化物蚀刻选择性系统-CN201620844868.4有效
  • L·徐;Z·陈;A·王;S·T·恩古耶 - 应用材料公司
  • 2016-08-05 - 2017-02-22 - H01L21/67
  • 公开了氧化物蚀刻选择性系统。揭示了一种基板处理系统,所述系统包括第一气体入口;基座,配置成支撑基板;喷淋头,定位在所述第一气体入口与所述基座之间,所述喷淋头包括限定有第一多个开口的导电板;隔板,定位在所述基座与所述喷淋头之间,所述隔板限定第二多个开口;第二气体入口,定位在所述喷淋头处,或定位在所述喷淋头与所述隔板之间;等离子体区域,限定在所述第一气体入口与所述喷淋头之间;基本无等离子体的区域,限定在所述喷淋头与所述隔板之间;基板处理区域,限定在所述隔板与所述基座之间;以及电源,配置成引燃所述等离子体区域中的等离子体放电。
  • 氧化物蚀刻选择性系统

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