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[发明专利]具有可调阈值电压的高电子迁移率晶体管-CN201880053671.0有效
发明人：张坤好;N·乔杜里 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种高电子迁移率晶体管包括：一组电极，诸如源极(110)、漏极(120)、顶栅极(130)和侧栅极(140，150)；并且包括具有在源极和漏极之间延伸的鳍的半导体结构。顶栅极布置在鳍的顶部上，并且侧栅极距顶栅极一定距离而布置在鳍的侧壁上。半导体结构包括位于顶栅极下方的覆盖层(101)和布置在覆盖层下方以用于提供导电性的沟道层(102)。覆盖层包括氮化物基半导体材料，以使异质结能够在源极和漏极之间形成载流子沟道。
具有可调阈值电压电子迁移率晶体管

[发明专利]高电子迁移率晶体管及用于制造高电子迁移率晶体管的方法-CN201880089353.X有效
发明人：张坤好;N·乔杜里 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种高电子迁移率晶体管(HEMT)包括沟道半导体结构(160)，其包括层的堆叠体，该层的堆叠体按照层的材料的极化幅度的顺序布置在彼此顶部上，以在由堆叠体中各对层形成的异质结处形成多个载流子沟道。层的堆叠体包括第一层和第二层。第一层的极化幅度大于在堆叠体中布置在第一层下方的第二层的极化幅度，并且第一层的宽度小于第二层的宽度以形成沟道半导体结构的阶梯轮廓。HEMT包括包含重掺杂半导体材料的源极半导体结构(140)和包含重掺杂半导体材料的漏极半导体结构(150)。HEMT包括源极(110)、漏极(120)以及调制载流子沟道的导电率的栅极(130)。栅极具有阶梯形状，该阶梯形状具有跟踪沟道半导体结构的阶梯轮廓的踏面和竖直部。
电子迁移率晶体管用于制造方法

[发明专利]具有经由铁电负电容实现的虚拟电感器的滤波器-CN201880065323.5有效
发明人：张坤好;N·乔杜里 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-04-02 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H03H7/06 文献下载
摘要：一种滤波器(300)包括电路(330)，该电路(330)包括电阻器(301)、正电容器(303)和经由包括铁电层的负电容器(302)的虚拟电感器。该滤波器还包括接受电路两端的输入电压的输入端子(310)以及传送取自电阻器、正电容器或正电容器和负电容器的串联连接两端的输出电压的输出端子(320)以分别实现高通、低通或谐振特性。
具有经由铁电负电容实现虚拟电感器滤波器

[发明专利]立体选择性制备选择的嘌呤氨基磷酸酯-CN202180051015.9在审
发明人： A·莫萨;N·乔杜里 -专利权人：阿堤亚制药公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C07H19/14 文献下载
摘要：本发明提供了用于制备氨基磷酸酯核苷酸化合物1或其药学上可接受的盐的立体选择性方法。
立体选择性制备选择嘌呤氨基磷酸酯

[发明专利]无刻蚀ALGaN GaN三栅晶体管-CN202180022952.1在审
发明人：张坤好;N·乔杜里 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：包括源极、栅极和漏极的场效应晶体管器件的设备和方法。该晶体管包括位于源极、栅极和漏极下方的半导体区域位置。使得半导体区域可以包括氮化镓(GaN)层和III族元素氮化物(III‑N)层。其中，GaN层包括带隙，并且III‑N层包括带隙。使得III‑N层带隙高于GaN层带隙。半导体区域的子区域位于栅极下方并且在子区域中的选定位置处掺杂有Mg离子。
刻蚀 algan gan 晶体管

[发明专利]超结选通AlGaN GaN HEMT-CN202180022980.3在审
发明人：张坤好;N·乔杜里 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种晶体管器件，包括源极(104)和漏极(105)，所述源极和所述漏极位于沿竖直方向(V)的一位置处的水平面处。栅极(111)位于沿所述竖直方向比源极和漏极水平面更高的水平面处。所述源极和漏极水平面下方的第一区域包括第一III族氮化物(III‑N)层、所述第一III‑N层上的第二III‑N层。所述栅极下方的第二区域包括第一III‑N层、所述第一III‑N层上的第二III‑N层以及所述第二III‑N层上的第三III‑N层。所述第三III‑N层在沿晶体管的宽度的选择性位置处延伸穿过所述第二III‑N层并延伸到所述第一III‑N层的一部分中。所述第三III‑N层为P型掺杂的，并且所述第一III‑N和第二III‑N层为非故意掺杂的。
超结选通 algan gan hemt

[发明专利]压缩机转子叶片翼型件-CN202210447375.7在审
发明人： M·E·布洛姆;瓦桑塔鲁班·S;M·J·杜特卡;南达库玛·A·R;S·香提;P·达尔萨尼亚;C·L·哈伯特;S·M·德万加达;J·约翰;N·乔杜里;A·C·弗朗西斯;B·L·布什;J·P·拉蒂默 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： F04D29/38 文献下载
摘要：本发明题为压缩机转子叶片翼型件。本发明提供了一种转子叶片(44)，该转子叶片包括具有翼型形状(150)的翼型件(100)。该翼型形状(150)具有基本上根据表I、表II、表III、表IV、表V、表VI、表VII、表VIII或表IX中的一者中列出的X、Y和Z的笛卡尔坐标值的标称轮廓。X、Y和Z的笛卡尔坐标值是从0％到100％的无量纲值，其能够通过将X、Y和Z的笛卡尔坐标值乘以翼型件的以距离单位表示的缩放系数而转换成以距离单位表示的量纲距离。当由平滑连续的弧连接时，该X值和Y值在每个Z值处限定翼型轮廓截面。Z值处的该翼型轮廓截面彼此平滑地接合，以形成完整的翼型形状(150)。
压缩机转子叶片翼型件

[发明专利]压缩机定子导叶翼型件-CN202210478561.7在审
发明人： P·G·代维诺斯;瓦桑塔鲁班·S;M·J·杜特卡;N·K·V·拉奥;T·E·德约里斯;N·乔杜里;M·E·布洛姆;S·拉贾戈帕;P·达尔萨尼亚;S·L·赫斯金斯;S·M·德万加达;巴拉·穆拉利达尔·辛格·B;A·D·威廉姆森;J·约翰;南达库玛·A·R;J·P·拉蒂默;P·M·马洛伊 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： F04D29/54 文献下载
摘要：本发明提供了一种定子导叶(50)，该定子导叶包括具有翼型形状(150)的翼型件(100)。该翼型形状(150)具有基本上根据表I、表II、表III、表IV、表V、表VI、表VII或表VIII中的一者中列出的X、Y和Z的笛卡尔坐标值的标称轮廓。X、Y和Z的笛卡尔坐标值是从0％到100％的无量纲值，其能够通过将X、Y和Z的笛卡尔坐标值乘以翼型件的以距离单位表示的缩放系数而转换成以距离单位表示的量纲距离。当由平滑连续的弧连接时，该X值和Y值在每个Z值处限定翼型轮廓截面。Z值处的该翼型轮廓截面彼此平滑地接合，以形成完整的翼型形状(150)。
压缩机定子导叶翼型件

[发明专利]基于电子干涉的反相器-CN202180017836.0在审
发明人：张坤好;N·乔杜里 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2021-02-02 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：半导体器件包括至少三个臂。第一臂和第二臂的沟道延伸至第三臂的沟道。当因第一电压的施加而产生的电流从第一臂向第二臂流动时，生成从第一臂和第二臂的沟道到第三臂的沟道的弹道电子流。鳍结构位于第三臂中并且包括处于该鳍结构上方的栅极。栅极是使用第二电压来控制的。鳍结构被形成为对能量场结构进行感应，该能量场结构按第二电压的量移位，以控制栅极的弹道电子流穿过的开口，从而使弹道电子经受衍射然后经受干涉，该开口又改变耗尽宽度。
基于电子干涉反相器

[发明专利]具有轴向限制特征的连接环-CN201780097642.X有效
发明人： J·J·马丁;N·乔杜里 -专利权人：康明斯公司
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： F16B2/08 文献下载
摘要：提供了一种夹具系统(10)，该夹具系统(10)用于提供至少两个连接构件(12，14)的牢固附接，并且该夹具系统(10)包括连接环(16)，该连接环具有相对于连接环(16)的纵向轴线在轴向方向上延伸的凸缘部分(38)。凸缘部分(38)被构造成限制连接环(16)的轴向移动。在夹具系统(10)中还包括联接夹具(18)，该联接夹具(18)被构造成当联接夹具(18)与连接环(16)紧固时产生用于夹具系统(10)的力，使得至少两个连接构件(12，14)通过紧固的联接夹具(18)牢固地附接。
具有轴向限制特征连接

[发明专利]减少由于地址转换缺失而引起的管线暂缓的方法、装置和系统-CN201980056820.3在审
发明人： P·戈沙尔;N·乔杜里;R·拉贾戈帕兰;P·埃比勒;B·斯坦普尔;D·S·雷;T·P·施派尔 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： G06F12/1027 文献下载
摘要：提出了一种用于减少由于地址转换缺失引起的管线暂缓的方法、装置和系统。一种装置包括：存储器访问指令管线，耦合到存储器访问指令管线的转换后备缓冲器，以及耦合到TLB和存储器访问指令管线两者的TLB缺失队列。TLB缺失队列被配置为选择性地存储第一存储器访问指令连同与第一存储器访问指令相关联的信息，由于第一存储器访问指令在TLB中缺失，第一存储器访问指令已经被从存储器访问指令管线移除。TLB缺失队列还被配置为将第一存储器访问指令重新引入到存储器访问指令管线，存储器访问指令管线与地址转换的返回相关联，该地址转换与第一存储器访问指令有关。
减少由于地址转换缺失引起管线暂缓方法装置系统

[发明专利]用于预取存储指令的独占高速缓存一致性状态的方法、装置和系统-CN201980055916.8在审
发明人： L·颜;N·乔杜里;P·戈沙尔;T·P·施派尔;B·M·斯坦普尔;W·J·麦卡沃伊;P·埃比勒 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： G06F12/0888 文献下载
摘要：公开了用于预取存储指令的独占高速缓存一致性状态的方法、装置和系统。装置可以包括高速缓存和耦合到高速缓存上的收集缓冲器。收集缓冲器可以被配置为存储多个高速缓存行，多个高速缓存行中的每个高速缓存行与存储指令相关联。收集缓冲器还可以被配置为确定与第一存储指令相关联的第一高速缓存行是否应当在高速缓存中被分配。如果与第一存储指令相关联的第一高速缓存行在高速缓存中待分配，则收集缓冲器被配置为发出预写请求以获取对与第一存储指令相关联的第一高速缓存行的独占高速缓存一致性状态。
用于存储指令独占高速缓存一致性状态方法装置系统

[发明专利]气味剂仲醇及其组合物-CN201980036627.3在审
发明人： F·波斯特;L·多什恰克;N·乔杜里;R·喀鄱斯 -专利权人：丝趣科尔卡有限公司
申请日： 2019-05-23 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： C11B9/00 文献下载
摘要：本发明涉及新类别的衍生自2,3‑二甲基丁烯的有气味的醇(气味剂)，其可用作香味或风味物质，特别是在向香料、芳香或除臭/掩蔽组合物提供具有复杂特征的天然松嗅觉香韵方面。
气味剂仲醇及其组合

[发明专利]具有厚度沿晶体管宽度变化的半导体层的高电子迁移率晶体管-CN201880053612.3在审
发明人：张坤好;N·乔杜里 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-04-02 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种高电子迁移率晶体管(HEMT)包括半导体结构，该半导体结构包括形成异质结的覆盖层(101)和沟道层(102)，使得在覆盖层和沟道层的界面处形成二维电子气。HEMT还包括一组电极，该组电极包括沉积在覆盖层上的源极(110)、漏极(120)和栅极(130)。栅极沿着HEMT的长度布置在源极和漏极之间。覆盖层的至少在栅极下方的厚度沿着HEMT的宽度变化。
具有厚度晶体管宽度变化半导体电子迁移率

[发明专利]具有多金属栅极的晶体管-CN201880061969.6在审
发明人：张坤好;N·乔杜里 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种晶体管，该晶体管包括具有沿着晶体管的宽度分布的多个金属(M1‑M5)的栅极(130)。栅极中的金属中的每一个具有不同的功函数。当例如用作射频晶体管时，这种复合栅极提供更高的线性度。
具有金属栅极晶体管

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