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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]鞋类物品的鞋底结构和相关方法-CN202310272751.8在审
发明人： Y·J·崔;T·M·克罗斯;C·A·斯坦贝克;J·佐尔梅尔 -专利权人：耐克创新有限合伙公司
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： A43B3/00 文献下载
摘要：提供了一种鞋类物品的鞋底结构，其包括具有第一侧壁的第一中底部分和具有第二侧壁的第二中底部分。鞋底结构(还包括第一片，其布置在第一中底部分和第二中底部分之间且包括第一表面和形成在第一片的与第一表面相对的侧上的第二表面。第一片包括一个或多个孔，其穿过第一片从第一表面延伸至第二表面。第一中底部分和第二中底部分穿过第一片的所述一个或多个孔操作地连接。
鞋类物品鞋底结构相关方法

[发明专利]作为自分泌运动因子抑制剂的新型化合物和包含其的药物组合物-CN201880002489.2有效
发明人： D·Y·李;S·E·蔡;E·M·郑;E·H·杨;Y·J·崔;C·W·钟;J·H·申;Y·K·金;H·J·权;J·H·柳;E·H·班;Y·Z·金;Y·S·吴;J·蔡 -专利权人：乐高化学生物科学股份有限公司
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： C07D471/04 文献下载
摘要：本发明涉及作为自体毒素抑制剂用于治疗和预防由自分泌运动因子激活或溶血磷脂酸浓度增加引起的病状或病症的新型化合物，以及含有其的药物组合物。本发明的新型化合物是自体毒素抑制剂，并且通过抑制溶血磷脂酸的产生，它们可用于治疗或预防心血管病症、癌症、代谢紊乱、肾脏病症、肝脏病症、炎症性病症、神经系统病症、呼吸系统病症、纤维化疾病、眼部病症、胆汁淤积和其他形式的慢性瘙痒症或急性或慢性器官移植排斥。
作为分泌运动因子抑制剂新型化合物包含药物组合

[发明专利]沉积包封膜的方法-CN201380009246.9有效
发明人： J·J·陈;T·K·元;B·S·朴;Y·J·崔;S·Y·崔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-02-15 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：描述一种将材料层(例如包封膜)沉积至基板上的方法及装置。于一实施例，包封膜形成方法包括传送气体混合物至处理室中，此气体混合物包括含硅气体、第一含氮气体、第二含氮气体以及氢气；施加介于约0.350瓦/平方厘米至约0.903瓦/平方厘米的能量至气体分配板组件，以激励处理室中的气体混合物，气体分配板组件与位于所述处理室中的基板的间隔约800密耳至约1800密耳，且气体分配板组件在所述基板上方；于介于约0.5托耳至约3.0托耳之间的压力下，维持于处理室中的激励的气体混合物；以及在此被激励的气体混合物存在之下，沉积无机包封膜至基板上。于其他实施例，有机电介质层是夹在无机包封层之间。
沉积包封膜方法

[发明专利]用于薄膜封装的N₂O稀释工艺对阻挡膜性能的改进-CN201480014618.1在审
发明人： Y·J·崔;B·S·朴;崔寿永 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-03-10 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：描述一种用于将无机层沉积到基板上的方法和装置。所述无机层可以是各种显示应用中使用的封装膜的部分。所述封装膜包括一或多个无机层作为阻挡层以改进防水性能。在所述无机层的沉积期间，引入含氧气体，如一氧化二氮。因此，所述无机层的应力更低，且可获得小于100mg/m²-天的水蒸汽透过率(WVTR)。
用于薄膜封装 sub 稀释工艺阻挡性能改进

[实用新型]等离子体增强化学气相沉积腔室-CN201320816979.0有效
发明人：陈志坚;崔寿永;Y·J·崔;Y·崔;朴范洙;罗宾·L·蒂纳 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本申请公开了等离子体增强化学气相沉积腔室。本实用新型通常涉及在PECVD腔室中耦合至气体分配喷头的加热背板。通过使加热流体循环通过在背板之内形成的通道或耦合至背板的软管来加热所述背板。加热背板加热气体分配喷头，如此提高执行低温工艺的PECVD腔室的清洁速率。
等离子体增强化学沉积

[发明专利]使用氩气稀释来沉积含硅层的方法-CN201280045437.6在审
发明人： Q·王;W·王;Y·J·崔;S-M·赵;Y·崔;朴范洙;崔寿永 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-09-24 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本揭露书的实施例大体上提供了于薄膜晶体管器件中形成含硅层的方法。硅可用于在低温多晶硅薄膜晶体管中形成主动通道，或可用作为栅极介电层、钝化层或甚至蚀刻停止层中的一种元素。含硅层通过气相沉积工艺沉积，借着气相沉积工艺而随着硅前体提供惰性气体，如氩气。该惰性气体用于驱除弱的、悬浮的硅-氢键或硅-硅键，因此保留强的硅-硅键或硅-氧键，以形成实质上不含氢的含硅层。
使用稀释沉积含硅层方法

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