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[发明专利]用于颗粒控制的腔室配置和工艺-CN202180076860.1在审
发明人：吴飞;A·A·哈贾;S·哈;G·巴拉苏布拉马尼恩;V·普拉巴卡尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-10-11 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：示例性处理方法可包括以下步骤：在半导体处理腔室的远程区域中形成清洁前驱物的等离子体。所述方法可包括以下步骤：将清洁前驱物的等离子体流出物流动到半导体处理腔室的处理区域中。所述方法可包括以下步骤：将基板支撑件与等离子体流出物接触达第一时间段。所述方法可包括以下步骤：将基板支撑件从第一位置降低至第二位置，同时继续流动清洁前驱物的等离子体流出物。所述方法可包括以下步骤：清洁半导体处理腔室的处理区域达第二时间段。
用于颗粒控制配置工艺

[发明专利]用于处理基板的方法-CN202010489010.1有效
发明人： P·K·库尔施拉希萨;K·D·李;金柏涵;Z·J·叶;S·P·贝赫拉;G·巴拉苏布拉马尼恩;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯;J·J·陈 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-07-07 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及用于处理基板的方法。所公开的技术用于在处理腔室中提高击穿电压、同时在超过约300摄氏度的温度下大幅减少静电夹盘的电压泄漏的方法和设备。
用于处理方法

[发明专利]在基板边缘上的等离子体密度控制-CN201880009737.6有效
发明人： B·库玛;P·科特努尔;S·巴蒂亚;A·K·辛格;V·B·沙赫;G·巴拉苏布拉马尼恩;C·王 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-04-06 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开的实现整体涉及一种用于减少等离子体处理腔室中的基板上的颗粒污染的设备。用于减少的颗粒污染的设备包括腔室主体、耦接到所述腔室主体的盖。所述腔室主体和所述盖之间限定处理容积。所述设备还包括设置在所述处理容积中的基板支撑件以及边缘环。所述边缘环包括设置在基板上方的内部凸缘、连接到所述内部凸缘的顶表面、与所述顶表面相对并从所述基板支撑件径向向外延伸的底表面、以及在所述底表面与所述内部凸缘之间的内部台阶。为了避免在等离子体断电时将颗粒沉积在正在处理的所述基板上，所述边缘环使高等离子体密度区从所述基板的边缘区域被移开。
边缘等离子体密度控制

[发明专利]控制栅极凹槽的轮廓成型-CN202180079746.4在审
发明人： A·辛格豪尔;A·邱;S-J·金;Z·赵;蒋志钧;D·帕德希;G·巴拉苏布拉马尼恩 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：示例性半导体结构和处理方法可包括形成第一半导体层的第一部分，其特征在于用于蚀刻处理的第一蚀刻速率；形成第一半导体层的第二部分，其特征在于比用于蚀刻处理的第一蚀刻速率更小的第二蚀刻速率；以及形成第一半导体层的第三部分，其特征在于比第二蚀刻速率更大的第三蚀刻速率。所述处理方法可进一步包括穿过第一半导体层蚀刻开口，其中所述开口具有高度和宽度，并且其中所述开口的特征在于所述开口的高度的中点与所述开口的端点之间的宽度变化小于或约为5埃。
控制栅极凹槽轮廓成型

[发明专利]以介电陈化膜陈化静电夹盘的系统与方法-CN202180078826.8在审
发明人： A·辛格豪尔;A·邱;Z·赵;S-J·金;蒋志钧;D·帕德希;G·巴拉苏布拉马尼恩 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：描述了半导体处理系统和方法，其可包括使沉积前驱物流入半导体处理腔室的基板处理区域中，其中基板处理区域包括静电夹盘。方法可进一步包括由沉积前驱物在静电夹盘上沉积陈化层以形成陈化的静电夹盘。陈化层可以由大于或约3.5的介电常数表征。方法可又进一步包括向陈化的静电夹盘施加大于或约500V的电压。陈化的静电夹盘可以由当施加电压时小于或约25mA的漏电流表征。
陈化静电系统方法

[发明专利]在处理腔室中使用双频率RF功率的方法-CN202180063641.X在审
发明人： A·K·辛格;R·库斯特拉;V·V·哈桑;B·库玛;K·尼塔拉;P·曼纳;K·C·阿拉亚瓦里;G·巴拉苏布拉马尼恩 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本公开的实施例总体涉及使用双频率的顶部、侧壁和底部源在基板和腔室的盖的表面上沉积大于厚度的碳膜层的方法。方法包括将气体引导至腔室的处理空间。提供具有约40MHz或更大的第一频率的第一射频(RF)功率至腔室的盖。提供具有第二频率的第二RF功率至设置在处理空间内的基板支撑件中的偏压电极。第二频率为约10MHz至约40MHz。提供具有约400kHz至约2MHz的较低频率的额外第三RF功率至偏压电极。
处理腔室中使用双频 rf 功率方法

[发明专利]通过等离子体处理的氟化铝减少-CN201780061897.0有效
发明人： V·B·沙赫;A·K·辛格;B·库玛;G·巴拉苏布拉马尼恩;金柏涵 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-07-18 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本文所述的实施方式总的来说涉及用于从半导体基板处理腔室的一个或多个内表面原位去除不想要的沉积堆积物的方法和装置。在一个实施方式中，所述方法包括由含氟清洁气体混合物来形成反应氟物质。所述方法进一步包括将所述反应氟物质递送到基板处理腔室的处理容积中。所述处理容积包括一个或多个含铝内表面，所述一个或多个含铝内表面上形成有不想要的沉积物。所述方法进一步包括允许所述反应氟物质与所述不想要的沉积物和所述基板处理腔室的所述含铝内表面反应以形成氟化铝。所述方法进一步包括将含氮清洁气体混合物暴露于原位等离子体以在所述处理容积中形成反应氮物质。所述方法进一步包括允许所述反应氮物质与氟化铵反应以将所述氟化铝转化为氮化铝。
通过等离子体处理氟化减少

[发明专利]气体递送系统和方法-CN202080088501.3在审
发明人： D·凯德拉亚;阮芳;黄祖滨;G·巴拉苏布拉马尼恩;K·阿拉亚瓦里;M·西蒙斯;K·李;R·纳拉亚南;K·嘉纳基拉曼 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种系统可以包括：主线路，用于递送第一气体；以及传感器，用于测量被递送通过主线路的第一气体中的前驱物的浓度。系统可以进一步包括：第一子线路和第二子线路，分别用于提供通往第一处理腔室和第二处理腔室的流体通路。第一子线路可以包括：第一流量控制器，用于控制流动通过第一子线路的第一气体。第二子线路可以包括：第二流量控制器，用于控制流动通过第二子线路的第一气体。可以将递送控制器配置为基于前驱物的测量到的浓度来控制第一流量控制器和第二流量控制器，以将第一气体与第二气体的第一混合物和第一气体与第二气体的第二混合物分别递送到第一半导体处理腔室和第二半导体处理腔室中。
气体递送系统方法

[发明专利]用于受控沉积的腔室配置-CN202080064017.7在审
发明人： S·S·阿迪帕利;陈玥;蒋志钧;S·斯里瓦斯塔瓦;N·S·乔拉普尔;D·R·B·拉杰;G·奇可卡诺夫;Q·马;A·凯什里;韩新海;G·巴拉苏布拉马尼恩;D·帕德希 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01J37/20 文献下载
摘要：示例性半导体处理腔室可包括喷头。腔室还可包括基板支撑件，基板支撑件的特征在于面向喷头的第一表面。第一表面可经配置以支撑半导体基板。基板支撑件可限定在第一表面内居中的凹穴。凹穴可由外部径向壁所限定，外部径向壁的特征在于，与凹穴内的第一表面相距的高度大于或约为半导体基板的厚度的150％。
用于受控沉积配置

[发明专利]具有减少的等离子体电弧的处理腔室-CN202080049741.2在审
发明人： F·吴;A·A·哈贾;S·哈;V·K·普拉巴卡尔;G·巴拉苏布拉马尼恩 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：处理系统包括腔室主体、基板支撑件和盖组件。所述基板支撑件位于所述腔室主体中并且包括第一电极。所述盖组件定位在腔室主体上方并限定处理容积。所述盖组件包括面板、定位于所述面板和所述腔室主体之间的第二电极、以及定位于所述第二电极和所述处理容积之间的绝缘构件。电源系统耦接所述第一电极和所述面板，并且设置为在所述处理容积中生成等离子体。
具有减少等离子体电弧处理

[发明专利]减少腔室残留物的方法-CN202080043412.7在审
发明人：胡良发;P·K·库尔施拉希萨;A·M·帕特尔;A·A·哈贾;V·卡尔塞卡尔;V·K·普拉巴卡尔;S·T·B·托卡奇丘;B·S·权;R·林杜尔派布恩;K·D·李;G·巴拉苏布拉马尼恩 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本公开涉及用于在处理腔室中的基板处理期间减少硬件残留物的形成并最小化二次等离子体形成的系统和方法。处理腔室可包含气体分配构件，所述气体分配构件被配置成使第一气体流入处理容积并从第一气体产生等离子体。第二气体被供应到处理容积的下部区域中。此外，排气端口设置在下部区域中以在处理期间或之后从处理容积移除过量的气体或副产物。
减少残留物方法

[发明专利]在等离子体增强化学气相沉积系统中高温下使用压缩应力或拉伸应力处理晶片的方法和装置-CN202111232228.X在审
发明人： Z·J·叶;J·D·平森二世;塙广二;周建华;林兴;段仁官;K·D·李;金柏涵;S·P·贝海拉;S·哈;G·巴拉苏布拉马尼恩;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯;P·K·库尔施拉希萨;J·K·福斯特;M·斯利尼瓦萨恩;U·P·哈勒;H·K·博尼坎帝 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-08-12 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本公开的实施例提供了一种用于在高温下维持在等离子体反应器中处理的基板的平坦度的静电卡盘。在一个实施例中，所述静电卡盘包括：耦接到支撑杆的卡盘主体，所述卡盘主体具有基板支撑表面，并且所述卡盘主体在约250℃至约700℃的温度下具有约1×107ohm‑cm至约1×1015ohm‑cm的体电阻率值；以及电极，所述电极嵌在所述主体中，所述电极耦接到电源。在一个示例中，所述卡盘主体由氮化铝材料组成，已经观察到氮化铝材料在沉积或蚀刻工艺、或者使用高操作温度和基板夹持特征两者的任何其他工艺期间，能够在约600℃或更高温度下优化卡持性能。
等离子体增强化学沉积系统高温使用压缩应力拉伸处理晶片方法装置

[发明专利]半导体晶片处理中最小化晶片背侧损伤的方法-CN201980035398.3有效
发明人： A·A·哈贾;胡良发;S·S·拉斯;G·巴拉苏布拉马尼恩 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本公开一般关于用于半导体处理的基板支撑件。在一个实施例中，提供了基板支撑件。基板支撑件包括：主体，包含基板夹持表面；电极，设置在主体内；多个基板支撑特征，形成在基板夹持表面上，其中基板支撑特征的数量从基板夹持表面的中心到基板夹持表面的边缘径向增加；以及调节层，形成在多个基板支撑特征上，调节层包含氮化硅。
半导体晶片处理最小化损伤方法

[发明专利]用于基板处理腔室的吸附工艺和系统-CN202080020738.8在审
发明人： B·库玛;G·巴拉苏布拉马尼恩;V·B·沙赫;赵记恒 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-02-27 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本公开涉及用于在基板处理腔室中吸附的方法和系统。在一个实施方式中，一种在基板处理腔室中吸附一个或多个基板的方法包括：将吸附电压施加到基座。将基板设置在基座的支撑表面上。所述方法还包括：从施加的电压斜变吸附电压；在斜变吸附电压时检测阻抗偏移；确定发生阻抗偏移时的对应吸附电压；以及基于阻抗偏移和对应吸附电压来确定精确吸附电压。
用于处理吸附工艺系统

[发明专利]处理基板的方法-CN201910514110.2有效
发明人： G·巴拉苏布拉马尼恩;J·C·罗查－阿尔瓦雷斯;R·萨卡拉克利施纳;R·金;D·R·杜鲍斯;K·H·弗劳德;A·K·班塞尔;T·A·恩古耶 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-02-17 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供一种用于处理基板的方法与设备。该设备包括基座与旋转构件，基座与旋转构件可移动地设置在处理腔室内。旋转构件适配成旋转设置在腔室中的基板。在处理期间，基板可由边缘环支撑。边缘环可选择性地啮合基座或旋转构件。在一个实施例中，在沉积工艺期间，边缘环啮合基座，并且在基板的旋转期间，边缘环啮合旋转构件。处理期间的基板的旋转可以是不连续的或连续的。
处理方法

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