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- [发明专利]双向晶闸管装置-CN202180079111.4在审
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J·伏贝基;U·维穆拉帕蒂
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日立能源瑞士股份公司
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2021-11-22
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2023-07-25
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H01L29/08
- 提供了一种双向晶闸管装置(1)，包括半导体本体(2)，该半导体本体在第一主表面(21)与第二主表面(22)之间延伸，其中第一主电极(31)和第一栅电极(41)布置在第一主表面上，并且第二主电极(32)和第二栅电极(42)布置在第二主表面上。第一主电极包括彼此间隔开的多个第一段(310)，其中在到第一主表面上的视图中，第一段中的至少一些完全被第一栅电极包围。第二主电极包括彼此间隔开的多个第二段(320)，其中在到第二主表面上的视图中，第二段中的至少一些完全被第二栅电极包围。双向晶闸管装置(1)还包括第一、第二和第三基极区域(51、52、53)以及在这些基极区域的任一侧部上的发射极区域(61、62)。发射极区域(61、62)包括与这些发射极区域的导电类型相反的导电类型的发射极短路区域(71、72)。因此，取决于使用装置的方向，主电极的第一段和第二段可起到阴极或阳极电极的作用。栅极可具有蜂窝(六边形)图案。
- 双向晶闸管装置
- [发明专利]功率半导体器件-CN202180054721.9在审
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J·伏贝基;U·维穆拉帕蒂
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日立能源瑞士股份公司
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2021-08-19
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2023-05-02
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H01L29/423
- 公开了一种功率半导体器件，该功率半导体器件包括具有第一主侧和与第一主侧相对的第二主侧的半导体晶片。半导体晶片包括多个并联晶闸管单元，其中每个晶闸管单元按照从第一主侧到第二主侧的顺序包括：(a)阴极电极和栅极电极，该阴极电极和栅极电极被布置在第一主侧上；(b)阴极层，该阴极层包括第一导电类型的阴极区域，与阴极电极形成欧姆接触；(c)不同于第一导电类型的第二导电类型的第一基极层，其中阴极区域被形成为第一基极层中的阱，并在第一基极层和阴极区域之间形成第一p‑n结；(d)第一导电类型的第二基极层，其与第一基极层形成第二p‑n结；(e)第二导电类型的阳极层，该阳极层通过第二基极层与第一基极层分离，其中栅极电极与第一基极层形成欧姆接触；并且阳极电极被布置在第二主侧上并且与阳极层形成欧姆接触。多个晶闸管单元的栅极电极形成包括多个多边形的栅极设计，每个多边形包括至少四个支柱。还公开了一种制造功率半导体器件的方法。
- 功率半导体器件
- [发明专利]反向导通功率半导体器件及其制造方法-CN202180012131.X在审
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T·维克斯特罗;U·维穆拉帕蒂
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日立能源瑞士股份公司
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2021-02-03
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2022-09-09
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H01L29/74
- 本发明涉及一种反向导通功率半导体器件，其中多个晶闸管单元(50)和续流二极管(60)集成在半导体晶片中。二极管阳极层(32)包括多个第一二极管阳极层段(321)，所述多个第一二极管阳极层段在与半导体晶片(20)的第二主侧(22)平行的平面上的正交投影中是条形的，每个第一二极管阳极层段(321)的纵向主轴MA在侧向方向上延伸离开半导体晶片(20)的侧向中心。每个第一二极管阳极层段(321)在垂直于其纵向主轴(MA)的方向上的第一侧向宽度(w1)在沿着纵向轴线的任何位置处至少为1000μm，或者至少为1200μm。该器件还包括多个条形局部寿命控制区(91)。二极管阴极层(33)包括多个条形二极管阴极层段(331)。在正交投影中，每个局部寿命控制区(91)和每个二极管阴极层段(331)分别布置在对应的第一二极管阳极层段(321)内。
- 向导功率半导体器件及其制造方法
- [发明专利]改进反向恢复的分段功率二极管结构-CN202080026863.X在审
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T·威克斯通;U·维穆拉帕蒂;T·斯蒂亚斯尼
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ABB电网瑞士股份公司
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2020-04-01
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2021-11-30
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H01L29/861
- 一种功率二极管包括多个二极管单元(10)。每个二极管单元(10)包括：第一导电类型的第一阳极层(40)；第一导电类型的第二阳极层(45)，掺杂浓度低于第一阳极层(40)并通过第一阳极层(40)与阳极电极层(20)分离；第二导电类型的漂移层(50)，与第二阳极层(45)形成pn结；第二导电类型的阴极层(60)，与阴极电极层(60)直接接触；以及阴极侧分割层(67)，与阴极电极层(30)直接接触。阴极侧分割层(67)的材料是第一导电类型的半导体，其中沿垂直于第二主侧(102)的方向集成的阴极侧的集成掺杂含量低于2·1013cm‑2，或者阴极侧分割层(67)的材料是绝缘材料。沿水平面(K1)穿过每个二极管单元(10)的水平横截面包括第一区域和第二区域，水平面(K1)在第一区域中与第二阳极层(45)相交，平面(K1)在第二区域中与漂移层(50)相交。
- 改进反向恢复分段功率二极管结构
- [发明专利]双向晶闸管器件-CN201980013388.X在审
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J·伏贝基;U·维穆拉帕蒂;M·拉希莫
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ABB电网瑞士股份公司
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2019-02-13
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2020-10-02
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H01L29/74
- 提供了一种双向晶闸管装置(100)，其中，半导体晶片按照从第一主侧(102)到第二主侧(104)的顺序包括第一导电类型的第一半导体层(106)、第二导电类型的第二半导体层(108)、第一导电类型的第三半导体层(110)、第二导电类型的第四半导体层(112)以及第一导电类型的第五半导体层(114)。第一主电极(115)形成在第一主侧上(102)并且第二主电极(116)形成在第二主侧(104)上。第一发射极短路部(128)穿透第一半导体层(106)，以将第一主电极(115)与第二半导体层(108)电连接，并且第二发射极短路部(138)穿透第五半导体层(114)，以将第二主电极(116)与第四半导体层(112)电连接。在平行于第一主侧(102)的平面上的正交投影中，由第一半导体层(106)和第一发射极短路部(128)占据的第一区与由第五半导体层(114)和第二发射极短路(138)占据的第二区在重叠区中重叠，其中，第一发射极短路部(128)和第二发射极短路部(138)位于重叠区内。
- 双向晶闸管器件
- [发明专利]反向导通功率半导体器件-CN201610442461.3有效
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N·洛普希蒂斯;F·尤德雷;U·维穆拉帕蒂;I·尼斯托;M·阿诺德;J·沃贝基;M·拉希莫
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ABB瑞士股份有限公司
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2016-03-23
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2019-02-15
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H01L29/74
- 提供一种反向导通功率半导体。其包括多个二极管单元(312)和多个栅极换流晶闸管(GCT)单元(32)。每个GCT单元(32)包括第一阴极层(34)，其中每个GCT单元(32)的第一阴极层(34)包括至少三个阴极层区域(34a、34b)，其通过基层(35)相互分开，其中在平行于第一主侧面(41)的平面上的正交投影中，阴极层区域(34a、34b)的每个为具有沿着其纵轴的方向上的长度和垂直于纵轴的方向上的宽度(w、w’)的条形，其中在至少一混合部分中二极管单元(312)在横向方向上与GCT单元(32)交替布置，其中在每个GCT单元(32)中，贴近与该GCT单元(32)邻近的二极管单元(312)的两个外部阴极层区域(34b)的每个的宽度(w’)小于位于该GCT单元(32)中的两个外部阴极层区域(34b)之间的任何中间阴极层区域(34a)的宽度(w)。
- 向导功率半导体器件
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