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[发明专利]半导体芯片及其形成方法、芯片系统及其形成方法-CN202310071179.9在审
发明人： H·庄;O·布兰克;P·A·卡洛;M·丁克尔;J·霍格劳尔;D·赫茨尔;林维安;G·T·内鲍尔;R·奥特伦巴;M·普埃尔兹;沈盈博;X·施勒格尔;陈志文;H·B·泰奥 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体芯片。所述半导体芯片可以包括：正面，其包括控制芯片触点和第一受控芯片触点；背面，其包括第二受控芯片触点；背面金属化部，其形成在所述背面之上并且与所述第二受控芯片触点接触；以及至少部分地沿着所述背面的外边缘在所述背面金属化部的接触部分和所述背面的外边缘之间延伸的止挡区域，其中，所述接触部分被配置成通过裸片附接材料附接到导电结构，其中，所述止挡区域的表面相对于所述接触部分的表面凹陷，和/或所述止挡区域的表面相对于所述裸片附接材料具有比所述接触部分更低的可润湿性。
半导体芯片及其形成方法系统

[发明专利]半导体封装体及其制造方法-CN202211196360.4在审
发明人： P·A·卡洛;T·贝默尔;J·M·戈阿;E·迈尔斯;郑伟文;S·马海因尔;M·丁克尔;A·皮勒 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种半导体封装体包括引线框架，所述引线框架包括裸片焊盘和第一排引线，其中，所述第一排引线中的至少一个引线通过间隙与所述裸片焊盘物理上分离。所述半导体封装体还包括布置在引线框架上的半导体部件。所述半导体封装体还包括包封引线框架和半导体部件的包封材料，其中，包封材料包括布置在半导体封装体的底表面处的底表面、顶表面和从底表面延伸到顶表面的侧表面。所述第一排引线中的至少一个引线的侧表面与所述包封材料的侧表面齐平。所述至少一个引线的齐平的侧表面被电镀金属涂层覆盖。
半导体封装及其制造方法

[实用新型]半导体封装器件以及相应的电子装置-CN202021390629.9有效
发明人： W·A·J·林;C·C·李;W·B·郑;M·丁克尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L23/28 文献下载
摘要：公开了一种半导体封装器件(10)，所述半导体封装器件(10)包括：封装材料(1)、引脚(2)以及至少部分从封装材料(1)外露的互连夹(3)，其中，所述互连夹(3)形成有在封装半导体封装器件(10)之前预先形成在互连夹(3)上的用于标识所述引脚(2)中的至少一个引脚的引脚标识(4)。还公开了一种相应的电子装置(100)。根据本公开，可以简单、低成本地形成不容易消失的引脚标识。
半导体封装器件以及相应电子装置

[发明专利]包括位于其封装体主体中的腔的半导体封装体-CN202010764637.3在审
发明人： R·奥特伦巴;M·丁克尔;J·霍格劳尔;A·凯斯勒 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种半导体封装体，其包括：封装体主体；包封在封装体主体中的半导体组件；以及形成在封装体主体的底表面中的腔。
包括位于封装主体中的半导体

[发明专利]包括锁定凹陷的夹具-CN202010411005.9在审
发明人： M·莱瓦尔多;R·R·A·阿里尼亚;M·丁克尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开了用于将封装件(106)中的电子部件(102)与载体(104)连接的夹具(100)，所述夹具(100)包括：夹具主体(108)，其具有：部件连接部分(110)，其被配置用于与要安装在所述载体(104)上的所述电子部件(102)连接；以及载体连接部分(112)，其被配置用于与所述载体(104)连接；其中，所述夹具(100)还包括处于所述夹具主体(108)的表面部分中的至少一个锁定凹陷(114)，所述表面部分被配置为面向所述载体(104)，并且其中，所述至少一个锁定凹陷(114)被配置用于容纳所述封装(106)的包封体(128)的材料，从而锁定所述包封体(128)和所述夹具(100)。
包括锁定凹陷夹具

[发明专利]芯片封装及其形成方法、半导体器件及其形成方法、半导体装置及其形成方法、三相系统-CN202010278971.8在审
发明人： T·纳耶夫;R·奥特伦巴;T·沙夫;M·丁克尔;M·格鲁贝尔;E·卡赫里曼诺维奇 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供了芯片封装。所述芯片封装可以包括：半导体芯片，其在正面上包括第一连接焊盘和第二连接焊盘；载体，其包括焊盘接触区域和凹陷；包封材料，其包封半导体芯片；第一外部连接，其没有包封材料或延伸出包封材料；导电夹具；以及接触结构，其中，半导体芯片被布置为使其正面面对载体，其中第一连接焊盘在凹陷之上，并且第二连接焊盘接触焊盘接触区域，其中，夹具布置在半导体芯片的背面之上，覆盖半导体芯片，在半导体芯片处，夹具在凹陷之上延伸，并且其中，导电接触结构将第一连接焊盘与第一外部连接导电连接。
芯片封装及其形成方法半导体器件半导体装置三相系统

[发明专利]具有顶侧冷却部的SMD封装-CN201811049585.0在审
发明人： R·奥特伦巴;M·丁克尔;U·弗雷勒;J·霍格劳尔;U·基希纳;G·洛曼;K·席斯;X·施勒格尔 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2018-09-10 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：一种封装，包封功率半导体管芯且具有封装主体，封装主体具有封装顶侧、封装覆盖区侧和封装侧壁，封装侧壁从封装覆盖区侧延伸到封装顶侧，其中管芯具有第一和第二负载端子且被配置为阻挡施加在负载端子之间的阻断电压，其中封装包括：引线框架结构，被配置为将封装电气和机械地耦合到支撑件，其中封装覆盖区侧面向支撑件，引线框架结构包括至少一个第一外部端子，其延伸出封装覆盖区侧和/或封装侧壁之一并与管芯的第一负载端子电连接；顶层，布置在封装顶侧并与管芯的第二负载端子电连接；以及散热器，散热器布置在封装主体外部并与顶层电接触，散热器的底表面面向顶层，其中散热器还具有顶表面，顶表面的面积大于底表面的面积。
封装散热器负载端子覆盖区顶侧封装侧壁封装主体顶层管芯引线框架结构电连接顶表面支撑件功率半导体管芯表面面向外部端子阻断电压电接触冷却部耦合到延伸包封配置施加阻挡侧面外部

[发明专利]包括金属衬底和嵌入层合体的半导体模块的电子设备-CN201610298383.4有效
发明人： M·丁克尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-05-06 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L23/28 文献下载
摘要：根据本发明的电子设备包括：包括金属层的衬底；设置在所述衬底上方的电绝缘层；设置在所述电绝缘层上方的半导体模块；以及设置在所述电绝缘层上方的层合层。所述层合层至少部分嵌入所述半导体模块。
包括金属衬底嵌入合体半导体模块电子设备

[发明专利]具有集成式磁场传感器的功率封装体-CN201610455472.5有效
发明人： G·A·巴布拉诺;L·陈;M·丁克尔;F·约斯特;S·米斯林格尔;J·厄特延;T·萨尔米宁 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-06-22 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：提供了一种具有集成式磁场传感器的功率封装体。功率半导体封装体包括：基板，该基板具有多条金属引线；功率半导体管芯，该功率半导体管芯附接到引线中的第一引线；以及磁场传感器，该磁场传感器被集成在与功率半导体管芯相同的功率半导体封装体中，并且被设置为紧密邻近于功率半导体管芯的电流通路。磁场传感器操作为响应于由在电流通路中流动的电流所产生的磁场而生成信号，信号的幅度与在电流通路中流动的电流的量成比例。
具有集成磁场传感器功率封装

[发明专利]具有集成的功率电子电路系统和逻辑电路系统的模块-CN201510492902.6有效
发明人：陈柳;M·丁克尔;T·萨米南 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-08-12 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H05K1/11 文献下载
摘要：具有集成功率电子电路系统和逻辑电路系统的集成功率模块包括埋置功率半导体模块、多层逻辑印刷电路板和柔性连接，该埋置功率半导体模块包括被埋置在介电材料中的一个以上功率半导体裸片，该逻辑印刷电路板具有被装配至该逻辑印刷电路板的表面的一个以上逻辑裸片，该柔性连接被整体地形成在埋置功率半导体模块和逻辑印刷电路板之间。该柔性连接将埋置功率半导体模块机械地连接至逻辑印刷电路板，并且提供埋置功率半导体模块和逻辑印刷电路板之间的电气通路。一种制造该集成功率模块的方法也被提供。
逻辑印刷电路板功率半导体模块埋置柔性连接集成功率模块逻辑电路系统功率电子电路系统电子电路系统功率半导体电气通路介电材料逻辑裸片地连接多层裸片成功率装配制造

[发明专利]具有散热器的重叠模塑的基板‑芯片布置-CN201410429670.5有效
发明人： P·奥斯米茨;J·舍费尔;陈柳;M·丁克尔;S·马切纳 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-08-27 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明的各实施方式总体上涉及具有散热器的重叠模塑的基板‑芯片布置。具体地，一种电子设备，包括基板、被安装在基板上和被电连接至基板并且被配置作为用于控制连接系统的系统控制单元的至少一个电子芯片、被热连接至该至少一个电子芯片并且被配置用于移除在电子设备的操作时由该至少一个电子芯片生成的热量的热量移除结构以及被配置用于至少部分封装至少该至少一个电子芯片和基板的重叠模塑结构。
具有散热器重叠芯片布置

[发明专利]具有源极在下配置的晶体管管芯和漏极在下配置的晶体管管芯的半导体封装-CN201710325396.0在审
发明人： D·阿勒斯;M·丁克尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：一种半导体封装包括衬底、固定到衬底的第一晶体管管芯和固定到衬底的第二晶体管管芯。第一晶体管管芯具有源极端子，位于第一晶体管管芯的面向衬底的底侧处；以及漏极端子和栅极端子，位于第一晶体管管芯的背离衬底的顶侧处。第二晶体管管芯具有漏极端子，位于第二晶体管管芯的面向衬底的底侧处；以及源极端子和栅极端子，位于第二晶体管管芯的背离衬底的顶侧处。所述封装还包括在第一晶体管管芯的漏极端子和第二晶体管管芯的源极端子之间的公共电连接。
有源在下配置晶体管管芯半导体封装

[发明专利]含聚合物添加剂的多孔无机材料-CN200580023580.5无效
发明人：费比恩·琼·布兰德;P·布贾德;H·霍庇;M·穆勒;M·丁克尔 -专利权人：西巴特殊化学品控股有限公司
申请日： 2005-07-06 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： C08K9/04 文献下载
摘要：本发明涉及SiO_z薄片，尤其是多孔SiO_z薄片，其中0.70≤z≤2.0，尤其是0.95≤z≤2.0，它包含在孔隙中的聚合物添加剂，从而提供强化(长期)的效力。本发明的进一步的方面是其制备方法和包含此种SiO_z薄片的聚合物组合物。
聚合物添加剂多孔无机材料

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