[发明专利]用于高电阻率及超高电阻率单晶硅锭生长的阔颈板的改进型电阻率稳定测量在审
| 申请号： | 201980086459.9 | 申请日： | 2019-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN113227464A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 卡瑞喜玛·玛莉·哈德森;李衡敏;J·柳;R·J·菲利普斯;R·W·斯坦德利 | 申请（专利权）人： | 环球晶圆股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/04 | 分类号： | C30B15/04;C30B29/06;C30B15/20;C30B33/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 江葳 |
| 地址： | 中国台湾新竹市科学*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明揭示具有改进型电阻率控制的用于形成单晶硅锭的方法。所述方法涉及样品棒的生长。所述样品棒可具有小于产品锭的直径的直径。裁切所述样品棒以形成中心板。可例如通过四点探针直接测量所述中心板的电阻率。可在测量所述电阻率之前在热供体消除循环中使所述样品棒或任选地所述中心板退火，且使用光辐射所述经退火棒或板以便增强松弛速率且实现更快速电阻率测量。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电阻率 超高 单晶硅 生长 阔颈板 改进型 稳定 测量 | ||
【主权项】：
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- 本公开涉及一种硼‑镓共掺单晶设备及其制备方法，所述设备包括单晶炉，二次加料装置，提拉装置和单独的加料小管，制备方法包括以下步骤：步骤S1：通过二次加料装置向单晶炉加入第一原料，所述第一原料包括以下组分：第一硅料80000‑120000重量份，掺硼合金80‑120重量份，纯镓0.5‑2重量份，熔化第一原料，熔化后的第一原料结晶得到第一单晶棒；从石英坩埚内取出第一单晶棒；步骤S2：通过二次加料装置向单晶炉加入第二原料，所述第二原料包括以下组分：第二硅料160000‑200000重量份，掺硼合金160‑200重量份，纯镓0.5‑2重量份，熔化第二原料，熔化后的第二原料结晶得到第二单晶棒。
- 改善CIS暗电流的方法-202211269738.9
- 张沛 - 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
- 2022-10-17 - 2023-03-07 - C30B15/04
- 本发明涉及一种改善CIS暗电流的方法，所属半导体晶圆加工技术领域，包括了对金属氧化物半导体二极管图像传感器中抛光片衬底的电阻率和氧含量范围以及所需要的晶体特征及要避免的明显缺陷：(1)、控制晶棒头部～尾部氧含量15～12atoms/cm
- 一种掺磷、掺砷单晶改善轴向电阻率均匀性的工艺方法-202211473951.1
- 范宋杰;梁兴勃;郑铁波;何永增;王少辉;牛鹏举;程建国;龚益峰 - 浙江金瑞泓科技股份有限公司
- 2022-11-23 - 2023-02-24 - C30B15/04
- 本发明公开了一种掺磷、掺砷单晶改善轴向电阻率均匀性的工艺方法，包括以下步骤：将炉体内的热屏的下端开口直径设置为300‑360mm，将炉体拆开，记录籽晶的初始位置的底部与热屏的下端开口平面之间的第一距离；生产前根据之前记录的第一距离将籽晶下降至底面与热屏的下端开口齐平的位置，再下降第二距离，炉体内盛放有溶液的埚位上升，直到籽晶的底面与溶液刚好接触；开始拉晶，籽晶向上移动拉近籽晶底面与热屏的下端开口之间的距离，在拉晶的同时控制炉内的压强。本发明可以解决现有技术中轴向电阻率偏高的问题，可以将轴向电阻率偏差控制在15％以内。
- 单晶硅及其制备方法-202110515896.7
- 张志敏;王贵梅;刘苗 - 晶澳太阳能有限公司
- 2021-05-12 - 2023-01-24 - C30B15/04
- 本发明公开一种单晶硅及其制备方法。该制备方法为直拉法，包括在惰性气体的环境下对多晶硅料进行熔融和拉晶的步骤；其中在该制备方法中添加掺杂剂，所述掺杂剂包括镓和锑。本发明提供的制备方法可以使掺镓单晶硅的纵向电阻率分布均匀，兼顾单晶硅的电阻率和生产成本。
- 一种高品质N型单晶拉制工艺及单晶-202110800677.3
- 沈浩平;刘有益;杨志;王林;李建军;高利强 - 内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
- 2021-07-15 - 2023-01-17 - C30B15/04
- 本发明提供一种高品质N型单晶拉制工艺及单晶，在拉制任一颗单晶时，在拉晶过程中，添加施主杂质和受主杂质，以便于控制单晶的电阻率；其中，施主杂质在装料和/或取段复投过程中，以固体形式加入原料中，在单晶生长过程中，受主杂质以气体形式通入单晶炉内；或，受主杂质在装料和/或取段复投过程中，以固体形式加入原料中，在单晶生长过程中，施主杂质以气体形式通入单晶炉内。本发明的有益效果是根据施主杂质与受主杂质的分凝系数不同，在以不同形式不同方式不同时机在单晶拉制过程中加入，改变施主杂质和受主杂质在硅中的自然分凝规律，使得单晶的电阻率分布窄，提高硅片电池转化效率，有效抑制电阻率衰减。
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