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[发明专利]具有离散金属堆叠图案的堆叠电感器-CN202280017822.3在审
发明人：金钟海;C·H·芸;J-H·兰;R·达塔 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01F17/00 文献下载
摘要：一种电感器包括第一金属化层多匝迹线。该电感器还包括第二金属化层多匝迹线，该第二金属化层多匝迹线通过至少一个第一过孔被耦合至第一金属化层多匝迹线。该电感器还包括多个离散的第三金属化层迹线段，该多个离散的第三金属化层迹线段通过多个第二过孔耦合至第二金属化层多匝迹线。
具有离散金属堆叠图案电感器

[发明专利]包括被配置为至少一个声学滤波器的声学谐振器的衬底-CN202180057254.5在审
发明人：金钟海;J-H·兰;R·达塔 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H03H9/10 文献下载
摘要：一种衬底(202)，包括包封层(203)、第一声学谐振器(205)、第二声学谐振器(207)、至少一个第一电介质层(240)、多个第一互连件(244)、至少一个第二电介质层(260)和多个第二互连件(264)。该第一声学谐振器(205)位于该包封层中。该第一声学谐振器(205)包括第一压电衬底(250)，该第一压电衬底(250)包括第一厚度。该第二声学滤波器(207)位于该包封层(203)中。该第二声学谐振器(207)包括第二压电衬底(270)，该第二压电衬底(270)包括不同于该第一厚度的第二厚度。该至少一个第一电介质层耦合到该包封层的第一表面。该多个第一互连件耦合到该包封层的该第一表面。该多个第一互连件至少位于该至少一个第一电介质层中。
包括配置至少一个声学滤波器谐振器衬底

[发明专利]具有围绕凸块的共形管芯边缘图案的电容器内插层（CIL）小芯片设计-CN202180052823.7在审
发明人： J-H·兰;金钟海;J·金 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：集成电路(IC)封装包括芯片。芯片具有前侧表面和与前侧表面相对的背侧表面。芯片的前侧表面包括多个凸块位点。集成电路封装也包括多个管芯。多个管芯中的每个管芯由集成无源器件构成。多个管芯具有共形管芯边缘图案，以使得能够将多个管芯中的每个管芯的前侧表面放置在芯片前侧表面上的多个凸块位点的预定部分上。
具有围绕管芯边缘图案电容器内插 cil 芯片设计

[发明专利]使用砷化镓的高性能可调谐滤波器-CN202180045970.1在审
发明人： J-H·兰;金钟海 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H03H1/00 文献下载
摘要：公开了一种砷化镓(GaAs)使能的可调谐滤波器，用于例如6GHz Wi‑Fi RF前端，具有集成的高性能变容器、金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器和3D螺线管电感器。可调谐滤波器包括具有高电容调谐比的超突变可变电容器(120)(变容器)。可调谐滤波器还包括GaAs衬底，其中形成有GaAs通孔(160)(TGV)。变容器与MIM电容器和3D电感器(142)一起形成在GaAs衬底的上表面上的上部导电结构(150)中。包括下部导体的下部导电结构(170)形成在GaAs衬底的下表面上。下部导电结构与上部导电结构之间的电耦合由TGV提供。可调谐滤波器可以与射频前端(RFFE)器件集成。
使用砷化镓性能调谐滤波器

[发明专利]具有气腔结构的玻璃上天线-CN202180040831.X在审
发明人： J-H·兰;朴相俊;金钟海 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： H01Q1/22 文献下载
摘要：公开了一种玻璃上天线(AOG)设备，其具有至少部分地形成在光敏玻璃基板中的气腔。气腔结构至少部分地包围该气腔并且其中该气腔结构至少部分地由该光敏玻璃基板形成。天线由顶部导电层的一部分形成，该顶部导电层设置在该气腔结构的顶部表面上方并且至少部分地与该气腔重叠。提供了一种金属化结构，该金属化结构具有底部导电层，该底部导电层设置在该气腔结构的底部表面上，其中该底部导电层通过穿过该光敏玻璃基板设置的导电柱电耦接到该顶部金属层。此外，该AOG设备可以集成一个或多个MIM电容器和/或电感器，该一个或多个MIM电容器和/或电感器允许用于RF滤波和阻抗匹配。
有气结构玻璃天线

[发明专利]用于传输（TX）路径中的高功率处理滤波器的带有薄膜散热器（TF-HS）层的先进集成无源器件（IPD）-CN202180040615.5在审
发明人： J-H·兰;金钟海;R·达塔 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-05-04 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：描述了一种半导体封装件。该半导体封装件包括无源衬底和无源衬底上的第一层间介电(ILD)层中的第一集成无源器件(IPD)。半导体封装件还包括在第一ILD层上的第二ILD层。该半导体封装件进一步包括在第二ILD层上的第三ILD层中的第二IPD。该半导体封装件还包括在第二IPD的电感元件上的热缓解结构。
用于传输 tx 路径中的功率处理滤波器带有薄膜散热器 tf hs 先进集成无源

[发明专利]包括具有共享衬底盖的堆叠的滤波器的封装件-CN202180030964.9在审
发明人：金钟海;J-H·兰;R·达塔;M·沙;P·奇达巴拉姆 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H03H9/05 文献下载
摘要：一种封装件，包括：包括第一聚合物框架(318)的第一滤波器(312)、衬底盖(320)、包括第二聚合物框架(338)的第二滤波器(332)、至少一个互连件(340)、包封层(450)和多个贯穿包封过孔(452)。该衬底盖耦合到该第一聚合物框架，使得在该衬底盖和该第一滤波器之间形成第一空隙(321)。该第二聚合物框架耦合到该衬底盖，使得在该衬底盖和该第二滤波器之间形成第二空隙(323)。该至少一个互连件耦合到该第一滤波器和该第二滤波器。该包封层包封该第一滤波器、该衬底盖、该第二滤波器和该至少一个互连件。该多个贯穿包封过孔耦合到该第一滤波器。
包括具有共享衬底堆叠滤波器封装

[发明专利]具有单晶声学谐振器/滤波器的异质集成宽带高电子迁移率晶体管功率放大器-CN202180028660.9在审
发明人： J-H·兰;R·达塔;金钟海 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H03H9/05 文献下载
摘要：描述了一种3D集成电路(3D IC)芯片(400)。该3D IC芯片包括具有化合物半导体高电子迁移率晶体管(HEMT)有源器件(410)的管芯(440)。该化合物半导体HEMT有源器件由单晶化合物半导体层上的化合物半导体层(420)组成。该3D IC芯片还包括集成在该单晶化合物半导体层中的声学器件(430)。该3D IC芯片还包括无源器件，该无源器件集成在该单晶化合物半导体层上的该管芯的后段制程层(450)中。
具有声学谐振器滤波器集成宽带电子迁移率晶体管功率放大器

[发明专利]具有电磁屏蔽件的集成器件-CN202080076501.1在审
发明人：金钟海;J-H·兰;R·达塔 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：通过屏蔽技术改进从第一晶圆到第二晶圆的晶圆接合工艺的EM耦合。示例可以包括构建由BEOL堆叠体/布线、接合接触部和TSV实施的EM屏蔽件用于集成器件闭环屏蔽平台，以使涡电流引起的来自有源器件的EM干扰最小化。在使用两个不同的器件层/晶圆(有源器件层/晶圆和无源器件层/晶圆)的晶圆到晶圆接合工艺期间，该屏蔽件可以在该有源器件层中实施。该屏蔽件可以通过用于I/O端口和GND接触部两者的图案化的布线来进行设计。
具有电磁屏蔽集成器件

[发明专利]具有变化厚度的电感器-CN201480047926.4有效
发明人： D·D·金;C·左;C·H·尹;M·F·维纶茨;R·P·米库尔卡;X·张;J·金;J-H·兰 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2014-07-29 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01F17/00 文献下载
摘要：一种特定器件包括基板和耦合至该基板的螺旋电感器。该螺旋电感器包括第一导电螺旋和覆盖第一导电螺旋的第二导电螺旋。该螺旋电感器的最内匝的第一部分具有在垂直于基板的方向上的第一厚度。该最内匝的第一部分包括第一导电螺旋的第一部分且不包括第二导电螺旋。该最内匝的第二部分包括第二导电螺旋的第一部分。该螺旋电感器的最外匝的一部分具有在垂直于基板的方向上的大于第一厚度的第二厚度。该最外匝的一部分包括第一导电螺旋的第二部分以及第二导电螺旋的第二部分。
具有变化厚度电感器

[发明专利]半导体器件上的混合变压器结构-CN201380060695.6有效
发明人： C·S·洛;J-H·兰;M·F·维纶茨;J·金 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2013-11-21 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：若干新颖特征涉及一种在具有多个层的半导体管芯内形成的混合变压器。该混合变压器包括置于该管芯的第一层上的第一组绕组(702)。第一层置于该管芯的基板上方。第一组绕组包括第一端口(706)和第二端口(708)。第一组绕组被安排成作为第一电感器来操作。该混合变压器包括置于该管芯的第二层上的第二组绕组(704)。第二层置于该基板上方。第二组绕组包括第三端口(710)、第四端口(712)和第五端口(714)。第二组绕组被安排成作为第二电感器和第三电感器来操作。第一组绕组和第二组绕组被安排成作为垂直耦合混合变压器来操作。
半导体器件混合变压器结构

[发明专利]三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的可调谐共用器以及相关组件和方法-CN201480025365.8有效
发明人： C·左;D·D·金;J-H·兰;J·金;M·F·维纶茨;C·尹;D·F·伯蒂;R·P·米库尔卡;M·M·诺瓦克;X·张;P·H·西伊 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2014-05-02 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H03H7/46 文献下载
摘要：公开了三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的可调谐共用器。在一个实施例中，该可调谐共用器可以通过在共用器中提供变抗器或者可变电感器之一来形成。变抗器或者可变电感器的可变本质允许共用器中的陷波被调谐从而选择一带阻以消除在期望频率处的谐波而又控制通带的截止频率。通过将该共用器的元件堆叠成三维，空间得以节省并且各种变抗器和电感器能够被使用。
三维集成电路 ic dic 中的调谐共用以及相关组件方法

[发明专利]具有气隙结构的垂直耦合变压器-CN201480010148.1有效
发明人： J-H·兰;C·S·罗;J·金;J·H·洪 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2014-02-17 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： H01F27/28 文献下载
摘要：在特定实施例中，一种设备包括低损耗基板、第一电感器结构、以及气隙。该第一电感器结构在该低损耗基板与第二电感器结构之间。第一电感器结构与第二电感器结构对齐以形成变压器。气隙在第一电感器结构与第二电感器结构之间。
有气结构垂直耦合变压器

[发明专利]具有集成定向耦合器的RF多路复用器-CN201780018695.8在审
发明人： Y·马;C·左;D·伯蒂;D·金;C·尹;J-H·兰;M·维纶茨;N·S·慕达卡特;R·米库尔卡;J·金 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-03-01 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H03H7/46 文献下载
摘要：RF共用器设有集成共用器，其共享该RF共用器内的通道中所包括的初级电感器。
共用器初级电感器定向耦合器多路复用器共享

[发明专利]使用穿玻璃通孔技术的共用器与制造方法-CN201480004581.4有效
发明人： C·左;J·金;M·F·维纶茨;J-H·兰;D·金;C·尹;D·F·伯蒂;R·P·米库尔卡;M·M·诺瓦克;X·张;P·H·西 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2014-01-13 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H03H7/46 文献下载
摘要：一种共用器(200，240)包括具有一组穿基板通孔的基板(242)。该共用器还包括在该基板的第一表面上的第一组迹线(206，226，228)。这些第一迹线被耦合到这些穿基板通孔(224)。该共用器进一步包括在该基板的与该第一表面对向的第二表面上的第二组迹线(228)。这些第二迹线被耦合至该组穿基板通孔的对向端。这些穿基板通孔和这些迹线还作为3D电感器来工作。该共用器还包括由该基板支持的电容器(210，212，214，230)。
使用玻璃技术共用设计

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