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[发明专利]用于确定定制颜色的镜片的方法和系统-CN201980050563.2有效
发明人： W·特罗蒂尔-拉普安特;J·吴;J-P·杜蒙特;单海峰;P·常;C·普斯 -专利权人：依视路国际公司
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G02C7/10 文献下载
摘要：本发明涉及用于确定定制颜色的镜片的方法和系统，所述方法包括以下步骤：确定目标比色数据集；提供对包括表示颜色的数据的数据库的访问；使用多个模拟模块，以基于来自所述数据库的所述数据根据确定的层组成和厚度来计算与确定的染料组合、组成和量的染料混合物或与多层堆叠体组合的所述镜片基材的多个模拟比色数据；以及将所述多个模拟比色数据与所述目标比色数据集进行颜色匹配，以便确定所述镜片基材与确定的染料混合物或确定的多层堆叠体的一种或多种组合。
用于确定定制颜色镜片方法系统

[发明专利]硅和硅锗纳米线结构-CN201811307141.2有效
发明人： K·J·库恩;S·金;R·里奥斯;S·M·赛亚;M·D·贾尔斯;A·卡佩尔拉尼;T·拉克什特;P·常;W·瑞驰梅迪 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-11-23 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L29/775 文献下载
摘要：本申请公开了硅和硅锗纳米线结构。描述了形成微电子结构的方法。这些方法的实施例包括形成纳米线器件，该纳米线器件包括：衬底，衬底包括位于间隔物附近的源极/漏极结构；以及位于间隔物之间的纳米线沟道结构，其中纳米线沟道结构在彼此之上垂直地层叠。
纳米结构

[发明专利]形成纳米线器件的方法-CN202111293126.9在审
发明人： K·J·库恩;S·金;R·里奥斯;S·M·赛亚;M·D·贾尔斯;A·卡佩尔拉尼;T·拉克什特;P·常;W·瑞驰梅迪 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-11-23 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及形成纳米线器件的方法。该方法包括：在衬底上形成外延硅锗上外延硅的交替层；通过蚀刻交替层形成多个鳍结构并在多个鳍结构附近形成沟槽；在多个鳍结构上形成鳍间隔物；执行第二沟槽蚀刻以使多个鳍结构的底部鳍区露出；使底部鳍区氧化；横跨和在所述多个鳍结构上形成多个间隔物，其中纳米线结构位于多个间隔物之间；在多个间隔物之间的所述纳米线结构上形成牺牲栅电极；从衬底上的源极/漏极区去除多个鳍结构的一部分，然后在源极/漏极区上形成源极/漏极结构，其中源极/漏极区位于所述多个间隔物附近；从多个间隔物之间去除牺牲栅电极；以及从位于多个间隔物之间的多个鳍结构中去除所述硅层。
形成纳米器件方法

[发明专利]形成器件的方法和形成纳米线器件的方法-CN202111293250.5在审
发明人： K·J·库恩;S·金;R·里奥斯;S·M·赛亚;M·D·贾尔斯;A·卡佩尔拉尼;T·拉克什特;P·常;W·瑞驰梅迪 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-11-23 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及形成器件的方法和形成纳米线器件的方法。其中，形成器件的方法可包括：在衬底上形成外延硅锗；在所述外延硅锗上形成外延硅；对布置在所述外延硅锗上的所述外延硅布图以形成鳍结构；在所述鳍结构上方形成牺牲栅电极；在所述牺牲栅电极的侧壁附近以及所述鳍结构上方形成间隔物；从所述衬底上的源极/漏极区去除所述鳍结构的半导体部分，然后在所述源极/漏极区上形成源极/漏极结构，其中所述源极/漏极区位于所述间隔物附近；从所述间隔物之间去除所述牺牲栅电极；以及从位于所述间隔物之间的所述鳍结构去除所述硅和所述外延硅锗中的一者。
形成器件方法纳米

[发明专利]抗Ly6E抗体及使用方法-CN201480055128.6有效
发明人： J·阿桑迪;R·法尔斯坦;P·波拉基斯;阪中千惠;P·常;R·T·韦努克 -专利权人：基因泰克公司
申请日： 2014-10-20 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： C07K16/18 文献下载
摘要：本发明提供抗Ly6E抗体，免疫缀合物及使用它们的方法。
ly6e 抗体使用方法

[发明专利]涉及多组双管道存储器电路的系统和方法-CN201580035542.5有效
发明人： M-H·黄;R·海格;P·常;L-L·舒 -专利权人： GSI科技公司
申请日： 2015-06-05 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： G06F12/06 文献下载
摘要：公开了多组双管道SRAM系统、方法、操作这样的SRAM的处理、和/或制造多组双管道SRAM的方法。例如，一个说明性多组双管道SRAM可以包括用于以下的特征：捕获读地址和写地址，经由一个或多个划分/组合处理对它们进行划分和/或组合，和/或将它们用总线运送到SRAM存储器组，其中，它们可以被读和写到特定的组。本文中的说明性多组双管道SRAM和方法还可以包括用于以下的特征：捕获两节拍的写数据，经由一个或多个划分/组合处理对它们进行划分和/或组合，以及将它们用总线运送到每个SRAM组，其中，它们经由一个或多个划分/组合处理被划分/组合/重组以对特定的组写数据。
涉及双管存储器电路系统方法

[发明专利]制造电子封装件的方法-CN201480025074.9有效
发明人： P·常;M·梅伯里 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-12-03 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：一些示例性形式涉及制造电子封装件的方法。该方法包括将包括微型器件的源晶片附连至目标晶片。该方法还包括从目标晶片去除一部分源晶片以形成电子封装件。当从目标晶片去除源晶片时，微型器件保留在目标晶片上。该方法还包括在电子封装件上执行后处理，所述电子封装件是在从目标晶片去除源晶片后形成的。在方法的一些形式中，当从目标晶片去除源晶片时，一些微型器件保留在源晶片上。
制造电子封装方法

[发明专利]抗Ly6E抗体和免疫缀合物及使用方法-CN201380038620.8有效
发明人： P·常;阪中千惠 -专利权人：基因泰克公司
申请日： 2013-05-20 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： A61K39/00 文献下载
摘要：本发明提供抗Ly6E抗体、免疫缀合物及使用它们的方法。
免疫缀合物抗体

[发明专利]用于纳米桥弱链接的硅化纳米线-CN201610143130.X有效
发明人：张慎明;P·常;G·M·科恩;M·A·圭罗恩 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2016-03-14 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于纳米桥弱链接的硅化纳米线，具体地，硅化纳米线作为约瑟夫森结中的纳米桥。超导硅化纳米线被用作约瑟夫逊结中的弱链接桥，并且采用制造过程以产生硅化纳米线，所述过程包括对来自硅衬底的粗糙纳米线和两个结岸进行图案化，通过氢退火重塑纳米线，以及通过将金属引入到纳米线结构中来硅化所述纳米线。
用于纳米链接

[发明专利]硅和硅锗纳米线结构-CN201611050993.9在审
发明人： K·J·库恩;S·金;R·里奥斯;S·M·赛亚;M·D·贾尔斯;A·卡佩尔拉尼;T·拉克什特;P·常;W·瑞驰梅迪 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2011-11-23 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请公开了硅和硅锗纳米线结构。描述了形成微电子结构的方法。这些方法的实施例包括形成纳米线器件，该纳米线器件包括：衬底，衬底包括位于间隔物附近的源极/漏极结构；以及位于间隔物之间的纳米线沟道结构，其中纳米线沟道结构在彼此之上垂直地层叠。
纳米结构

[发明专利]硅和硅锗纳米线结构-CN201180058034.0有效
发明人： K·J·库恩;S·金;R·里奥斯;S·M·赛亚;M·D·贾尔斯;A·卡佩尔拉尼;T·拉克什特;P·常;W·瑞驰梅迪 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2011-11-23 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：描述了形成微电子结构的方法。这些方法的实施例包括形成纳米线器件，该纳米线器件包括：衬底，衬底包括位于间隔物附近的源极/漏极结构；以及位于间隔物之间的纳米线沟道结构，其中纳米线沟道结构在彼此之上垂直地层叠。
纳米结构

[发明专利]硅和硅锗纳米线结构-CN201610421227.2在审
发明人： K·J·库恩;S·金;R·里奥斯;S·M·赛亚;M·D·贾尔斯;A·卡佩尔拉尼;T·拉克什特;P·常;W·瑞驰梅迪 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2011-11-23 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： B82Y10/00 文献下载
摘要：本申请公开了硅和硅锗纳米线结构。描述了形成微电子结构的方法。这些方法的实施例包括形成纳米线器件，该纳米线器件包括：衬底，衬底包括位于间隔物附近的源极/漏极结构；以及位于间隔物之间的纳米线沟道结构，其中纳米线沟道结构在彼此之上垂直地层叠。
纳米结构

[发明专利]包含非喷雾容器和储存在其中的剃毛辅助成分的封装产品-CN201480013492.6在审
发明人： P·常;R·吉蒙 -专利权人：永备电池有限公司
申请日： 2014-01-08 - 公布日： 2016-02-10 - 主分类号： A61Q9/02 文献下载
摘要：提供了一种封装产品及制造该封装产品的方法。封装产品包含非喷雾容器和剃毛辅助成分。该容器包含袋子。剃毛辅助成分为后发泡凝胶形式并且储存在袋子中。在该容器的使用寿命期间，该容器对于剃毛辅助成分是不可渗透的。剃毛辅助成分具有与温度相关的特性，其使得剃毛辅助成分能够在低于48℃的温度下储存在袋子内，而在容器的使用寿命期间不会导致剃毛辅助成分的体积显著增加。该剃毛辅助成分能够在低于48℃的温度下储存在袋子内，而在容器的使用寿命期间不会导致剃毛辅助成分的体积增加到导致袋子无意中被打开的量值。
包含喷雾容器储存中的辅助成分封装产品

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201310625288.7有效
发明人： J·B·常;P·常;M·A·古罗恩;J·W·斯雷特 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2013-11-28 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明涉及半导体结构及其形成方法。形成第一和第二半导体材料的交替叠层。在所述交替叠层上形成限定鳍片的掩模结构。随后形成平面化电介质层以及其中的第一和第二栅极腔。通过采用所述平面化层和所述限定鳍片的掩模结构作为蚀刻掩模蚀刻所述交替叠层，向下延伸所述第一和第二栅极腔。所述无锗的硅材料被各向同性蚀刻以横向扩展所述第一栅极腔并且形成包括所述硅锗合金的第一半导体纳米线阵列；并且所述硅锗合金被各向同性蚀刻以横向扩展所述第二栅极腔并且形成包括所述无锗的硅材料的第二半导体纳米线阵列。用替代栅结构填充所述第一和第二栅极腔。每个替代栅结构可以横向围绕二维半导体纳米线阵列。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201310612879.0有效
发明人： J·B·常;P·常;A·马宗达;J·W·斯雷特 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明涉及半导体结构及其形成方法。形成第一和第二半导体材料的交替叠层。在所述交替叠层上形成限定鳍片的掩模结构。随后形成平面化电介质层以及其中的第一和第二栅极腔。通过采用所述平面化层和所述限定鳍片的掩模结构作为蚀刻掩模蚀刻所述交替叠层，向下延伸所述第一和第二栅极腔。各向同性蚀刻所述第二半导体材料以横向扩展所述第一栅极腔并且形成包括所述第一半导体材料的第一半导体纳米线阵列，并且各向同性蚀刻所述第一半导体材料以横向扩展所述第二栅极腔并且形成包括所述第二半导体材料的第二半导体纳米线阵列。用替代栅结构填充所述第一和第二栅极腔。每个替代栅结构可以横向包围二维半导体纳米线阵列。
半导体结构及其形成方法

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