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[发明专利]半导体器件、制造半导体器件的方法以及集成电路-CN201410222911.9有效
发明人： A·梅瑟;T·施勒塞尔;F·希尔勒 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-05-23 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L29/41 文献下载
摘要：一种形成在半导体衬底中的半导体器件，包括源极区域、漏极区域和栅极电极，以及被设置在源极区域与漏极区域之间的本体区域。栅极电极被设置为与本体区域的至少两侧相邻，并且源极区域和栅极电极被耦接到源极端子。在本体区域的两侧之间的本体区域的宽度被选定为使得本体区域被配置为全耗尽型。
半导体器件制造方法以及集成电路

[发明专利]用于在半导体本体中形成互补掺杂半导体区域的方法-CN201910191194.0在审
发明人： R·魏斯;T·格罗斯;H·格鲁伯;F·希尔勒;A·迈泽尔;M·罗赫尔;T·施勒塞尔;D·韦伯 -专利权人：英飞凌科技德累斯顿公司
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H01L21/225 文献下载
摘要：本文公开了用于在半导体本体中形成互补掺杂半导体区域的方法。公开了一种方法和半导体装置。该方法包括：在半导体本体中形成第一沟槽和第二沟槽；在第一沟槽和第二沟槽中的半导体本体上形成第一材料层，使得第一残余沟槽保留在第一沟槽中并且第二残余沟槽保留在第二沟槽中；从第二沟槽去除第一材料；以及在第一残余沟槽中的第一材料层和第二沟槽中的半导体本体上形成第二材料层。第一材料层包括第一掺杂类型的掺杂剂，第二材料层包括与第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的掺杂剂。该方法还包括将掺杂剂从第一沟槽中的第一材料层扩散到半导体本体中以形成第一掺杂区域，并且将掺杂剂从第二沟槽中的第二材料层扩散到半导体本体中以形成第二掺杂区域。
半导体本体第一材料掺杂剂第二材料层掺杂类型掺杂半导体区域掺杂区域半导体装置扩散保留去除

[发明专利]包括场效应晶体管的开关及集成电路-CN201610274648.7有效
发明人： A·迈泽尔;T·施勒塞尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-04-28 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种开关(2)，该开关(2)包括位于具有第一主表面(110)的半导体衬底(100)中的场效应晶体管(200)。开关(2)包括：源极区(201)；漏极区(205)；主体区(220)；以及位于主体区处的栅极电极(210)，所述栅极电极(210)设置成能够控制在主体区内形成的沟道的导电性，栅极电极布置在栅极沟槽(212)内。主体区沿着第一方向布置在源极区与漏极区(205)之间，第一方向与第一主表面平行。主体区(220)具有沿着第一方向延伸的凸脊形状。主体区与源极区(201)紧邻并且与漏极区(205)紧邻。开关(2)还包括源极接触部和主体接触部(225)，源极接触部电连接到源极端子(271)。主体接触部(225)与源极接触部(202)接触并且电连接到主体区(220)。
包括场效应晶体管开关集成电路

[发明专利]具有改进的雪崩击穿特性的晶体管-CN201610416011.7有效
发明人： A·迈泽尔;T·施勒塞尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-06-14 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了一种具有改进的雪崩击穿特性的晶体管，其包括至少一个晶体管单元。该至少一个晶体管单元包括：位于半导体主体中的第一掺杂类型的漂移区、第一掺杂类型的源极区、第二掺杂类型的体区以及第一掺杂类型的漏极区；邻近体区并且通过栅极电介质与体区介电绝缘的栅极电极；布置在漂移区中并且与漂移区介电绝缘的场电极；源极电极，其电连接至源极区和体区并且布置在自第一表面延伸进半导体主体中的沟槽中；漏极电极，其电连接至漏极区并且布置自第一表面延伸到半导体主体中的沟槽中；雪崩旁通结构，其耦合在源极电极和漏极电极之间，并且包括第一掺杂类型的第一半导体层、第一掺杂类型的第二半导体层以及布置在第一半导体层和源极电极之间的pn结。
具有改进雪崩击穿特性晶体管

[发明专利]包括晶体管的半导体器件-CN201610230492.2有效
发明人： A·迈泽尔;T·施勒塞尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-04-14 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及包括晶体管的半导体器件。该半导体器件在具有第一主表面的半导体本体中包括晶体管(10)。晶体管(10)包括：第一导电类型的源极区域(201)；漏极区域(205)；第二导电类型的本体区域(230)，第二导电类型与第一导电类型不同；以及栅极电极(210)，该栅极电极设置于在与第一主表面平行的第一方向上延伸的栅极沟槽(212)中。本体区域(230)和漏极区域(205)沿着该第一方向而布置。本体区域(230)包括沿着该第一方向延伸的第一脊(220)，第一脊(220)设置在半导体本体中的相邻的栅极沟槽(212)之间。本体区域(230)还包括第二脊(221)。第二脊(221)的宽度大于第一脊(220)的宽度，这些宽度是在与该第一方向垂直的第二方向上测量的。
包括晶体管半导体器件

[发明专利]包括具有主体接触部分的晶体管的半导体器件及其制造方法-CN201610228929.9有效
发明人： A·迈泽尔;T·施勒塞尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-04-13 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的各个实施例涉及包括具有主体接触部分的晶体管的半导体器件及其制造方法。一种包括在具有主表面的半导体主体中的晶体管的半导体器件。晶体管包括源极区域、漏极区域、主体区域、漂移区、和在该主体区域处的栅极电极。主体区域和漂移区沿着第一方向设置在源极区域与漏极区域之间，该第一方向平行于主表面。栅极电极设置在沿着第一方向延伸的沟槽中。半导体器件进一步包括电连接至源极区域和源极端子的源接触。源极接触设置在主表面中的源极接触开口中。半导体器件进一步包括电连接至源极端子和主体区域的主体接触部分。主体接触部分与源极区域竖直地重叠。
包括具有主体接触部分晶体管半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件、集成电路和制造半导体器件的方法-CN201610140286.2有效
发明人： K·科伊普;A·梅瑟;T·施勒塞尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-03-11 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件、集成电路和制造半导体器件的方法。半导体器件包括在具有第一主表面的半导体衬底中的晶体管。该晶体管包括源极区域、漏极区域、沟道区域、漂移区和栅极电极，该栅极电极与该沟道区域的至少两侧相邻。栅极电极设置在与第一主表面平行的第一方向上延伸的沟槽中。栅极电极电耦合至栅极端子。沟道区域和漂移区沿着第一方向设置在源极区域与漏极区域之间。半导体器件进一步包括导电层，该导电层位于栅极电极下方并且与栅极电极绝缘。导电层电连接至栅极端子。
半导体器件集成电路制造方法

[发明专利]包括晶体管阵列和终止区域的半导体器件及其制造方法-CN201610082830.2有效
发明人： A·迈泽尔;F·希尔勒;T·施勒塞尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-02-05 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开涉及包括晶体管阵列和终止区域的半导体器件及其制造方法。形成在具有第一主面的半导体衬底(100)中的半导体器件(1)包括晶体管阵列(10)和终止区域(20)。晶体管阵列(10)包括源极区域(201)、漏极区域(205)、本体区域(220)、漂移区(260)和本体区域(220)处的栅电极(210)。栅电极(210)被配置为控制形成在本体区域(220)中的沟道的导电性。栅电极(210)设置在第一沟槽(212)中。本体区域(220)和漂移区(260)在源极区域(201)和漏极区域(205)之间沿第一方向设置，第一方向平行于第一主面。本体区域(220)具有沿第一方向延伸的第一脊部的形状。终止区域(20)包括终止沟槽(272)，终止沟槽(272)的一部分沿第一方向延伸，终止沟槽(272)的长度大于第一沟槽(212)的长度，沿着第一方向测量长度。
包括晶体管阵列终止区域半导体器件及其制造方法

[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件-CN201510627931.9有效
发明人： T·施勒塞尔;A·梅瑟 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-09-28 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开涉及制造包含晶体管的半导体器件的方法包括在半导体衬底的主表面内形成场板沟槽(S400)，漂移区被限定在相邻的场板沟槽之间，在场板沟槽内形成场介电层(S410)，此后，在半导体衬底的主表面内形成栅极沟槽(S420)，沟道区域被限定在相邻的栅极沟槽之间，以及在场板沟槽的至少一些和栅极沟槽的至少一些内形成导电材料(S430)。该方法还包括在半导体衬底的主表面内形成(S440)源极区域和形成漏极区域。
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体器件、集成电路及半导体器件的制造方法-CN201410469693.9有效
发明人： A·梅瑟;T·施勒塞尔;T·迈尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-09-15 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件、集成电路及半导体器件的制造方法。半导体器件包括在具有第一主表面的半导体衬底中的晶体管。该晶体管包括源区、漏区、沟道区、漂移区以及邻近沟道区的至少两个侧的栅电极。沟道区和漂移区沿平行于第一主表面的第一方向被布置在源区和漏区之间。半导体器件进一步包括在栅电极之下并且与栅电极绝缘的导电层。
半导体器件集成电路制造方法

[发明专利]集成电路和制造集成电路的方法-CN201410522609.5有效
发明人： M·H·菲勒梅耶;A·梅瑟;T·施勒塞尔;F·希尔勒;M·珀尔齐尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路及制造集成电路的方法，该集成电路包括在具有主表面的半导体衬底中的晶体管。晶体管包括源极区域、漏极区域、沟道区域、漂移区、栅极电极以及邻近于栅极电极的栅极电介质。栅极电极被设置为邻近于沟道区域的至少两侧。沟道区域和漂移区沿着平行于主表面的第一方向被设置在源极区域与漏极区域之间。栅极电介质具有在栅极电极的不同位置处变化的厚度。
集成电路制造方法

[发明专利]具有横向FET单元和场板的半导体器件及其制造方法-CN201410499246.8有效
发明人： M·珀尔齐尔;T·施勒塞尔;A·梅瑟 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2014-09-25 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造半导体器件的方法，其包括在半导体鳍之间提供从第一表面延伸至半导体衬底之中的介电条状结构。提供覆盖第一区域的第一掩模，该第一区域包括介电条状结构的第一条状部分和半导体鳍的第一鳍部分。该第一掩模暴露包括第二条状部分和第二鳍部分的第二区域。通过引入杂质在第二鳍部分中形成沟道区/体区，其中第一掩模被用作注入掩模。使用基于第一掩模的蚀刻掩模，至少在第二条状部分中形成凹槽。
具有横向 fet 单元半导体器件及其制造方法

[发明专利]集成电路以及制造集成电路的方法-CN201410354654.4有效
发明人： A·梅瑟;M·聪德尔;T·施勒塞尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-07-24 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：提出一种集成电路以及制造集成电路的方法。该集成电路形成于半导体衬底中。该集成电路包括形成于该半导体衬底的第一主表面中的沟槽。该沟槽包括第一沟槽部分和第二沟槽部分。该第一沟槽部分与第二沟槽部分相连接。第一和第二沟槽部分的开口与第一主表面相邻。该集成电路进一步包括沟槽晶体管结构，沟槽晶体管结构包括设置在第一沟槽部分中的栅极电极，以及包括电容器电介质和第一电容器电极的沟槽电容器结构。电容器电介质和第一电容器电极布置在第二沟槽部分中。该第一电容器电极包括与第二沟槽部分的侧壁共形的层。
集成电路以及制造方法

[发明专利]半导体器件、集成电路以及用于制造半导体器件的方法-CN201610214998.4在审
发明人： A·迈泽尔;T·施勒塞尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-04-08 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了半导体器件、集成电路以及用于制造半导体器件的方法。半导体器件包括位于半导体主体中的晶体管，该半导体主体具有第一主表面(110)和第二主表面(120)，第一主表面(110)与第二主表面(120)相对。晶体管包括第一主表面(110)处的源极区(201)、漏极区(205)、主体区(220)、漂移区域(260)、以及主体区(220)处的栅极电极(210)。主体区(220)和漂移区域(260)沿着第一方向设置在源极区(201)与漏极区(205)之间，该第一方向与第一主表面(110)平行。栅极电极(210)设置于在第一方向上延伸的沟槽中。晶体管还包括与主体区(220)的第二主表面(120)相邻的绝缘层。源极区(210)垂直延伸到第二主表面。
半导体器件集成电路以及用于制造方法

[发明专利]在受控制的氧饱和度下通过发酵生产L-胱氨酸的方法-CN201280022801.7有效
发明人： T·达斯勒;A·罗伊特-迈尔;T·施勒塞尔 -专利权人：瓦克化学股份公司
申请日： 2012-05-04 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： C12P13/12 文献下载
摘要：本发明涉及通过在发酵培养基中使微生物菌株发酵生产L-胱氨酸的方法，在该方法中相对于全部半胱氨酸，L-胱氨酸以至少70％的量沉淀，其特征在于，在形成L-胱氨酸期间将发酵培养基的O2饱和度保持在至少1％且最多40±3％。
受控饱和度通过发酵生产胱氨酸方法

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