“X·刘”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果226个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]电子设备-CN202111444007.9在审
发明人： S·潘迪亚;D·A·巴斯;D·J·巴雷特;E·G·德琼;X·刘;K·S·皮拉伊;M·马丁尼斯 -专利权人：苹果公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H05K5/00 文献下载
摘要：本公开涉及电子设备。一种便携式或可穿戴电子设备，该便携式或可穿戴电子设备可包括限定内部体积的设备外壳，以及设置在该内部体积中的电子部件。该电子部件可以是输入部件并且可具有部件外壳。该电子设备还可包括设置在该内部体积中的天线馈电组件。该天线馈电组件可包括电连接到该部件外壳和该设备外壳的导电接地部件，以及电连接到该接地部件并与该部件外壳相邻地设置的天线馈电部件。该导电接地部件可包围该部件外壳的第一主表面和第二主表面。
电子设备

[发明专利]为助理系统生成主动内容-CN202080055180.7在审
发明人： W·C·普莱森特;X·李;H·周;P·坎姆卡;P·A·克鲁克;K·J·翁;F-J·陈;M·R·汉森;L·X·黄;E·肖;A·库玛;于劲松;刘白杨;F·P·佩诺夫;X·刘;P·P·沙;V·C·张;N·M·班森;Y·胜;Z·何;R·邵;A·辛哈;K·玛利克;文胜焕;刘洪磊;A·阿利;詹弘远 -专利权人：元平台公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：一种系统、介质和方法包括：接收与主动触发器相关联的一个或多个输入，该主动触发器与第一用户相关联；基于一个或多个主动策略来确定第一用户是否有资格接收主动建议；基于一个或多个输入和与第一用户相关联的用户上下文数据，生成一个或多个主动建议；基于与第一用户相关联的任务历史数据来选择一个或多个主动建议；以及向与第一用户相关联的客户端系统发送用于向第一用户呈现主动内容的指令，其中主动内容包括所选择的主动建议。
助理系统生成主动内容

[发明专利]有机硅组合物-CN201880077316.7有效
发明人：张剑烽;迈克尔·J·齐沃尼什;X·刘;J·L·丁 -专利权人：美国圣戈班性能塑料公司
申请日： 2018-10-01 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： C08G77/04 文献下载
摘要：本发明涉及可聚合有机硅组合物、使此类组合物聚合的方法以及由此形成的聚合有机硅组合物。在一个实施例中，一种可聚合组合物包含：一种或多种第一有机硅氧烷或有机硅烷，所述一种或多种第一有机硅氧烷或有机硅烷各自包含多个硅氢基官能团；一种或多种第二有机硅氧烷或有机硅烷，所述一种或多种第二有机硅氧烷或有机硅烷各自包含多个反应性杂环烷基官能团；以及一种或多种第三有机硅氧烷或有机硅烷，所述一种或多种第三有机硅氧烷或有机硅烷各自包含至少约一个硅氢基官能团和至少约一个反应性杂环烷基官能团；以及有效量的硼烷催化剂，所述硼烷催化剂以例如0.0005重量％至约10重量％范围内的量存在，其中所述组合物中反应性杂环烷基官能团对反应性硅氢基官能团的比率在1:5至5:1的范围内。所述组合物和方法可用于例如粘合剂和密封应用中。
有机硅组合

[发明专利]改变CART细胞中的基因表达及其用途-CN202111354276.6在审
发明人：赵阳兵;J·任;X·刘;C·H·琼 -专利权人：宾夕法尼亚大学董事会
申请日： 2015-10-15 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： C12N5/10 文献下载
摘要：本发明涉及改变CAR T细胞中的基因表达及其用途。本发明涉及使用能够下调内源基因表达——其选自TCRα链、TCRβ链、β‑2微球蛋白、HLA分子、CTLA‑4、PD1和FAS——的核酸生成修饰的T细胞的组合物和方法，其进一步包括编码修饰的T细胞受体(TCR)——其包括对靶细胞上表面抗原的亲和力——的核酸或编码嵌合抗原受体(CAR)的电穿孔的核酸。还包括用于过继疗法和治疗病症比如自身免疫性疾病的方法和包含修饰的T细胞的药物组合物。
改变 cart 细胞中的基因表达及其用途

[发明专利]利用助理系统的任务持久性的用户控制的任务执行-CN202080066258.5在审
发明人： R·萨巴;Z·王;X·刘 -专利权人：脸谱科技有限责任公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H04L51/02 文献下载
摘要：系统、存储介质和方法包括：从与用户相关联的客户端系统接收用以执行包括一个或多个子任务的第一任务的第一用户请求；从所述客户端系统接收第二用户请求，以挂起所述第一任务；响应于所述第二用户请求，存储所述第一任务的对话状态，其中所述对话状态包括所执行子任务的结果以及指示所述第一任务被挂起的状况；接收第三用户请求以重新开始所述第一任务；访问所述第一任务的所述对话状态；以及在所述客户端系统处提供提示以重新开始所述第一任务。
利用助理系统任务持久性用户控制执行

[发明专利]使用与运行时密码算术变换级联的集成电压调节器的时域和频域侧信道泄漏抑制-CN202111453484.1在审
发明人： R·库马;X·刘;H·克里西那莫西;S·马修;V·苏瑞史 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H04L9/06 文献下载
摘要：本申请公开了使用与运行时密码算术变换级联的集成电压调节器的时域和频域侧信道泄漏抑制。本文描述了用于抵抗对密码引擎的侧信道攻击的装置和方法。装置实施例包括：密码块，耦合至非线性低压差电压调节器(NL‑LDO)。NL‑LDO包括：可缩放传动系统，用于将可变的负载电流提供给密码块；随机化电路，用于生成经随机化的值以用于设置多个参数；以及控制器，用于基于参数和密码块的当前电压来调节提供给密码块的可变的负载电流。控制器用于引起以下各项：当当前电压高于高电压阈值时，可变的负载电流的降低；当当前电压低于低电压阈值时，可变的负载电流的升高；以及当当前电压低于欠电压阈值时，可变的负载电流的最大化。密码块可以利用算术变换来实现。
使用运行密码算术变换级联集成电压调节器时域频域侧信道泄漏抑制

[发明专利]具有鳍式场效应晶体管结构的分裂栅非易失性存储器单元、HV和逻辑器件及其制造方法-CN202011193113.X在审
发明人：宋国祥;王春明;邢精成;X·刘;N·多 -专利权人：硅存储技术股份有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明题为具有鳍式场效应晶体管结构的分裂栅非易失性存储器单元、HV和逻辑器件及其制造方法。本发明公开了一种在半导体衬底的上表面的鳍上形成存储器单元、高压器件和逻辑器件的方法，以及由此形成的存储器器件。存储器单元形成在一对鳍上，其中浮栅设置在该对鳍之间，字线栅围绕在该对鳍周围，控制栅设置在该浮栅上方，并且擦除栅设置在该对鳍上方并部分地设置在该浮栅上方。高压器件包括围绕在相应鳍周围的HV栅，并且逻辑器件包括逻辑栅，该逻辑栅为金属并围绕在相应的鳍周围。
具有场效应晶体管结构分裂非易失性存储器单元 hv 逻辑器件及其制造方法

[发明专利]使用自旋霍尔效应的磁传感器-CN201880018984.2有效
发明人： Q·勒;D·J·西格尔;X·刘;D·莫里;Y·奥恩;H·江;G·刘;D·P·德鲁伊斯特;J-L·李 -专利权人：西部数据技术公司
申请日： 2018-03-02 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： G01R33/07 文献下载
摘要：本发明提供了使用自旋霍尔效应的磁传感器及其制造方法。一种此类磁传感器包括：自旋霍尔层，该自旋霍尔层包含导电的非磁性材料；磁性自由层，该磁性自由层与自旋霍尔层相邻；一对推动端子，该一对推动端子被配置成使电流能够在垂直于自由层和自旋霍尔层的平面的方向上穿过磁性自由层和自旋霍尔层；和一对感测端子，该一对感测端子被配置成感测当电流穿过磁性自由层和自旋霍尔层时的电压，其中推动端子和感测端子中的每一者与其他端子电隔离。
使用自旋霍尔效应传感器

[发明专利]具有设置在字线栅上方的擦除栅的分裂栅双位非易失性存储器单元及其制备方法-CN202011056431.1在审
发明人：王春明;X·刘;宋国祥;邢精成;N·多 -专利权人：硅存储技术股份有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器设备，该存储器设备包括半导体衬底；该衬底中的第一区和第二区，该第一区和该第二区的导电类型与该衬底的导电类型不同，其中该衬底中的沟道区在该第一区和该第二区之间延伸。该沟道区在该第一区和该第二区之间是连续的。第一浮栅设置在该沟道区的第一部分上方并且与该第一部分绝缘。第二浮栅设置在该沟道区的第二部分上方并且与该第二部分绝缘。第一耦合栅设置在该第一浮栅上方并且与该第一浮栅绝缘。第二耦合栅设置在该第二浮栅上方并且与该第二浮栅绝缘。字线栅设置在所述沟道区的介于所述第一沟道区部分和所述第二沟道区部分之间的第三部分上面并且与所述第三部分绝缘。擦除栅设置在该字线栅上方并且与该字线栅绝缘。
具有设置字线栅上方擦除分裂栅双位非易失性存储器单元及其制备方法

[发明专利]具有设置在字线栅上方的擦除栅的分裂栅非易失性存储器单元及其制备方法-CN202011060967.0在审
发明人：王春明;X·刘;宋国祥;邢精成;N·多 -专利权人：硅存储技术股份有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器设备及其制备方法，该存储器设备包括第一导电类型的半导体材料的衬底；在该衬底中间隔开并且具有与该第一导电类型不同的第二导电类型的第一区和第二区，其中该衬底中的第一沟道区在该第一区和该第二区之间延伸；设置在该第一沟道区的与该第二区相邻的第一部分上方并且与该第一部分绝缘的第一浮栅；设置在该第一浮栅上方并且与该第一浮栅绝缘的第一耦合栅；设置在该第一沟道区的与该第一区相邻的第二部分上方并且与该第二部分绝缘的第一字线栅；以及设置在该第一字线栅上方并且与该第一字线栅绝缘的第一擦除栅。
具有设置字线栅上方擦除分裂非易失性存储器单元及其制备方法

[发明专利]形成具有存储器单元、高压器件和逻辑器件的设备的方法-CN202010993707.2在审
发明人：王春明;宋国祥;邢精成;孙士祯;X·刘;N·多 -专利权人：硅存储技术股份有限公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明公开了一种在衬底上形成存储器单元、HV器件和逻辑器件的方法，该方法包括：使衬底的存储器单元区域和HV器件区域的上表面凹陷；在存储器单元区域和HV器件区域中形成多晶硅层；在存储器单元区域和HV器件区域中形成穿过第一多晶硅层并进入硅衬底的第一沟槽；用绝缘材料填充第一沟槽；形成到逻辑器件区域中的衬底中的第二沟槽以形成向上延伸的鳍片；移除存储器单元区域中的多晶硅层的部分以形成浮置栅极；在存储器单元区域中形成擦除栅极和字线栅极，在HV器件区域中形成HV栅极，以及在逻辑器件区域中形成来自第二多晶硅层的虚拟栅极；以及用缠绕在鳍片周围的金属栅极替换虚拟栅极。
形成具有存储器单元高压器件逻辑设备方法

[发明专利]增材制造组件和方法-CN202080055212.3在审
发明人： J·L·丁;X·刘;亚当·P·纳多;让-马里·勒布伦 -专利权人：美国圣戈班性能塑料公司
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： B29C64/40 文献下载
摘要：本公开提供了系统和方法，所述系统和方法包括增材制造组件，所述增材制造组件具有：打印区域；第一喷嘴，所述第一喷嘴包括具有第一孔径并配置为在所述打印区域中分配第一材料的第一喷嘴；以及第二喷嘴，所述第二喷嘴包括具有第二孔径并配置为在所述打印区域中分配第二材料的第二喷嘴，所述第二孔径大于所述第一孔径。
制造组件方法

[发明专利]用于相机系统中的透镜和图像传感器的独立移动控制的光学设备-CN202110273273.3在审
发明人： Q·勒;Z·白;X·刘;Z·李;K·S·胡;R·纳加比拉瓦 -专利权人：西部数据技术公司
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H04N5/225 文献下载
摘要：本发明题为“用于相机系统中的透镜和图像传感器的独立移动控制的光学设备”。本公开的方面涉及有利于独立控制相机系统中的透镜和图像传感器的移动的光学设备和相关方法。在一个示例中，图像传感器能够独立于透镜并且相对于该透镜移动，并且该透镜能够独立于该图像传感器移动。在一个示例中，光学设备包括透镜和设置在该透镜下方的图像传感器。该图像传感器能够相对于该透镜移动。该光学设备包括围绕该透镜设置的多个磁体、在一个或多个竖直平面中盘绕的多个竖直线圈结构以及在一个或多个水平平面中盘绕的一个或多个水平线圈结构。该多个竖直线圈结构被配置为在通电时使该图像传感器相对于该透镜移动。该一个或多个水平线圈结构被配置为在通电时使该透镜移动。
用于相机系统中的透镜图像传感器独立移动控制光学设备

[发明专利]通过导电块上的硅化物在基底上制造存储器单元、高电压设备和逻辑设备的方法-CN202010826250.6在审
发明人：王春明;孙士祯;X·刘;邢精成;杨荣华;N·多;宋国祥 -专利权人：硅存储技术股份有限公司
申请日： 2020-08-17 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明题为“通过导电块上的硅化物在基底上制造存储器单元、高电压设备和逻辑设备的方法”。本发明公开了一种形成半导体设备的方法，该方法包括：使半导体基底的第一区域和第二区域的上表面相对于该基底的第三区域凹入；在该第一区域中形成一对堆叠结构，每个堆叠结构具有在浮栅上方的控制栅；在该对堆叠结构之间的该基底中形成第一源极区；在该第一源极区上方形成擦除栅；在该第三区域中形成伪材料块；形成邻近该堆叠结构的选择栅；在该第二区域中形成高电压栅极；在该高电压栅极中的一个高电压栅极的至少一部分上方形成第一阻挡层；在不处于该第一阻挡层下方的该高电压栅极的顶表面上形成硅化物；以及用金属材料块替换该伪材料块。
通过导电硅化物基底制造存储器单元电压设备逻辑方法

[发明专利]从废锂离子电池中物理分离和回收多种组分的方法-CN202180000632.6在审
发明人： X·刘;K·查托帕德耶 -专利权人： XPROEM有限公司
申请日： 2021-03-26 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01M10/54 文献下载
摘要：本发明是一种物理分离废锂离子电池来回收有价值的组分的方法，该方法通过使用真空处理来分离和回收挥发性物质，例如电极粘合剂、电解质溶剂和盐，然后破碎和粉碎，以分解和切碎消耗了电解质的电池组，并减少封闭组件例如壳、集电器、分隔膜和其他材料的切碎颗粒的大小，然后使用一系列物理分离技术分离它们。
锂离子电池物理分离回收多种组分方法