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- [发明专利]用于高深宽比结构的移除方法-CN202310498893.6在审
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L·徐;陈智君;J·黄;王安川
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应用材料公司
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2017-11-08
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2023-08-08
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H01L21/3213
- 示例性清洁或蚀刻方法可包括:使含氟前驱物流进半导体处理腔室的远程等离子体区域。方法可包括:在所述远程等离子体区域内形成等离子体,以生成所述含氟前驱物的等离子体流出物。所述方法还可包括:使所述等离子体流出物流进所述半导体处理腔室的处理区域。基板可定位在所述处理区域内,并且所述基板可包括被暴露的氧化物的区域。方法还可包括:将含氢前驱物提供至所述处理区域。所述方法可进一步包括:移除所述被暴露的氧化物的至少一部分,同时将所述处理区域内的相对湿度维持在低于约50%。在移除之后,所述方法可包括,将所述处理区域内的所述相对湿度增加至大于50%或为约50%。所述方法可进一步包括:移除额外量的所述被暴露的氧化物。
- 用于高深结构方法
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