专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]压片α-氧化铝催化剂载体-CN202180045468.0在审
  • S·Y·崔;A·卡尔波夫;C·瓦尔斯多夫;N·杜伊克特;天川和彦;P·乌巴奇;K·C·卡拉斯 - 巴斯夫欧洲公司
  • 2021-06-25 - 2023-04-21 - B01J23/50
  • 一种压片催化剂载体,其特征在于至少85重量%的α‑氧化铝含量、如通过汞孔隙率法测定的至少0.4mL/g的孔隙体积和0.5至5.0m2/g的BET表面积。所述压片催化剂载体是以高几何精度获得并表现出高的总孔隙体积的α‑氧化铝催化剂载体,因此允许用高量的银浸渍,同时表现出足够大的表面积以提供催化活性物类,特别是金属物类的最佳分散。本发明进一步提供一种生产压片α‑氧化铝催化剂载体的方法,其包含i)形成自由流动的进料混合物,其包含基于无机固含量计至少50重量%的过渡型氧化铝;ii)将所述自由流动的进料混合物压片以获得压实体;和iii)在至少1100℃,优选至少1300℃,更优选至少1400℃,特别是至少1450℃的温度下热处理所述压实体,以获得压片α‑氧化铝催化剂载体。本发明还涉及通过将自由流动的进料混合物压片而得的压实体,其包含基于无机固含量计至少50重量%的具有最多600g/L的松散堆积密度、如测定的至少0.6mL/g的孔隙体积和至少15nm的中值孔径的过渡型氧化铝。本发明还涉及一种用于通过乙烯的气相氧化生产环氧乙烷的成型催化剂体,其包含沉积在压片α‑氧化铝催化剂载体上的相对于催化剂的总重量计至少15重量%的银。本发明还涉及一种通过乙烯的气相氧化生产环氧乙烷的方法,其包含使乙烯和氧气在所述成型催化剂体存在下反应。
  • 压片氧化铝催化剂载体
  • [发明专利]生产多孔α-氧化铝催化剂载体的方法-CN202180045865.8在审
  • S·Y·崔;A·卡尔波夫;C·瓦尔斯多夫;P·乌巴奇;K·C·卡拉斯 - 巴斯夫欧洲公司
  • 2021-06-25 - 2023-04-21 - B01J21/04
  • 一种生产多孔α‑氧化铝催化剂载体的方法,其包含i)制备前体材料,其包含基于无机固含量计,至少50重量%的具有最多600g/L的松散堆积密度、至少0.6mL/g的孔隙体积和至少15nm的中值孔径的过渡型氧化铝;和最多30重量%的水合氧化铝;ii)将所述前体材料成型为成型体;和iii)煅烧所述成型体以获得多孔α‑氧化铝催化剂载体。所述催化剂载体是具有高的总孔隙体积,因此允许用高量的银浸渍,同时使其表面积保持足够大以提供催化活性物类,特别是金属物类的最佳分散。本发明进一步涉及一种用于通过乙烯的气相氧化生产环氧乙烷的成型催化剂体,其包含沉积在上述方法中获得的多孔α‑氧化铝催化剂载体上的相对于催化剂的总重量计至少15重量%的银。本发明还涉及一种制备如上所述的成型催化剂体的方法,其包含a)优选在减压下用银浸渍溶液浸渍在如上所述的方法中获得的多孔α‑氧化铝催化剂载体;和任选对浸渍的多孔氧化铝载体施以干燥;和b)对浸渍的多孔α‑氧化铝载体施以热处理;其中步骤a)和b)任选重复。本发明还涉及一种通过乙烯的气相氧化生产环氧乙烷的方法,其包含使乙烯和氧气在如上所述的成型催化剂体存在下反应。
  • 生产多孔氧化铝催化剂载体方法
  • [发明专利]多孔催化剂载体成型体-CN202180045882.1在审
  • S·Y·崔;A·卡尔波夫;C·瓦尔斯多夫;P·乌巴奇;H·魏因多克;B·欣里希森;G·普里托冈萨雷斯;T·罗德纳斯托拉尔巴;K·C·卡拉斯 - 巴斯夫欧洲公司
  • 2021-06-25 - 2023-03-28 - B01J23/50
  • 一种多孔催化剂载体成型体,其包含至少85重量%的α‑氧化铝,其中所述载体具有如通过水银孔率法测定的在0.5至2.0mL/g的范围内的总孔隙体积,和特征如下的孔隙结构:在1.0至2.0的范围内的几何迂曲度τ;和在0.060至1.0的范围内的有效扩散参数η;其中几何迂曲度τ和有效扩散参数η由聚焦离子束扫描电子显微镜分析的计算机辅助三维重建通过图像分析算法测定。所述载体的结构具有高的总孔隙体积,以致有可能用大量的银浸渍,同时表面积保持足够高以确保催化活性物类,尤其是金属物类的最佳分散。所述载体的孔隙结构带来载体内的最大传质速率。本发明还涉及一种用于通过乙烯的气相氧化制备环氧乙烷的成型催化剂体,其包含沉积在如上所述的多孔催化剂载体成型体上的基于催化剂的总重量计至少15重量%的银。本发明进一步涉及一种生产成型催化剂体的方法,其中a)优选在减压下用银浸渍溶液浸渍根据如上所述的多孔催化剂载体成型体;和任选对浸渍的多孔催化剂载体成型体施以干燥;和b)对浸渍的多孔催化剂载体成型体施以热处理;其中步骤a)和b)任选重复。本发明还涉及一种通过乙烯的气相氧化制备环氧乙烷的方法,其包含使乙烯和氧气在根据权利要求11的成型催化剂体存在下反应。
  • 多孔催化剂载体成型
  • [发明专利]用于在有机发光二极管基板上形成封装层的方法-CN201710769924.1在审
  • J·J·陈;S·Y·崔 - 应用材料公司
  • 2013-08-06 - 2018-02-06 - H01L51/56
  • 本发明涉及用于在有机发光二极管(OLED)基板上形成封装层的方法。提供用于封装有机发光二极管(OLED)结构的方法及装置,上述有机发光二极管结构使用材料混合层布置于基板上。封装方法可以作为单一或多重腔室处理来实行。在材料混合层的沉积期间所使用的处理参数允许控制沉积的混合层的特征。混合层可被沉积,使得在混合层的某些子层中具有无机材料的特征,且在混合层的其他子层中具有有机材料的特征。混合材料的使用允许OLED封装使用单一硬掩模,以低花费完成封装处理,而无呈现于传统处理中的对准问题。
  • 用于有机发光二极管基板上形成封装方法
  • [发明专利]用于有机发光二极管的混合封装的方法-CN201380044659.0有效
  • J·J·陈;S·Y·崔 - 应用材料公司
  • 2013-08-06 - 2017-08-29 - H01L51/52
  • 提供用于封装有机发光二极管(OLED)结构的方法及装置,上述有机发光二极管结构使用材料混合层布置于基板上。封装方法可以作为单一或多重腔室处理来实行。在材料混合层的沉积期间所使用的处理参数允许控制沉积的混合层的特征。混合层可被沉积,使得在混合层的某些子层中具有无机材料的特征,且在混合层的其他子层中具有有机材料的特征。混合材料的使用允许OLED封装使用单一硬遮罩,以低花费完成封装处理,而无呈现于传统处理中的对准问题。
  • 用于有机发光二极管混合封装方法
  • [发明专利]沉积包封膜的方法-CN201380009246.9有效
  • J·J·陈;T·K·元;B·S·朴;Y·J·崔;S·Y·崔 - 应用材料公司
  • 2013-02-15 - 2017-02-22 - H01L51/56
  • 描述一种将材料层(例如包封膜)沉积至基板上的方法及装置。于一实施例,包封膜形成方法包括传送气体混合物至处理室中,此气体混合物包括含硅气体、第一含氮气体、第二含氮气体以及氢气;施加介于约0.350瓦/平方厘米至约0.903瓦/平方厘米的能量至气体分配板组件,以激励处理室中的气体混合物,气体分配板组件与位于所述处理室中的基板的间隔约800密耳至约1800密耳,且气体分配板组件在所述基板上方;于介于约0.5托耳至约3.0托耳之间的压力下,维持于处理室中的激励的气体混合物;以及在此被激励的气体混合物存在之下,沉积无机包封膜至基板上。于其他实施例,有机电介质层是夹在无机包封层之间。
  • 沉积包封膜方法
  • [发明专利]用于链烷脱氢的氧化铬氧化铝催化剂-CN201280057106.4无效
  • S·Y·崔 - 巴斯夫欧洲公司
  • 2012-09-20 - 2014-08-27 - B01J21/08
  • 本发明提供了制备包含三羟铝石和二氧化硅的脱氢催化剂载体的方法。通过喷雾干燥三羟铝石粉末、在三羟铝石浆中利用酸来沉淀二氧化硅、或者利用硅酸钠溶液来浸渍三羟铝石或与之共挤出而制备的二氧化硅稳定的氧化铝粉末被发现为较好的催化剂载体前体。用这些包含二氧化硅的载体材料制备的催化剂比现有的催化剂具有更高的水热稳定性。本发明还提供了包含Cr2O3、碱金属氧化物、SiO2和Al2O3的脱氢催化剂,以及使用所述催化剂来制备烯烃和/或将可脱氢烃脱氢的方法。
  • 用于脱氢氧化铬氧化铝催化剂
  • [发明专利]改善大面积基板均匀性的方法和设备-CN200780010242.7有效
  • S·Y·崔;J·M·怀特 - 应用材料股份有限公司
  • 2007-03-07 - 2009-05-27 - C23C16/00
  • 本发明的实施例大致上提供改善沉积在大面积基板上膜(特别是沉积在PECVD系统中的膜)的均匀性的方法与设备。在一实施例中,一等离子处理腔室是被建构成相对于基板为非对称,以补偿腔室中被不希望磁场造成的等离子密度非均匀性。在另一实施例中,一等离子处理腔室是适用以建立一中性电流分流路径,其可以减少电流,其中该电流是流动通过腔室中一产生磁场的特征结构。在另一实施例中,本发明是提供一种在等离子处理腔室中大面积基板上沉积均一膜的方法。通过建立一中性电流分流路径,腔室被建构成在处理期间为电性对称,该中性电流分流路径可以实质上减少中性电流,其中该中性电流是通过腔室中一产生磁场的特征结构(例如一狭缝阀开口或其它腔室壁穿孔)。
  • 改善大面积均匀方法设备

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