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[发明专利]作为泛素-特异性蛋白酶1抑制剂的嘌呤酮-CN202210306502.1在审
发明人： A·J·巴克麦尔特;S·尤安尼迪斯;B·弗罗斯;G·古斯塔夫森;M·王;J·A·卡拉维尔拉;Z·王;E·L·弗里岑;J·林 -专利权人：福马治疗有限公司
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： C07D473/00 文献下载
摘要：本申请涉及可用于治疗癌症和其它USP1相关的疾病和病症的USP1的抑制剂，其具有下式：其中R1、R2、R3、R3′、R4、R5、X1、X2、X3、X4和n在本文中描述。
作为特异性蛋白酶抑制剂嘌呤

[发明专利]作为泛素-特异性蛋白酶1抑制剂的嘌呤酮-CN201680079504.4有效
发明人： A·J·巴克麦尔特;S·尤安尼迪斯;B·弗罗斯;G·古斯塔夫森;M·王;J·A·卡拉维尔拉;Z·王;E·L·弗里岑;J·林 -专利权人：福马治疗有限公司
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C07D473/00 文献下载
摘要：本申请涉及可用于治疗癌症和其它USP1相关的疾病和病症的USP1的抑制剂，其具有下式：其中R1、R2、R3、R3'、R4、R5、X1、X2、X3、X4和n在本文中描述。
作为特异性蛋白酶抑制剂嘌呤

[发明专利]作为丙酮酸激酶(PKR)活化剂的吡咯并吡咯组合物-CN202110722793.8在审
发明人： A·爱立信;N·格林;G·古斯塔夫森;韩冰松;D·R·小兰西亚;L·米切尔;D·理查德;T·舍勒金;C·C·史密斯;Z·王;郑孝彰 -专利权人：福马治疗股份有限公司
申请日： 2018-03-20 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： A61K31/436 文献下载
摘要：本公开涉及调节丙酮酸激酶并提供新型式(I)的化合物用作PKR的活化剂，以及这些化合物的各种用途。PKR活化化合物可用于治疗与PKR和/或PKM2相关联的疾病和障碍，诸如丙酮酸激酶缺乏症(PKD)、镰形细胞病(SCD)和地中海贫血。
作为丙酮酸激酶 pkr 活化剂吡咯组合

[发明专利]作为丙酮酸激酶(PKR)活化剂的吡咯并吡咯组合物-CN201880002215.3有效
发明人： A·爱立信;N·格林;G·古斯塔夫森;韩冰松;D·R·小兰西亚;L·米切尔;D·理查德;T·舍勒金;C·C·史密斯;Z·王;郑孝彰 -专利权人：福马治疗股份有限公司
申请日： 2018-03-20 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： C07D487/04 文献下载
摘要：本公开涉及调节丙酮酸激酶并提供新型式(I)的化合物用作PKR的活化剂，以及这些化合物的各种用途。PKR活化化合物可用于治疗与PKR和/或PKM2相关联的疾病和障碍，诸如丙酮酸激酶缺乏症(PKD)、镰形细胞病(SCD)和地中海贫血。
作为丙酮酸激酶 pkr 活化剂吡咯组合

[发明专利]制作铁电存储器件的方法-CN200680021249.4有效
发明人： P·迪雷克勒夫;G·I·莱斯塔德;G·古斯塔夫森 -专利权人：薄膜电子有限公司
申请日： 2006-06-08 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：在制造铁电存储器件的方法中，该存储器件包括夹在第一和第二组电极之间的存储层，该存储层以及这两组电极都采用适当的印刷方法在该存储器件中实现。
制作存储器件方法

[发明专利]储油层样本监管链-CN200710169451.8无效
发明人： S·S·贝坦库尔特;O·C·穆林斯;A·汉马米;J·A·奈斯万德;S·G·马休斯;B·拉胡拉曼;G·古斯塔夫森;L·赖德;T·达维斯 -专利权人：普拉德研究及开发有限公司
申请日： 2007-11-16 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： E21B49/00 文献下载
摘要：本发明涉及储油层样本监管链，其提供了一种确保获得地下储油层的有代表性的构造和/或流体样本的方法。一种验证获自井筒的储油层流体样本的方法，包括如下步骤：在井筒中采集储油层流体样本；用技术在井底检测流体样本的性能以获得检测的井底流体性能；重复用来获得检测的井底流体性能的检测技术以在离井筒较远的位置用技术获得至少一种检测的较远位置的流体性能；通过比较检测的井底流体性能和至少一种检测的较远位置的流体性能来验证流体样本。
储油样本监管

[发明专利]用于操作无源矩阵可寻址铁电或驻极体存储器件的方法-CN200580048952.X无效
发明人： C·卡尔森;G·古斯塔夫森;M·约翰逊;P·桑德斯特龙;P·－E·诺达尔;H·G·古德森;J·卡尔森 -专利权人：薄膜电子有限公司
申请日： 2005-01-04 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：在用于操作无源矩阵可寻址的铁电或驻极体存储器件的方法中，使用基于1/3电压选择规则的电压脉冲协议以保持干扰电压为最小值，该电压脉冲协议包括用于基于具有限定参数的电压脉冲时序来读出和写入/擦除的循环。该方法包括刷新过程，其中选择用于刷新的单元；和被存储器件控制器处理的刷新请求，所述刷新请求关于正在进行的或者预定的存储操作被监控和处理，并且将具有限定参数的刷新电压脉冲施加到所选用于刷新的存储单元，同时确保未被选择的存储单元经受零电压或不影响这些单元的极化状态的电压。
用于操作无源矩阵寻址驻极体存储器件方法

[发明专利]有机铁电体或永电体存储电路及其制造方法-CN200580031320.2无效
发明人： R·利尔杰达尔;M·桑德伯格;G·古斯塔夫森;H·G·古德森 -专利权人：薄膜电子有限公司
申请日： 2005-07-18 - 公布日： 2007-08-22 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：在有机电子电路(C)中，具体地说是具有有机铁电体或永电体材料(2)的存储电路，活性材料包括氟原子并由各种有机材料组成。活性材料位于第一电极和第二电极之间。具有类似电容器结构的单元定义在活性材料中，并可通过第一和第二电极被访问进行寻址操作。这些电极(1a，1b)中的至少一个包括化学修改的金层。在无源矩阵可寻址电子器件中，具体地说是铁电体或永电体存储器件，此类具有活性材料作为铁电体或永电体存储材料的电路(C)形成矩阵可寻址阵列的元素，并定义设置在第一和第二组寻址电极之间的存储单元。至少一组电极然后包括至少一个金层。一种制造有机电子电路(C)的方法，该方法包括如下步骤：沉积一个金层作为至少一个电极的至少一层，并化学处理这层的暴露表面，之后活性材料层可沉积在此电极加工过的表面顶上。
有机铁电体永电体存储电路及其制造方法

[发明专利]电通路连接和关联的接触部件以及它们的制造方法-CN200580031326.X无效
发明人： R·利尔杰达尔;G·古斯塔夫森 -专利权人：薄膜电子有限公司
申请日： 2005-07-18 - 公布日： 2007-08-22 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：在有机电子电路，具体地说是存储电路中，提供一种电通路连接和关联的接触部件，与包含各种有机化合物的活性有机介电材料层对接。通路连接是提供在延伸过活性介电材料的通路开口中，并与其两侧的第一和第二电接触部件连接。第二接触部件包含直接沉积在活性介电层上的第一层化学惰性和不反应导电材料、以及作为第一层之上的第二层并在向下至第一接触部件的通路开口中提供的导电材料，创建穿过活性介电层的通路连接并连接第一和第二接触部件。在制造这种电通路连接和此类关联的接触部件的方法中，将第二接触部件中的第一层沉积在活性介电层上。第一层由化学惰性和不反应导电材料组成。通路开口形成为穿过第二接触部件的活性介电层，第二接触部件由沉积在第一层之上和通路开口中的导电材料组成，以建立通过它们的期望通路连接。
通路连接关联接触部件以及它们制造方法

[发明专利]铁电和电介体存储单元和装置的双模操作-CN200580019798.3无效
发明人： H·G·古德森;G·I·莱斯塔德;I·恩格奎斯特;G·古斯塔夫森 -专利权人：薄膜电子有限公司
申请日： 2005-04-12 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于增加铁电或电介体存储单元的数据存储容量的方法，已经对该存储单元应用了数据存储并使其达到一种压印状态，使用适当的电压脉冲用于使该压印状态暂时松弛至一种易失性偏振态，可以在非破坏读出操作中区别该易失性偏振态和压印偏振态。使用一个或多个电压脉冲序列来引起读出信号，该读出信号可分别表示存储单元的非易失性偏振态和易失性偏振态，但是不改变所述偏振态。可以通过为压印存储单元分配第一逻辑值和第二逻辑值，并通过将选择的存储单元转换成一种松弛状态，以此可以覆盖压印存储单元来实现铁电或电介体存储装置内存储装置中的暂时和易失性数据存储，从而可以通过检测各个压印和松弛存储单元的动态响应中的差异来区别存储的逻辑值。
电介体存储单元装置双模操作

[发明专利]有机电子设备和制造这种设备的方法-CN200580009734.5无效
发明人： M·桑德伯格;P·－E·诺达尔;G·格雷茨恩斯基;M·乔翰逊;P·卡尔森;H·G·古德森;G·古斯塔夫森;L·安德森 -专利权人：薄膜电子有限公司
申请日： 2005-03-21 - 公布日： 2007-03-28 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：有机电子设备，包括夹在电极之间的一种或多种电活性有机或聚合物材料。此类装置中的关键是电极和聚合物之间的界面，在那里可能形成对装置适当地发挥功能有害的降解或化学反应产物。这一点通过引入由一种或多种材料组成的功能性中间层来解决，所述一种或多种材料包括具有直接连接的或经由侧链的膦酸酯或磷酸酯官能团的分子主链，所述功能层被设置在设备中的至少一个相应电极和所述一种或多种电活性材料之间。
有机电子设备制造这种设备方法

[发明专利]叠层中的垂直电互连-CN01806547.3无效
发明人： P·－E·诺达尔;H·G·古德森;G·I·雷斯塔德;G·古斯塔夫森 -专利权人：薄膜电子有限公司
申请日： 2001-03-15 - 公布日： 2003-05-14 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：在具有至少两个叠置层的存储器和/或数据处理器件中，该叠置层由衬底支撑或形成夹层的自支撑结构，其中所述层包括具有层间的相互连接和/或相互连接到衬底中的电路的存储器和/或处理电路，各层相互关联设置，使邻接层在器件的至少一个边缘形成交错结构，并提供至少一个边缘电导体越过一层的边缘并一次下一个台阶，能连接到叠层中随后的任何层中的电导体。一种制造这种器件的方法包括以下步骤连续地添加所述各层，一次一层使各层形成交错结构，提供的一层或多层具有至少一个电接触焊盘，该电接触焊盘用于连接到一个或多个层间边缘连接体。
中的垂直互连

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